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利用102MeV的^28Si束流,通过^60Ni(^28Si,2pn)熔合蒸发反应布居了^85Zr核的高自旋态,测量了γ-γ符合及DCO比值,建立了一个有43条能级,75条γ跃迁的能级纲图,新增加了36条γ跃迁,25条能级。将能级自旋推高到(49/2^ ),首次观察到了转边带的第二回弯。并确认了一条建立在17/2^-负字称带上的磁转动带。 相似文献
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一般说 ,水分分析 ,特别是微量和痕量水的分析是一项比较困难的课题。水分的定性检出法有钴盐法、铁盐法、四乙酸铅法、碳化钙法和乙醇铝法。比浊法用乙醇铝测有机溶剂水分已非常灵敏 ,但制备乙醇铝步骤多 ,且乙醇铝还需配制溶液。本文介绍制备一种试剂 ,应用于比浊法测试微水。本法制作简单 ,使用方便 ,测试灵敏。1 制备方法采用氨法制备锆醇盐 :ZrCl4 +4ROH +4NH3 Zr(RO) 4+4NH4 Cl↓将氯化锆放到容器中 ,注入异丙醇 ,密封容器。加热并通入氨气 ,搅拌混合 ,反应结束后 ,过滤除去沉淀物氯化铵 ,得到锆醇盐溶液 (由于锆醇… 相似文献
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Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer: Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices 下载免费PDF全文
We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory. 相似文献
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在 THF中 ,通过三甲硅基环戊二烯基锂与四氯化锆反应合成了标题化合物 ,经元素分析 ,IR和 1 H NMR谱表征了其结构 ,并用 X-射线衍射测定了晶体结构 ,该晶体属于三斜晶系 ,空间群为 P1 ,晶体学参数 :a=0 .6787(6) ,b=1 .2 92 4 (2 ) ,c=1 .30 34(2 ) nm,α=67.83(1 ) ,β=82 .50 (3) ,γ=75.64 (3)°,V=1 .0 2 5nm3 ,Z=2 ,Dx=1 .41 5 g· cm-3 ,μ=8.989cm-1 ,F (0 0 0 ) =448,R=0 .0 32。质谱研究表明 ,化合物在质谱过程中发生二聚 C*p2 ZrClZr C*P2Cl(C*P=C5H4Si Me3 )。 相似文献