等离子体噻吩聚合膜的研究及I+注入的掺杂效应

以噻吩为单体,在等离子体环境中聚合成致密的有机膜。利用Rutherford背散射(RB2S)和质子弹性反冲(ERD)、傅里叶红外谱(FTIR)测定了膜的成分和结构;从近红外-可见-紫外光的反射和透射谱,运用传递矩阵方法研究了膜的光学性质;此外,还探讨了24keV的I⁺离子束的注入对等离子体噻吩聚合膜的掺杂效应。结果表明,注入层内电荷载流子的输运机理可用Mott的可变自由程跳跃(VRH)理论给以解释。 关键词：     

新型噻吩基取代卟啉的合成及其荧光光谱研究

合成了两种新型噻吩基卟啉－5，15－二（2－噻吩基）－2，8，12，18－四乙基－3，7，13，17－四甲基卟啉7a（45．1％）和5，15－二（2－联噻吩基）－2，8，12，18－四乙基－3，7，13，17－四甲基卟啉7b(61.2%),并研究了它们的光谱性质，其中荧光光谱的最大发射峰蜂都在631nm处，量子产率分别为4．1％（7a)和1．4％（7b)。     

A Rapid Solid-phase Synthesis to Soluble Oligothiophene Molecular Wires

A novel method for the preparation of oligothiophene molecular wires is described via a bi-directional solid-phase synthesis. Using an alternating sequence of bromination and Stille coupling reactions, oligomers were obtained up to the heptamer in excellent yield and purity.     

二取双恶唑啉衍生物的合成及其在不对称环丙烷化反应中的应用

通过双亚氨酸盐酸盐与手性胺醇反应简便地合成了二取代双恶唑啉衍生物, 并将其与铜配位运用于重氮醋酸酯对烯烃的不对称环丙化反应, 不对称诱导反应光学产物收率最高达95%d.e.     

2-[（4'-N，N-二甲胺基）苯乙烯基]-5-二米基硼-噻吩的合成-结构与光物理性质

合成了以含硼（III）基团为电子受体，以二甲胺基为电子给体，以苯乙烯基 噻吩为共轭桥的新化合物2-[（4'-N，N-二甲胺基）苯乙烯基]-5-二米基硼-噻吩 trans-2-[(4'-N, N-dimethylamino) styryl]-5-dimesitylboryl-thiophene（简 写为DMASBT，5）。X射线衍射方法测定其单晶结构表明，硼原子与π共轭桥之间的 硼碳键相对于其它的硼碳键明显缩短，硼与π共轭桥之间存在除了σ键之外的p-π 共轭作用。研究了它在不同溶剂中的光物理性质，发现它具有突出的溶致变色效应 。在极性较大的溶剂中，有较高的荧光量子产率和较长的荧光寿命。激光实验发现 ，DMASBT在近红外波段（750～850 nm）有较强的非线性吸收，用波长为800 nm的 红色飞秒激光激发时，DMASBT在四氢呋喃中发现波长为559 nm的强的绿色上转换荧 光。     

杂氮硅三环成环反应的研究

本文报导了与硅原子直接相连的有机基团(R)对杂氮硅三环成环速率的影响。利用气相色谱检测成环反应的产物之一——乙醇的生成速率和数量,并同与硅相连的R基团对成环反应速率的影响作比较。实验结果表明五种杂氮硅三环成环速度顺序为Cl_2CH—>ClCH_2—>ClCH_2CH_2CH_2—>CH_2=CH—>CH_3—,这与理论推断相符。     

聚（3—丁基噻吩）电导的热稳定性

研究了导电聚合物聚（３－丁基噻吩）（ＰＢＴ）在大气环境下的导电热稳定性。在室温至２２０℃范围内，测试电导率随时间及温度的变化。ＴＧＡ分析以及化学分析的结果表明：掺杂态的ＰＢＴ大约在１４０℃附近有一转化温度，低于或高于这一转化温度，电导率下降的决定因素各不相同。高于转化温度时，电导率下降的主要原因是反离子和高分子主链的解离，进而发生化学反应，影响了高分子主链的结构。ＸＰＳ测试结果表明：经热处理后的Ｐ