纳米KMn8O16粉体的室温固相合成与表征

室温或近室温固相反应要求绿色化、清洁化[1,2]。我们以KMnO4和MnCl2·4H2O为原料,用室温固相氧化还原反应制备氧化锰粉体时,得到了一种对H2O2分解具有较高催化活性的纳米KMn8O16粉体,用XRD、SEM、IR等技术对其进行了表征,发现研磨时间对粉体性能有显著影响。1　实验部分1 1　粉体的制备按摩尔比(2∶3)准确称取一定量的分析纯KMnO4和MnCl2·4H2O,分别置于玛瑙研钵中充分研细,再混合研磨,固相反应立即发生,体系颜色逐渐加深,并有刺激性气体产生,充分研磨后70℃恒温12h,固相产物依次经水洗至中性、醇洗、抽滤,真空干燥得黑色粉…     

试样研磨对铜合金主要元素分析结果的影响

本文从砂带，研磨方法，试样表现状况三个方面，分析了试样研磨对铜合金主要元素测试结果的影响。     

平面研磨中影响工件起动力矩的因素

本文针对平面研磨过程中工件运动的随机性，从理论上求出了在机床起动瞬间磨具作用于工件上的合力矩；探讨了影响这个力矩的主要因素，偏心距和工件几何尺寸的作用规律；为选择研磨参数提供一理论依据。     

无溶剂研磨条件下四氢苯并吡喃衍生物的一锅法合成

四氢苯并吡喃衍生物在药物和农药研究中有着广泛的用途. 基于合成这类化合物的传统方法所用溶剂多为对环境不利的极性溶剂, 且合成需分步进行, 在提倡绿色化学和发展节约型经济的今天, 如何改良这类反应已成为一个热点. 本工作通过选择不同的碱尝试反应最佳条件, 发现用价廉易得的碳酸钾为碱, 对不同官能团取代的底物芳醛采用研磨的手段, 在无溶剂条件下, 一锅法可成功合成四氢苯并吡喃衍生物. 该法条件温和, 收率高, 易于操作, 对环境影响小.     

研磨法合成1,2,3,6-四氢嘧啶-2-酮衍生物

以NH₂SO₃H为催化剂, 室温无溶剂条件下, 研磨芳醛、β-酮酸酯和尿素合成了一系列1,2,3,6-四氢嘧啶-2-酮衍生物. 该方法具有反应条件温和、操作简便、环境友好、产率高等优点.     

研磨法合成α,β-不饱和酮

将苯乙酮、芳香醛与KF Al2 O3 置于研钵中 ,在无溶剂条件下 ,室温研磨 5min后放置一定时间 ,得到收率 94%～ 98%的α ,β 不饱和酮 .该法反应条件温和 ,操作简便 ,KF Al2 O3 可回收再利用     

固态研磨-燃烧法制CuO-ZnO-ZrO2/HZSM-5二甲醚合成催化剂

以柠檬酸为燃烧剂,采用固态研磨-燃烧法和机械混合法制备了CuO-ZnO-ZrO2/HZSM-5CO2加氢一步合成二甲醚双功能催化剂.采用固定床反应器,在反应温度270℃、压力为3.0 MPa、空速4 200 h-1条件下,考察了催化剂对CO2加氢一步合成二甲醚的反应性能,并采用XRD、BET、H2-TPR、NH3-TPD及XPS对催化剂的结构进行了表征.评价结果表明:随柠檬酸量的增加,二甲醚选择性和收率呈峰形变化趋势;当柠檬酸的量等于化学计量比的100%时,制备的催化剂具有较好的催化性能:CO2单程转化率为24.8%、二甲醚(DME)的选择性和收率分别为35.3%和8.7%.表征结果表明:柠檬酸的量影响催化剂的比表面积、还原性能以及CuO和ZnO的晶粒尺寸等,进而影响催化剂反应性能.     

超光滑加工精磨过程中损伤层与余量匹配的研究

对超光滑加工散粒研磨工序中采用的三级精磨法,进行了实验研究,通过改进差分化学刻蚀实验测出各级损伤层的厚度,利用损伤层厚度对加工余量匹配进行了优化。研究表明损伤层厚度与砂粒的粒径和压载之积成线性关系,与研磨时长无关;实验测得W28、W10、W5号磨料在实验条件下研磨加工产生的损伤层厚度分别为12.4μm、8.2μm、5.8μm;并根据损伤层厚度提出了加工余量的匹配建议方案。损伤层的相关研究为超光滑加工中提高生产效率以及减少麻点产生几率的研究提供了参考。     

Blue electroluminescence of a novel Zn~(2+)–β-diketone complex with a carbazole moiety

In this letter, a novel zinc complex of Zn(ECTFBD)2 was synthesized by an environment-friendly grinding technique in high yield. Its structure was confirmed by1H NMR, MS and EA. HECTFBD is 1-(9-ethyl-9Hcarbazol-3-yl)-4,4,4-trifluorobutane-1,3-dione. Zn(ECTFBD)2-based light-emitting devices were fabricated. The architecture of the devices was ITO/PEDOT(40 nm)/100 wt% PVK: 40 wt% OXD-7: x wt% Zn(ECTFBD)2(85 nm)/CsF(1.5 nm)/Al(100 nm), where x = 1, 5, and 10(relative to the mass of PVK and OXD-7). The three devices displayed blue emissions with peaks at 450, 458, and 460 nm, respectively. A maximum luminous efficiency of 0.86 cd/A and a luminance of 228 cd/m2were achieved by the 1 wt% doped device. So, we demonstrated further that Zn2+–b-diketone complexes can be effectively severed as a class of new electroluminescent materials. In addition, the thermal stability of Zn(ECTFBD)2 was tested and the UV–vis and photoluminescent behaviors of Zn(ECTFBD)2 in CH2 Cl2 were investigated.     

磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究

研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一,对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响,基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情况,推导出简易的晶片材料去除速率模型。研究结果表明,磨料形貌显著影响4H-SiC晶片的材料去除速率,材料去除速率越高,晶片的总厚度变化(TTV)越小。由于4H-SiC中C面和Si面的各向异性,4H-SiC晶片研磨过程中C面的材料去除速率高于Si面。在分散介质的影响方面：水基体系研磨液的Zeta电位绝对值较高,磨料分散均匀,水的高导热系数有利于控制研磨过程中的盘面温度;乙二醇体系研磨液的Zeta电位绝对值小,磨料易发生团聚,增大研磨过程的磨料切入深度,晶片的材料去除速率提高,晶片最大划痕深度随之增大。