直接置换法制备包覆型纳米铜-银双金属粉末

 以AgNO₃为主盐，采用直接置换法初步制备了包覆型纳米铜-银双金属粉末，分析了工艺条件对包覆效果的影响，并用透射电子显微镜、X射线能量色散谱仪和X射线衍射仪进行了表征。实验结果表明：纳米铜-银双金属粉末为包覆型结构，平均粒径约70 nm，分散性较好，表面银的原子分数达到74.28%。在洗涤过程中加入一定量的保护剂，有效解决了纳米铜粉的氧化问题。     

极化子导电到能带导电的转变

采用交流法测量大功率商用钛酸钡(BT)陶瓷加热器的电阻和加热功率随温度的变化关系.结果显示,BT陶瓷的电导特性在80℃附近出现了明显的转变,从低温时的极化子跳跃导电转变为高温时的能带导电,此时,电阻出现极小值,而加热功率出现极大值.     

基片温度和退火对DdIn2O4薄膜光学性质和载流子浓度的影响

对射频反应性溅射Cd-In合金靶制备的透明导电CdIn2O4薄膜，研究了基片温度及沉积后在氩气流中退火对薄膜的透射、反射和吸收光谱，光学常数和载流子浓度的影响。结果表明：提高基片温度减少了薄膜的载流子浓度，退火增加了薄膜的载流子浓度。随着基片温度提高，薄膜折射率n和消光系数κ的短波峰将逐渐蓝移，而退火使其出现红移。基片温度和退火对薄膜光学常数的影响与其对薄膜载流子浓度的影响是一致的。在制备CdIn2O4这样一种对于沉积方法和沉积条件极为敏感的透明导电薄膜的沉积过程中，这一现象对于实时监控具有极为重要的意义。     

纳米Zr-V-O粉末的XRD及TG-DSC研究

利用机械合金化制备纳米Zr-V粉末，对制备过程的材料进行物相分析和热分析试验。初始粉末Zr（150μm）和V（150μm）元素粉末（纯度99．15％）按原子比1：2或1：1进行混合后在氩气气氛中放入SimoloyerCMol—2球磨仓中，按几种不同的试验条件进行球磨。同时在997K和1047K下热处理40min和1h，并对热处理前后的粉末进行了物相和TG-DSC实验分析。     

磁拱的运动学无力场

本文首先推导了完全导电流体内运动学磁拱无力场的基本方程，接着考虑了静态解和不定常相似性解．     

第一讲中子散射与散裂中子源

中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域.     

p型导电掺In的SnO_2薄膜的制备及表征

采用溶胶 凝胶提拉法成功地制备了p型导电掺In的SnO2 薄膜 .x射线衍射测试结果表明 ,掺In的SnO2 薄膜保持SnO2 的金红石结构 .吸收谱测试结果表明 ,掺In的SnO2 禁带宽度为 3 8eV .霍尔测量结果表明 ,空穴浓度与热处理温度有很大的关系 ,5 2 5℃为最佳热处理的温度 .铟锡原子比在 0 0 5— 0 2 0范围内 ,空穴的浓度与In的含量有直接的关系 ,并随In含量的增加而增加     

热处理条件对双粉工艺中Bi—2212粉末的相组成影响

实验研究了Bi-2212粉末在空气，8％O2和纯O2种处理的相组成特征，指出通过改变热处理温度和气氛可控制前驱粉中对2223成相影响较大的(Bi，Pb)-2212相，Ca2PbO4相，2201相和14：24AEC等相。     

QIC-160等静压机自动控制系统的设计与实现

QIC-160等静压机是20世纪80年代初引进的国外成套大型设备，主要用于粉末成型产品的压制。设备最高工作压力达200MPa，温度可达120℃。设备从引进到现在已经20多年了，电器元件也已老化，鉴于该设备现在液压系统及主体运行还基本正常，故对原设备控制系统进行了设计更新。     

液晶显示器用导电粉的扫描电镜图像

液晶显示器用导电粉的形状、尺寸及偏差对于液晶显示屏的质量控制来说是非常重要的。论述了液晶显示器(LCD)用导电粉的作用和性能要求。给出了液晶显示器用导电粉的扫描电镜图像。该图像对观测导电粉的粒径分布、导电粉在导电点中的浓度和分析导电点缺陷、提高液晶显示器的产品质量具有一定的意义。