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4.
Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films 总被引:1,自引:0,他引:1
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ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films. 相似文献
5.
Specific Angular Momentum Distribution of Disc Galaxies Formed in Preheated Intergalactic Media
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LUOZhi-Jian FULi-Ping SHUCheng-Gang 《中国物理快报》2004,21(7):1409-1412
Assuming that baryons within a galactic halo have the same specific angular momentum as the dark matter where they locate initially and a disc forms due to the gas cooling and condensation with the conservation of angular momentum, we investigate the angular momentum distribution in a resulting galactic disc under the new preheated galaxy formation model suggested by Mo and Mao (Mon. Not. R. Astron. Soc. 333 (2002) 768).Compared with the observational results, it can be concluded that the preheated galaxy formation model can match current observations. This model can be a good approach to solve the problems of both the angular momentum catastrophe and the mismatch of angularomomentum profiles in current disc galaxy formation models. 相似文献
6.
7.
A layer of 40nm-thick Ag-SiN film with Ag nano-particles embedded and distributed randomly in the SiN thin film were deposited by the method of radiant-frequency magnetron sputtering. Specimens orderly comprising a random Ag-SiN film and an optical phase change recording layer were exposed to a focused laser beam with wavelength of 69Ohm. It is shown that, with a random Ag-SiN layer deposited above the recording layer. Calculation by the finite difference time domain method of a 4Ohm-thick SiN film under a Gaussian beam irradiation has been carried out to simulate the near-field distribution in the film, which showed a huge local near-field intensity enhancement of about 200 times if small Ag particles with diameter of 6 nm were modelled inthe SiN film in the central region of the in cident laser spot. 相似文献
8.
利用原位红外技术研究了CH3OH,CO,O2等在5%Ag/γAl2O3上的吸附情况及CH3OH和O2共吸附时表面物种的变化.结果表明,在表面纯净的Ag/γAl2O3催化剂上,甲醇的解离吸附仅发生在γAl2O3上;表面预吸附氧后,可大大增强Ag对CH3OH的解离吸附,当吸附的[CH3O]与[O]在Ag/γAl2O3上相互作用时,出现吸附态甲醛、甲二氧基、甲酸根等中间物种.O2在Ag/γAl2O3上存在非解离吸附(O-2),在真空中较易脱附,但在氧气氛下可于100℃时稳定存在. 相似文献
9.
用硼氢化钠作还原剂,制备出两种相对稳定的含银纳米颗粒的水溶胶,用透射电镜(TEM)和光学吸收谱对这些颗粒进行了表征.当被还原的银离子较少时,所形成的银纳米颗粒较小,吸收峰呈现二极等离子体共振吸收峰.当被还原的银离子较多时,银纳米颗粒尺寸变大,并出现二极和四极共振吸收峰.在Ag纳米颗粒形成后,对其溶液稀释,发现其峰形保持不变,而峰位会出现红移,最大红移量可达到10 nm.透射电镜研究表明,低浓度溶胶中的Ag纳米颗粒尺寸较为均匀,平均直径12 nm.高浓度溶胶中的纳米颗粒尺寸呈双尺寸分布特点,少量颗粒直径小于14 nm,大部分颗粒直径大于20 nm. 相似文献
10.
在前文研究的基础上,经试验,证明Ag(Ⅰ)与巯萘剂(TN)反应生成非电活性物质,导致电活性物质DTN电流降低。在最佳条件下,Ag(Ⅰ)浓度在3.7×10~(-8)~4.5×10(-7)mol/L范围内与DTN电流峰高降低值成线性关系,检出限为2.2×10~(-8)mol/L(相当于2.4ng/ml)Ag(Ⅰ)。方法用于纯镍和氢氧化钾中痕最银的测定,结果满意。 相似文献