首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   138篇
  免费   14篇
  国内免费   29篇
化学   72篇
晶体学   1篇
力学   18篇
综合类   3篇
数学   25篇
物理学   62篇
  2024年   1篇
  2023年   1篇
  2022年   3篇
  2021年   2篇
  2020年   1篇
  2019年   4篇
  2017年   3篇
  2016年   2篇
  2015年   3篇
  2014年   18篇
  2013年   18篇
  2012年   16篇
  2011年   21篇
  2010年   12篇
  2009年   13篇
  2008年   11篇
  2007年   6篇
  2006年   6篇
  2005年   3篇
  2004年   5篇
  2003年   1篇
  2002年   4篇
  2001年   2篇
  2000年   3篇
  1999年   2篇
  1997年   1篇
  1996年   1篇
  1995年   2篇
  1994年   2篇
  1993年   5篇
  1992年   3篇
  1991年   4篇
  1989年   2篇
排序方式: 共有181条查询结果,搜索用时 312 毫秒
1.
分子筛经活化后用复合薄膜包装袋封装存放一定时间后使用,由于水汽缓慢渗透和包装袋微量泄漏的存在,可能使分子筛吸湿,从而直接影响其使用效果和有效期,因此试验研究分子筛产品包装贮存前后吸附性能的变化,以验证理论计算结果,并为分子筛应用提供重要的试验依据。  相似文献   
2.
3.
不久前,美国开发出一种全新的食品保质检测装置,该装置由传感器与传感器与扫描器构成。据悉,传感器的主要材料是铅,包装食品时,将它置于食品匣内。检测时,扫描器对食品发射的无线电波信号会使食品产生振动,同时发出乐谱波。乐谱波先反射到食品盒壁上,后传导给传感器,通过标准数据库标定振动程度、振动传导时间及乐谱波的传导速度,瞬间即可确定所检测食品发生变质的时间。  相似文献   
4.
《发光学报》2013,(6):786
2010年3月25日,《发光学报》接到EI中国信息部通知:从2010年第1期起正式被《EI》(《工程索引》)收录为刊源。EI作为世界领先的应用科学和工程学在线信息服务提供者,是全世界最早的工程文摘来源,一直  相似文献   
5.
前言     
<正>第七届全国配位化学会议于2013年7月28日至31日在北京大学召开.本次会议由中国化学会和国家自然科学基金委化学科学部主办,由北京大学化学与分子工程学院、北京分子科学国家实验室(筹)和北京大学稀土材料化学及应用国家重点实验室联合承办.来自我国大陆和香港、台湾、澳门地区,以及美国、加拿大、英国、韩国、瑞典、新加坡、日本等国家的1400多名同行共聚北大,交流最新的研究心得和成果,共同谋划配  相似文献   
6.
《理化检验-化学分册》杂志创刊于1963年,系上海材料研究所与机械工程学会理化检验分会联合主办的技术类刊物。主要报道材料的化学分析与仪器分析专业领域中的新方法、新技术、新设备以及国内外的研究方向。面向生产、注  相似文献   
7.
8.
拜读了王先进老师的文章《例谈选择题的命制》,不禁有感而发:命制一份合格的试卷,除了知识点的覆盖,题目的坡度、难度以及题目的处置等之外,题目的来源和新颖也是命题者必须考虑的因素.直接搬用现有的题目,在一定的情况下会有损试卷的信用度,公平公正就打折扣.如何组织题目,这就涉及到对题目的技术处理.本文试以案例的形式,浅谈解答题命制的几种方法.  相似文献   
9.
《化学分析计量》2010,(5):82-82
检验检疫部门提醒危险化学品出口企业,危险化学品灌装环境不清洁与灌装操作不规范容易引起运输包装的污染,建议企业严格按照《出口危险货物包装检验规程使用鉴定》操作,把危险化学品灌装过程分为多个工序(如分为初步灌装与后灌装两道工序),避免灌装环境对包装容器引起的直接污染与间接污染,规范灌装各工序实际操作,避免因操作不良引起包装容器污染而造成安全隐患,  相似文献   
10.
The evaluation of thermal resistance constitution for packaged A1GaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) by structure function method is proposed in this paper. The evaluation is based on the transient heating measurement of the A1GaN/GaN HEMT by pulsed electrical temperature sensitive parameter method. The extracted chip-level and package-level thermal resistances of the packaged multi-finger A1GaN/GaN HEMT with 400μm SiC substrate are 22.5 K/W and 7.2 K/W respectively, which provides a non-invasive method to evaluate the chip-level thermal resistance of packaged A1GaN/GaN HEMTs. It is also experimentally proved that the extraction of the chip- level thermal resistance by this proposed method is not influenced by package form of the tested device and temperature boundary condition of measurement stage.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号