压电陶瓷及其应用

论述了压电陶瓷历电性的物理机理，并介绍压电陶瓷的应用．     

玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光

系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系.     

纳米级精度分光路双频干涉度量系统的设计

为完成快速、精确的外观轮廓度量,设计了一种新型纳米级精度分光路双频干涉度量系统。系统由低频差双频激光干涉度量模块和微探头及二维工作台两部分组成。微探针以轻敲式接近样品至几十纳米时,受原子力作用发生偏转,利用双频干涉模块度量其纵向偏转量,并对样品进行梳状式度量得到外观形貌。根据双频激光的实际光源,对原有双频干涉度量理论进行了改进提高。进行了系统组建和实验验证。结果表明:系统具有纳米级精度,可用于超精样品外观轮廓度量。     

稀掺杂GaNxAs1－x(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究

利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaN_xAs_1-x薄膜，并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN_0.005As_0.995和GaN_0.01As_0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E₁+Δ₁+Δ_N.当N掺杂浓度达到 关键词： 压电调制反射光谱(PzR) xAs_1-x薄膜')" href="#">GaN_xAs_1-x薄膜 分子束外延(MBE)     

电场喷射活细胞

一般人使用喷墨打印机来打印文件和图片＋这种技术将细小的彩色墨滴从喷嘴中挤压出来．然而，在电子学和医学中正越来越多地用这种技术产生小体积的液滴．例如，使用压电晶体从一根针头中挤压出含有细胞的溶液，产生活细胞的二维和三维图像．但是细胞液滴的大小受到针头直径大小的限制＋因而这种方法不能产生小于100μm同左右的液滴．这意味着很难制成带有细微特征的小的生物组织．     

Ce, Y-TZP陶瓷的内耗峰和介电损耗峰机制

测量了淬火前后8Ce, 0.5Y-TZP陶瓷(稳定剂Y2O3的摩尔分数为0.50%)在室温到250℃温度范围内的内耗行为,并对出现的内耗峰机理进行了研究,发现淬火前后的样品在100℃左右均出现的内耗峰与YZr‘V偶极子的再取向有关,而淬火后样品出现的高温内耗峰起源于马氏体相变.此外,本文还研究了8Ce, 0.5Y-TZP和8Ce, 0.75Y-TZP陶瓷在室温到400℃温度范围内的介电损耗,计算了介电驰豫的激活能,结果表明与内耗试验中机械驰豫的激活能一致.     

浅谈先进陶瓷

中国陶瓷有着漫长的发展历史,中国最早的陶器可追溯到9000年前,而瓷器也早在4000年前就已出现。如今陶瓷制品广泛应用于社会生活、科学技术的方方面面。所谓陶瓷,从广义上讲,指除有机和金属材料之外的所有其他材料,即无机非金属材料;从狭义上讲,陶瓷材料主要指多晶的无机非金属     

掺钕钆镓石榴石激光陶瓷粉体的研究

优质的纳米前驱体是生成良好透明陶瓷的关键。采用Sol-gel法制得颗粒均匀、粒度小、无团聚、分散性好的Nd:GGG激光陶瓷前驱粉体。对透明陶瓷前驱体进行测试XRD分析,与标准JCPDS卡片对比表明样品属于立方晶系,空间群Ia3d,晶格常数为:A=123.7nm。粉体的最佳烧成温度为1000℃,煅烧时间8h。SEM观察发现,样品纯度高、单分散、颗粒均匀且近似球形,符合制备透明陶瓷的粉体要求。     

压电陶瓷压电特性的激光调制法测量研究

介绍可测量压电陶瓷压电特性的激光干涉调制测量方法.采用相干检测原理对信号进行提取,不仅可以抑制噪声对干涉信号的影响,而且还可以大大降低光电探测器和电路的1/f噪声.与通常干涉仪测量方法相比,这种方法具有测量灵敏度高等优点.利用该方法对压电陶瓷压电特性进行了测量,讨论了激励电压信号的频率、幅度对压电陶瓷压电常数d₃₁的影响,并对其压电迟滞曲线进行了测量.