记忆效应之管见

记忆效应之管见王怀亮山西师大化学系０４１００４临汾一、前言记忆效应［１］（ｍｅｍｏｒｙｅｆｆｅｃｔ）是Ｊ．Ａ．Ｂｅｒｓｏｎ在１９６８年提出的，其含义是在一多步的碳正离子重排反应中，用构型上不相同的反应原料，经过首次异裂产生在结构上相同的碳正离子中间体...     

SPME-GC-MS快速分析炼油厂废水中痕量VOCs

采用固相微萃取-气相色谱-质谱联用(SPME-GC-MS)对炼油厂废水中痕量挥发性有机化合物(VOCs)进行了定性分析,简化了预处理过程,总分析时间为1h左右.对比处理前后的废水样品的MS定性结果,为废水处理工艺的评价以及有机物降解机理提供了依据.     

浮栅ROM器件辐射效应机理分析

分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理，合理地解释了实验中观察到的现象.指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因.浮栅ROM器件的中子、质子和⁶⁰Co γ辐射效应都是总剂量效应 . 关键词： FLASH ROM EEPROM 中子 质子 60Co γ')" href="#">⁶⁰Co γ 总剂量效应     

江汉平原上空QTEC变化特征的统计分析

提出了一种观测台网用多接收机性能一致性的标定方法，并利用江汉平原GPS接收台网的观测数据，分析了该地区上空QTEC的日变化、季节变化、年变化和逐年变化的统计特征．标定结果表明，不同接收机之间的仪器偏差是从双频GPS卫星信标推算QTEC的主要误差来源之一，必须校正．统计分析证实，江汉平原上空QTEC的日变化特征同时受电离层和等离子层控制，其年变化以半年周期为主，峰值和谷值分别出现在两分点和两至点附近，QTEC值的逐年变化从太阳活动峰年到低年逐年下降，与以太阳黑子数为代表的太阳活动密切相关．     

15C的中子晕结构研究

实验测量了83A MeV ^14,15C的核反应总截面(σ_R)及¹⁵C产生^14,15C和¹⁴C产生¹³C的动量分布(P_//). 分析得到了¹⁵C产生¹⁴C和¹³C的动量分布半高宽(FWHM)分别为71±9MeV/c和223±28MeV/c, 而¹⁴C产生¹³C的FWHM为195±21MeV/c. 从¹⁵C和¹⁴C产生¹³C的FWHM与Goldhaber模型的预言基本一致. 而¹⁵C产生¹⁴C的FWHM却要比该模型计算小得多. 同时观测到¹⁵C的σ_R比相邻核有反常增加. 在Glauber模型框架中, 对实验测得的P_//和σ_R进行了探讨. P_//和σ_R的分析结果同时显示¹⁵C的最后一个中主要处于s_1/2态, 具有中子晕结构.     

金属卟啉催化条件下有机化合物与CO2的电羧化反应（Ⅴ）

研究了碘化四－（４－三甲胺基苯基）卟啉钴和ＶＢ１２催化ＣＯ２与卤代丁烷的电合成，该反庆在－１．５Ｖ（ｕｓ，ＳＣＥ）即可发生，ＶＢ１２催化产物为预期的戊酸丁酯，而ＣｏＴＰＰ催化产物为ＣＯ２直接还原的草酸二丁酯，并未发现ＣＯ２与卤代烷的反应产物，初步探讨了产生不同产物的原因。     

实验验证激发能在3MeV/u的热核级联通过断点进行裂变

用相对库仑速度的最小化过程来分析热核三块大质量碎片出射的衰变过程,用它处理Ar(25MeV/u)+Au、Bi、Tb反应,对中心碰撞形成的激发能为3MeV/u热核出射的三重裂变碎片进行运动学分析,数据处理的结果显示了关联的三大质量碎片是来源于级联的二体分裂,同时质心系三裂变碎片平面的法线角分布与级联通过断点的裂变假设下的角分布相符.     

用紧耦合方法研究C4+和O6+与He原子碰撞

用双中心原子轨道紧耦合方法计算了C4+-He以及O6+-He碰撞的单俘获总截面,入射离子的能量范围为10～100keV/amu,所得计算结果在实验误差范围内与实验值很好符合.对满壳层入射离子,研究了单俘获截面随入射离子电荷态的变化,并讨论了原子轨道展开波函数数目对计算结果的影响.p