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1.
2.
传统合成氨工艺存在能耗高、污染严重的问题. 因此, 高效、低能耗绿色合成氨工艺的开发迫在眉睫. 光电化学以H2O和N2为原料, 可以在太阳光驱动下, 在常温常压条件下实现氨的合成, 因而受到广泛重视. 但总的来说, 效率和产率都达不到实际要求. 新型高效催化剂及工艺的开发是提高合成氨产率及效率的关键. 非贵金属催化剂具备成本低、来源广泛、可操作性强的优势, 有利于光电化学合成氨的产业化. 本实验采用溶胶凝胶结合原位热裂解的方法制备了分散性好、结构均匀的BiOCl-Fe2O3@TiO2复合材料, 对其物相、微观结构、表面状态、光学性能、电学性能等方面进行了系统表征, 并探究了该材料在常温常压下光电化学合成氨的催化活性. 结果表明, 同纯介孔TiO2相比, BiOCl-Fe2O3@TiO2的吸收带隙变窄, 可见光吸收能力增强, 光生载流子的利用率增加, 光电合成氨的产率提升了7倍, 且BiOCl-Fe2O3@TiO2显示了优异的化学稳定性. 本研究工作为绿色合成氨催化材料及工艺设计提供了新思路. 相似文献
3.
基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考.
关键词:
单轴应力硅
k·p法')" href="#">k·p法
价带结构 相似文献
4.
Calculations have been carried out on spin-polarized Auger electron emission from a seven-layer chromium (lO0)-film. The core and valence states concerning the Auger transition are obtained from a self-consistent full-potential linearized augmented plane wave calculation by using a repeated slab geometry. The calculations refer to experiments on the L3M23 V- and L3 VV-transRions that have recently been carried out by Heinzmann et al. The Auger spectrum obtained for the L3VV transition agrees relatively well with our calculations, whereas the observed L3M23V-Auger structure is considerably wider than that predicted by our theory. Nevertheless, the spin-polarization in the latter case, which is about -13%, is in fair agreement with the experiment, different from the L3VV-transition where the experiment yields -10% as opposed to the theoretical value of -25%. We give possible reasons for the origin of these discrepancies. 相似文献
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6.
采用LMTO能带方法,对两种不同应变状态下(自由形变和以InP为衬底),应变层超晶格(InAs)1(InP)1(001)和与应变层超晶格的分子层相对应的应变体材料,以及无应变的体材料进行了第一原理计算,并采用冻结势方法求出了两种超晶格各分子层的平均键能。结果表明,能存在应变的情况下,异质界面两边的平均键能非常一致,且这种一致性受应变状态的影响很小,因而可以把它用来作为确定应变层超晶格价带边不连续值(△Ev)的普遍适用的参考能级。研究了应变对
关键词: 相似文献
7.
Effects of Magnetic Field on the Valence Bond Property of the Double—Quantum—Dot Molecule 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
The effects of the magnetic field on the valence bond property of the double-quantum-dot molecule are numerically studied by the finite element method and perturbation approach because of the absence of cylindrical symmetry in the horizontally coupled dots.The calculation results show that the energy value of the ground state changes differently from that of the first excited state with increasing magnetic field strength,and they cross under a certain magnetic field.The increasing magnetic field makes the covalent bond state change into an ionic bond state,which agrees qualitatively with experimental results and and makes ionic bond states remain.The oscillator strength of transition between covalent bond states decreases distinctly with the increasing magnetic field strength,when the molecule is irradiated by polarized light.Such a phenomenon is possibly useful for actual applications. 相似文献
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10.
在利用k·p微扰理论获得应变Ge/Si1-xGex价带E(k)-k关系的基础上,研究得到了(001),(101),(111)面应变Ge/Si1-xGex沿不同晶向及各向同性的价带空穴有效质量.结果显示,应变Ge/Si1-xGex沿各晶向的带边有效质量随应力增大而减小,且沿[010]晶向最小;子带空穴有效质量在应力较大时变化不明显,并且在数值上与带边空穴有效质量相差不大.最后利用各向同性有效质量与文献结果进行比对,验证了结果的正确性. 相似文献