全文获取类型
收费全文 | 1154篇 |
免费 | 657篇 |
国内免费 | 358篇 |
专业分类
化学 | 477篇 |
晶体学 | 443篇 |
力学 | 311篇 |
综合类 | 26篇 |
数学 | 20篇 |
物理学 | 892篇 |
出版年
2024年 | 16篇 |
2023年 | 29篇 |
2022年 | 39篇 |
2021年 | 53篇 |
2020年 | 39篇 |
2019年 | 57篇 |
2018年 | 49篇 |
2017年 | 69篇 |
2016年 | 75篇 |
2015年 | 84篇 |
2014年 | 121篇 |
2013年 | 97篇 |
2012年 | 108篇 |
2011年 | 87篇 |
2010年 | 87篇 |
2009年 | 109篇 |
2008年 | 102篇 |
2007年 | 96篇 |
2006年 | 115篇 |
2005年 | 77篇 |
2004年 | 52篇 |
2003年 | 86篇 |
2002年 | 44篇 |
2001年 | 55篇 |
2000年 | 60篇 |
1999年 | 45篇 |
1998年 | 36篇 |
1997年 | 60篇 |
1996年 | 49篇 |
1995年 | 43篇 |
1994年 | 28篇 |
1993年 | 14篇 |
1992年 | 10篇 |
1991年 | 23篇 |
1990年 | 19篇 |
1989年 | 11篇 |
1988年 | 9篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 3篇 |
排序方式: 共有2169条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光 总被引:4,自引:0,他引:4
系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系. 相似文献
2.
3.
4.
5.
6.
真空中陶瓷绝缘子的耐压能力严重受到其表面性能的制约,在远低于同尺寸的真空间隙的耐压强度和绝缘子体耐压水平的情况下,绝缘子就出现了击穿现象,即沿面闪络击穿。利用真空绝缘实验装置选用95氧化铝陶瓷和掺锰铬氧化铝陶瓷样品进行表面耐压试验,对不同组分的陶瓷样品的耐压性能比较,并探讨表面处理及测试法对绝缘子表面绝缘性能的影响。 相似文献
7.
8.
氟氧化物陶瓷的多谱线上转换发光 总被引:1,自引:0,他引:1
以氧化硅、氟化铅为基质制备了Er3 :Yb3 共掺杂氟氧化物陶瓷 ,X 射线分析表明陶瓷中存在着 β PbF2 晶相 ,沉积在其中的稀土离子由于具有很低的无辐射跃迁几率而显示出良好的上转换性能。Er3 ,Yb3 离子之间存在的多种能量传递通道 ,导致稀土离子十分丰富的上转换谱线的出现。 相似文献
9.
Nd扩渗BaTiO3陶瓷的电性能与XPS研究 总被引:4,自引:1,他引:4
采用气相法对钛酸钡陶瓷扩渗Nd元素,
经Nd扩渗BaTiO3陶瓷的电性能发生了十分显著的变化. 通过正交实验,
确定了最佳扩渗条件, 当Nd的浓度为2%, 扩渗时间为4 h, 扩渗温度为860
℃时, BaTiO3陶瓷的导电性最好,其室温电阻率从4.3×109 Ω*m下降为37.45 Ω*m,
而且随着温度升高, 交流电导逐渐增大, 导电性更强. Nd扩渗使BaTiO3陶瓷的介电常数增加,
而介电损耗降低, BaTiO3陶瓷的介电性能得到了显著改善. 经Nd扩渗BaTiO3陶瓷的介电常数随着温度的变化呈明显的PTC效应,
其居里温度降低为118.1 ℃. 经XPS测试分析, 给出了Nd扩渗BaTiO3陶瓷体系中各元素结合能位置的峰值,
并表明 Nd扩渗BaTiO3陶瓷中Nd, Ba, Ti都存在变价, 因而导致了BaTiO3陶瓷导电性的增强. 相似文献