Quantum Inequality for Negative Energy Density States of Massive Dirac Field in Four-Dimensional Spacetime

Negative energy density and the quantum inequality are examined for the Dirac field. A proof is given of the quantum inequality for negative energy densities in the massive Dirac field produced by the superposition of two single particle electron states.     

RuH2和RuN2电子组态与光谱性质的从头计算

用量子化学从头算方法在B3LYP/6 311G 的水平上 ,研究了RuH2 和RuN2 可能的电子组态和光谱性质 .结果表明 ,RuH2 的3 B2 和5Σ-态对应于静电作用的物理吸附态 .RuN2 的一重态和三重态的计算结果跟钌单晶面上的实验值相接近 .而RuN2 在C∞v对称性时 ,五重态5Σ-的计算频率比实验值稍低 .在C2v对称性时 ,五重态的计算频率值则更低 ,3 B2 和5A1态不能稳定存在     

一维纳米固体的电子结构

本文通过计算一维纳米固体模型的电子态密度,针对颗粒大小、颗粒界面无序度等物理量,讨论了一维纳米固体的电子结构。结果表明颗粒大小对电子能态结构影响较大,而颗粒界面无序度主要引起能带宽度和态密度大小的变化。 关键词：     

二分量高温超导机理

用两种电子态,讨论了金属—绝缘相变、反铁磁性—金属相变,以及相分离、正常态—超导态相变、非费米液体行为、高Tc等 关键词： 两种电子态 格林函数 玻色化 高温超导     

磁场下含结构缺陷多组分超晶格中的局域电子态和电子输运

在有效质量近似理论下，利用转移矩阵和有效垒高方法研究了有限磁场下含结构缺陷的多组分超晶格中局域电子态的性质.在考虑各组分层有效质量的失配时，外加磁场会导致磁耦合效应的出现.磁耦合效应不仅引起局域电子能级的量子化，并且随着朗道指数或磁场强弱的变化，局域能级及其局域程度都会发生显著移动，特别是对高能区域的局域电子态影响更大.此外，还计算了电子输运系数，讨论了含结构缺陷的三组分超晶格中局域电子能级与输运谱透射禁区中的共振透射峰的关系，发现两者之间有着很好的对应关系，为相应的实验研究提供了依据. 关键词： 超晶格 局域电子态 磁场     

Yb2.75C60价带光电子能谱

用角积分紫外光电子能谱技术测量了Yb2 75C6 0 薄膜的价带电子态密度分布 .相纯Yb2 75C6 0 样品通过C1s芯态x射线电子谱峰的位移表征 .结果表明Yb2 75C6 0 是半导体 ,在费米能级处几乎没有电子态分布 .Yb 6s电子态和C6 0 LU MO能带的杂化效应不可忽略 ,有部分Yb 6s电子分布在Yb C6 0 杂化能带上 .     

Ag/ZrO2催化剂上的1,2-丙二醇选择性气相氧化反应

采用浸渍法制备了一系列Ag/ZrO₂催化剂, 考察了Ag/ZrO₂催化剂对1,2-丙二醇选择性氧化合成丙酮醛反应的催化性能. 实验结果表明: 在原料气配比为V(N₂)∶V(O₂)＝300∶19, n(O₂)/n(alcohol)＝1.2, 反应物液时空速为3.2 g/(g•h), 反应温度为673 K时, 1,2-丙二醇选择性氧化合成丙酮醛反应的转化率为95.7%, 选择性为55.3%, 高于传统电解银催化剂. UV-Vis DRS和XPS的研究结果表明: 在Ag/ZrO₂催化剂上存在大量的Ag^＋和Ag_n^δ＋有利于促进催化活性的提高.     

Huckel-hubbard相关图

Huckel模型和Heisnberg-Dirac模型考虑了两种不同的相互作用,前者为单电子作用,而后者仅考虑了电子相关作用,它们是 Hubbard 模型的两种极限情形.本文以四轨道四电子体系为例讨论了三种模型,所得到的Huckel-Hubbard相关图展示了它们的适用范围及其相互关系,这样处理具有代表性,可以推广到较大的共轭体系.     

四氢吡咯双自由基及其等电子体系不同电子态稳定性和NLO性质的理论研究

摘要所选体系为非路易斯分子,即分子中含有一个可分裂的C—C键,两个电子占据非键分子轨道,对这类分子的能量和稳定性的研究已有报道．根据体系中两个自由基电子相互作用不同,该类分子可能具有三种电子态．本文采用密度泛函和从头算等方法在不同基组水平上,对四氢吡咯双自由基（体系a）及其两个等电子体系的NLO性质进行了理论研究．采用不同方法和基组优化体系a三种电子态的几何结构,     

GaN半导体中InN量子点的结构性质

采用第一性原理模拟计算纤锌矿结构GaN半导体中InN量子点的结构性质。建立64和128个原子的超原胞量子点模型,进行结构优化以获得稳定的吻合实际的系统,并模拟分析电子结构。从态密度空间分布图看到不同轴向的量子势阱形状各异、深度不一,说明量子点的限域效应存在着各向异性的特点。c轴极化方向引起量子点结构带边的弯曲形状与传统的量子阱结构不同,使得电子空穴没有发生空间分离,有利于电子空穴的跃迁几率的提高。