全文获取类型
收费全文 | 4110篇 |
免费 | 1791篇 |
国内免费 | 1548篇 |
专业分类
化学 | 2172篇 |
晶体学 | 208篇 |
力学 | 380篇 |
综合类 | 160篇 |
数学 | 684篇 |
物理学 | 3845篇 |
出版年
2024年 | 37篇 |
2023年 | 106篇 |
2022年 | 169篇 |
2021年 | 161篇 |
2020年 | 116篇 |
2019年 | 132篇 |
2018年 | 78篇 |
2017年 | 128篇 |
2016年 | 152篇 |
2015年 | 172篇 |
2014年 | 432篇 |
2013年 | 300篇 |
2012年 | 288篇 |
2011年 | 353篇 |
2010年 | 345篇 |
2009年 | 359篇 |
2008年 | 426篇 |
2007年 | 284篇 |
2006年 | 333篇 |
2005年 | 333篇 |
2004年 | 337篇 |
2003年 | 326篇 |
2002年 | 325篇 |
2001年 | 255篇 |
2000年 | 199篇 |
1999年 | 157篇 |
1998年 | 141篇 |
1997年 | 189篇 |
1996年 | 145篇 |
1995年 | 137篇 |
1994年 | 109篇 |
1993年 | 80篇 |
1992年 | 93篇 |
1991年 | 80篇 |
1990年 | 69篇 |
1989年 | 75篇 |
1988年 | 11篇 |
1987年 | 9篇 |
1986年 | 1篇 |
1985年 | 4篇 |
1984年 | 1篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 1篇 |
排序方式: 共有7449条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
随着经济的飞速发展,社会对能源的需求日益扩大,对工业废水的无害化处理也提出了更高的要求。光催化燃料电池 (photocatalytic fuel cell, PFC) 在燃料电池中引入半导体光催化材料作为电极,实现了有机污染物高效降解和同步对外产电的双重功能,在废水无害化与资源化利用方面具有潜在的应用价值。半导体光催化电极是PFC系统高效运行的核心组件,增强其可见光响应和光生载流子分离是提高PFC性能的关键策略。反应器结构设计和运行参数优化也有利于改善PFC性能。本文从PFC基本原理和应用入手,综述了PFC在环境污染物资源化处理中的研究进展,并详细阐述了提高PFC的污染控制性能和产电效率的优化手段,为进一步设计高效稳定的PFC系统并实现其在水污染控制和清洁能源生产中的应用提供理论指导。 相似文献
2.
在1100℃制备了钙钛矿型非计量系列物Sr_(1-x)Bi_xFeO_(3-y),与文献相比,明显具有温度低、时间短、能耗少的特点。用化学分析方法测得其化学式及Fe离子的平均价态,用XRD、交流阻抗、IR、Mossbauer谱等方法研究了其结构与性质,该类化合物具有Pm3m对称性和半导体性质,铁离子会产生电荷歧化现象。 相似文献
3.
本文利用光电子能谱(XPS和UPS)技术研究了室温下O2和Rb在InSb(111)表面上共吸附,分析了碱金属Rb在InSb(111)表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明,Rb与InSb表面上的Sb发生化学反应,Rb在InSb表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率,衬底表面上的In和Sb被氧化,分别生成锑和铟的氧化物。在O2吸附的过程中,还观察到两种Rb的氧化物,即过氧化铷(Rb2O2 相似文献
4.
5.
在长距离无线光通信中,接收点光功率密度与光束发散角平方呈反比关系,为了获得小的发散角和大的功率耦合效率,要求准直系统有较大的数值孔径(NA),但数值孔径过大会增加像差,因此合理设计功率耦合效率与准直系统的数值孔径就非常重要。该文对半导体激光器光束准直系统中功率耦合效率进行了研究,给出了半导体激光器光束功率耦合效率与k(孔径半径与孔径处等效光束半径之比)的关系表达式,并结合激光器光束准直系统,给出了半导体激光器光束功率耦合效率与准直系统数值孔径的关系表达式。该研究结论对于半导体激光器光束准直系统设计具有参考作用。 相似文献
6.
21世纪最具潜力的新型带隙材料——声子晶体 总被引:1,自引:0,他引:1
半导体发展中遇到的极大障碍,使许多研究人员开始研究光子晶体。然而,声子晶体比光子晶体具有更丰富的物理内涵,它是一种新型声学功能带隙材料。研究声子晶体的重要意义在于其广阔的应用前景,而且在研究过程中,还可能发现新现象和新规律,进而促进物理学的发展。一、什么是声子晶体声子晶体的概念诞生于20世纪90年代,是仿照光子晶体的概念而命名的。我们都知道,具有光子禁带的周期性电介质结构功能材料称为光子晶体,光子能量落在光子禁带中的光波将被禁止,不能在光子晶体中传播。通过对光子晶体周期结构及其缺陷进行设计,可以人为地调控光子… 相似文献
7.
8.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
9.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
10.
Effect of Ag Doping on Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films. 相似文献