全文获取类型
收费全文 | 4542篇 |
免费 | 553篇 |
国内免费 | 861篇 |
专业分类
化学 | 1682篇 |
晶体学 | 18篇 |
力学 | 463篇 |
综合类 | 136篇 |
数学 | 1949篇 |
物理学 | 1708篇 |
出版年
2024年 | 46篇 |
2023年 | 186篇 |
2022年 | 173篇 |
2021年 | 151篇 |
2020年 | 108篇 |
2019年 | 122篇 |
2018年 | 72篇 |
2017年 | 117篇 |
2016年 | 159篇 |
2015年 | 208篇 |
2014年 | 285篇 |
2013年 | 196篇 |
2012年 | 322篇 |
2011年 | 361篇 |
2010年 | 223篇 |
2009年 | 215篇 |
2008年 | 301篇 |
2007年 | 225篇 |
2006年 | 203篇 |
2005年 | 212篇 |
2004年 | 195篇 |
2003年 | 227篇 |
2002年 | 188篇 |
2001年 | 192篇 |
2000年 | 163篇 |
1999年 | 94篇 |
1998年 | 113篇 |
1997年 | 107篇 |
1996年 | 105篇 |
1995年 | 78篇 |
1994年 | 73篇 |
1993年 | 89篇 |
1992年 | 106篇 |
1991年 | 70篇 |
1990年 | 96篇 |
1989年 | 80篇 |
1988年 | 28篇 |
1987年 | 19篇 |
1986年 | 12篇 |
1985年 | 16篇 |
1984年 | 7篇 |
1983年 | 6篇 |
1982年 | 6篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有5956条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
《数理统计与管理》2015,(4):696-706
学术界关注技术进步和技能劳动的作用关系,却忽视不同类型技术对技能劳动的非对称性影响。本文考察技能需求和技能溢价波动性并利用SVAR模型的脉冲响应函数分析其对技术进步冲击的反应。结果发现,不同类型技术进步冲击效应呈非对称性和正负交替特征,其中中性技术进步冲击引发的响应为负而资本体现式技术进步冲击响应为正,其整体效果取决于资本体现式和中性技术进步冲击力度的相对强弱对比,通常资本体现式技术进步对技能需求和技能溢价的作用强度更高但三者变化却同步。表明我国技能溢价扩大和技能需求增长主要由资本体现式技术进步引发,即与投资相融合的技术进步发展诱致技能需求增长和技能溢价。 相似文献
3.
非线性互补问题的一种全局收敛的显式光滑Newton方法 总被引:2,自引:0,他引:2
本针对Po函数非线性互补问题,给出了一种显式光滑Newton方法,该方法将光滑参数μ进行显式迭代而不依赖于Newton方向的搜索过程,并在适当的假设条件下,证明了算法的全局收敛性。 相似文献
4.
5.
6.
四气门发动机可变涡流稀薄燃烧特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了可变涡流对四气门发动机稀薄燃烧特性的影响情况。在稀薄燃烧情况下,发动机负荷大小对CO和HC排放的影响不大,对NOx排放的影响主要表现在对13~17空燃比范围内NOx排放的影响,负荷越大,NOx排放越大;对空燃比小于13或大于17以后的NOx排放影响较小。阀片位置对发动机排放特性的影响较小,对发动机的燃油经济性存在一定影响,这是因为不同阀片位置的进气涡流比不同所致,同时也表明较强的涡流运动对燃油经济性更有利。涡流运动在不同转速条件下对发动机燃油经济性的影响情况不同,它更有利于改善低速条件下的燃油经济性。 相似文献
7.
解析式是中学数学的重要内容之一,也是研究函数、方程、不等式的基础,数学的其它各分支学科均离不开解析式的恒等变换.因此,熟练地掌握一些解析式的变形规律是学好代数及相关学科的前提.本文主要讨论如何利用齐次化与非齐次化的思想,解决一些竞赛中的不等式问题.定义1设xi≥0(i 相似文献
8.
9.
使用SAC/SAC-CI方法,利用D95(d),6-311g**以及cc-PVTZ等基组,对B2分子的基态(X3Σg-)和第一激发态(A3Σu-)的平衡结构和谐振频率进行了优化计算.通过对3个基组的计算结果的比较,得出了D95(d)基组为3个基组中的最优基组的结论;使用D95(d)基组,利用SAC的GSUM(Group Sum of Operators)方法对基态(X3Σg-),SAC-CI的GSUM方法对激发态(A3Σu-)进行单点能扫描计算,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie函数,得到了相应电子态的完整势能函数;从得到的势能函数计算了与基态(X3Σg-)和第一激发态(A3Σu-)相对应的光谱常数(Be,αe,ωe和ωeχe),结果与实验数据吻合. 相似文献
10.
CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K. 相似文献