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1.
2.
本文论述了WO_3薄膜氢离子敏器件的结构、原理、制备技术和测试分析。利用WO_3薄膜在H+溶液中由绝缘转化为导电特性,成功地研制成氢离子敏器件。这是一种简易而经济的微型pH敏器件技术。 相似文献
3.
聚合物硼氢阴离子还原剂的制备及其对酯的还原研究 总被引:3,自引:0,他引:3
氯型季我安盐型强碱性阴离子交换树脂711^#与硼氢化钾反应制得聚合物硼氢阴离子还原剂,树脂容量3.2mmol BH4/g。用于不同酯化合物的还原,操作简便,树脂可再生重复使用。 相似文献
4.
采用离子球模型,通过自洽求解Poisson方程和Dirac方程,得到氖的类氢离子低能级组态的能级能量随等离子体电子温度和电子密度的变化关系,进一步研究了等离子体电子温度和电子密度对光谱漂移的影响。结果表明:光谱漂移随着等离子体电子密度的增大而增大,随着电子温度的升高而减小;谱线精细结构分裂随着电子密度的增大而减小,随着电子温度的升高而增大。等离子体对束缚电子的屏蔽是决定光谱漂移的主要原因。这些变化规律不仅对等离子体光谱模拟结果产生影响,而且使实验上观测光谱的相对或绝对漂移成为可能,从而为高密度等离子体诊断的新方法提供了理论依据。 相似文献
5.
Field Emission from Silicon Nanocrystallite Films with Compact Alignment and Uniform Orientation 下载免费PDF全文
Patterned silicon nanocrystallite (SINC) films were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped sificon wafer by the hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method. The efficient field emission with low turn-on field of about 3.5V/μm at current density of 0.1μA/cm^2 was obtained. The emission current density from the SiNC films reached 1mA/cm^2 under a bias field of about 9.1V/μm. The experimental results demonstrate that there are great potential applications of the SiNC films for fiat panel displays. A surface treatment with hydrogen plasma was performed on the SiNC films and a significant improvement of emission properties was achieved. 相似文献
6.
此文报道了H+、H+2和H+3离子通过碳膜后,在其中产生的各种微量产物的测量结果.讨论了离子与碳膜作用中的电荷交换过程.分析了这些微量产物的形成机理.实验证明在产物的形成中电荷交换过程起关键作用.研究了离子与碳膜作用中的团簇效应和尾流效应. 相似文献
7.
研究了导H^+离子全固态电致变色器件性能退化摧在机制,发现有两个因素导致器件性能退化,在器件褪色过程中,存在于WO3薄膜中的水份将导致OH^-在WO3中积累而在其中产生碱性环境,WO3溶于碱性环境而生成钨酸盐,在较高电压作用下H2O电解释放出气体H2和O2而使膜层剥落,通过改进器件结构和改善制备工艺条件,获得了光学密度高达0.5,着色/漂白(Color/Bleach)循环次数高达10^6以上的性能 相似文献
8.
9.
10.
采用自洽场离子球模型,研究类氢氖基态1s的电离势随等离子体电子温度及电子密度的变化规律,计算得到基态电离势的百分偏移量随等离子体电子密度的变化关系,拟合结果表明两者的对数值满足很好的线性关系.该结果对计算等离子体电离态分布及光谱模拟具有一定意义. 相似文献