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1.
2.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
3.
利用固定化微生物技术强化降解TATB工业废水 总被引:1,自引:0,他引:1
综述九十年代以来固定化微生物技术用于难降解有机废水治理中的最新研究进展,提出了利用该技术强化降解TATB工业废水的新途径。 相似文献
4.
5.
WeiMingXU LuLingWU XianHUANG 《中国化学快报》2004,15(11):1279-1280
A mild, regioselective 1, 3-dipolar cycloaddition protocol for the preparation ofphenylselenomethyl isoxazolines through substituted allyl phenyl selenides and nitrile oxides wasreported. 相似文献
6.
Paul阱内的压缩效应与量子跃迁 总被引:1,自引:1,他引:0
处理一个一维Paul阱系统中的压缩现象与量子跃迁现象,对于阱内的最强压缩态和共振跃迁(一种极不稳定状态)之间的关系作了阐述,并对利用压缩性质在阱内进行精密测量的可能性作了讨论 相似文献
7.
本文报道在四氢吠喃中通过金属锡促进Q_澳代酷与二硒醚反应生成a一硒代酷,反应条件温和,产率良好. 相似文献
8.
9.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 总被引:2,自引:2,他引:0
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。 相似文献
10.
含铒碲酸盐玻璃的上转换荧光性质研究 总被引:1,自引:0,他引:1
在室温下,用804nm波长的半导体激光器作激发源,在TeO_2-PbO基掺铒碲酸盐玻璃中实现了中心波长分别为525nm,550nm和660nm的上转换发射.荧光强度与激发功率呈非线性关系.估测了PbO含量对上转换荧光相对强度的影响. 相似文献