两种拔尿管方法对膀胱功能损伤的临床观察

为观察两种不同的拔尿管方法对膀胱功能损伤的差异,将80例患者随机分成两组,分别采用改良法(40例)和常规法(40例)拔除留置尿管,分析比较了两组患者排尿顺利率、逼尿肌功能恢复率及尿道刺激症、尿失禁、尿潴留。结果表明,两组患者拔管后上述指标与情况有显著性差异,P<0.05。提示改良组膀胱功能损伤明显低于对照组。改良的拔管方法是一种值得护理推广应用的好方法。     

Deposition of Hydrogen-Free Silicon Nitride Thin Films by Microwave ECR plasma Enhanced Magnetron Sputtering at Room Temperature

Hydrogen-free silicon nitride （SiNx） films were deposited at room temperature by microwave electron cyclotron resonance （MW-ECR） plasma enhanced unbalance magnetron sputtering system. Both Fourier-transform infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy are used to study the bonding type and the change of bonding structures of the silicon nitride films. The results indicate that the chemical structure and composition of SiNx films deposited by this technique depend strongly on the N2 flow rates, the stoichiometric SiNx film, which has the highest hardness of 22.9 GPa, could be obtained at lower N2 flow rate of 4 sccm.     

用毛细管测量纯水表面张力系数的误差讨论

通过用毛细管测量纯水表面张力系数实验，得到管内径d与接触角θ的相对误差之间的关系曲线，由此说明实验测得的表面张力系数α和理论公式相比呈现一定的偏差，并简单地讨论了实验的理想状态与实际情况的差别．     

用于强磁场的快响应真空规的研制进展

研制了能在强磁场、强干扰环境下工作的快响应真空电离规(快规),用于对HL 2A装置偏滤器室和等离子体附近的中性粒子密度和通量进行原位测量。介绍了快规的结构、工作原理、设计要点以及实验结果。在无磁场的情况下,快规对气体压强的测量范围为6.4×10-6～0.15Pa,在1×10-5～0.15Pa范围内,快规收集极离子流与发射电子流之比与气压保持良好线性关系;在0 15T的磁场下,快规的规管常数未发生显著变化,在规管对称轴与磁力线的夹角小于15o时,规管常数的变化小于10%。     

像管亮度增益与背景测试仪

论述像管亮度增益与背景测试仪的原理，介绍仪器的组成以及测试数据的处理方法。     

行波管内不连续性的简易模型分析

 根据行波管内微波信号在输能装置和切断衰减器处两个不连续性之间来回反射的物理现象，建立行波管输出段的简易网络串模型，并对行波管输出段传输特性参数的幅频特性、相频特性进行计算分析。结果表明：输能装置和切断衰减器的不连续性是造成幅相一致性行波管相位不可补偿的重要因素之一。     

脉冲管制冷机机理研究新进展

脉冲管制冷机是近年来空间微型机械式制冷机研究的前沿课题，作者通过精确的实验测量和分析，首次发现了双向进气型脉中管制冷机存在直流分量，该直流分量是脉冲管制冷机的一种损失，并指出多种旁能流程可以减小直汉损失，提高脉冲和制冷机的制冷性能。     

花丝内插物强化竖直管内凝结换热的实验研究

1前言大空隙率多孔体管内插物-绕花丝内插物，被认为是强化管内凝结换热的最有效途径之一[1]．但以往的研究，由于实验雷诺数范围较小，蒸汽速度较低，要正确全面评价其性能尚显不够。本文在原有工作的基础上，进一步完善了实验系统，改进了测试手段，扩大了实验雷诺数范围，并测试了其阻力性能，对花丝内插物强化管内凝结换热进行了较深入全面的实验研究，以全面评价花丝内插物对管内凝结换热的强化效果。2实验系统本文实验系统如图1所示。实验段是一个竖直套管冷凝器，如图2所示．本试验研究蒸汽完全凝结时的传热。凝结水流量采用容积法计…     

Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy

Phase change memory （PCM） cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state （higher resistance state） to the crystalline state （lower resistance state）. The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low （only several μA）. An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad（Si）, which makes it attractive for space-based applications.     

光电倍增管脉冲性能研究

采用外腔式电光开光,调制主动照相探测光源,使光电倍增管处于脉冲工作状态下,以提高光电倍增管的输出幅度和动态范围,改善信号的信噪比,同时避免样品和探测器受长时间强激光照射.对滨松H6780光电倍增管进行了调试,使其线性输出电流由静态的0.1mA提升到脉冲状态的4.4mA,信噪比提高4.5倍.该技术对其他光敏探测有借鉴意义.