变频调速泵在滤池反冲洗中的节能效果

为了响应现在我国大力倡导的节能的政策,决定将滤池反冲洗中所用的水泵进行改造,把原来的高位水箱反冲洗系统改为利用变频技术.采用水泵直接反冲洗来达到节能的目的,计算了滤池反冲洗采用变频调速泵所节约的电耗,并对其节能效果进行了分析.     

具有（W~＊－W）CPCP的共轭空间X

本文引进了概念（ｗ￣＊一ｗ）ＣＰＣＰ，并证明了：若ｘ”具有（ｗ￣＊一ｗ）ＣＰＣＰ，则Ｘ￣＊的每个非空ｗ￣＊一紧凸子集Ｋ的弱￣＊一弱连续点集是Ｋ的弱￣＊一稠密子集。     

在管理信息系统中单据设计的新方法

在分析PowerBuilder中用户对象的基本概念与特点基础上，提出了利用用户对象技术实现MIS(管理信息系统)中单据设计功能的方法，并给出了详细的实现过程。实际应用表明，该方法可使用户按企业的实际需要对单据的录入界面进行自由设计，无需修改软件即可满足不同用户的需求，适合各种管理信息系统的单据设计，具有通用性。     

一类多维指数分布的参数估计

考虑生存函数为(F)(x1,x2,…,xn)=P{X1＞x1,…,Xn＞xn}=exp{-[n∑i=1(xi/θi)1/δ]δ}(0＜xi＜∞,0＜δ≤ 1,0＜θi＜∞,i=(1,n))的一类多维指数分布,给出了它的密度函数的表示式,并讨论了它的性质.提出了相关参数δ的估计(^δ),证明了(^δ)有相合性和渐近正态性,得到了(^δ)的渐近方差σ2δ.最后还给出了若干随机模拟的结果.     

355nm Nd∶YAG激光在H_2中的高效一级斯托克斯转换

对脉冲Nd∶YAG激光(355 nm)在H2和H2∶He-Ar混合气体中的受激拉曼散射(SRS)进行了研究。在0.5 MPa的氢气中,同时测量到从二级反斯托克斯到三级斯托克斯的多波长输出,其总转化效率达88%;而高压下只剩下一级和二级斯托克斯输出,其中二级斯托克斯最大能量转化效率达44%(对应量子效率为63%)。由于高级斯托克斯的竞争,纯氢气中一级斯托克斯的最大能量转换效率不超过43%。通过向3 MPa氢气中掺入2 MPaAr气后,很好地抑制了二级斯托克斯的产生,从而获得了能量转换效率高达71%(对应量子效率为83%)的一级斯托克斯输出。对四波混频和级联受激拉曼散射在氢气多级斯托克斯产生中的作用以及惰性气体对它们的影响进行了讨论。     

不完全信息群体决策专家权重的集结

本文对于属性权重信息和属性效用信息都不完全的群体多属性决策问题，通过构造属性值区间和运用系统聚类分析法，对群体决策中的专家进行分类，并确定每位专家的权重．     

Vanadium valency charge state in solid solutions ScNb2−2xTa2xVO9

Phase equilibria in the Sc₂O₃-V₂O₅-Nb₂O₅-Ta₂O₅ system and properties of ScNb_2−2xTa_2xVO₉ phases were studied by X-ray phase analysis, optical and radio spectroscopy. A continuous series of solid solutions was shown to exist at 0≤x≤1. V(IV) centers with different crystallographic surrounding were detected for all the considered compositions. A correlation between the number of V(IV) ions and the width of the forbidden gap in the solid solutions was found.     

谈影视作品与大学英语教学的整合

要提高大学英语教学质量，必须丰富教学手段。利用影视作品辅助大学英语教学是一种很好的教学手段。本文就影视作品的优势、具体的教学应用及应用中的注意事项进行探讨。     

Characterizations of Tb:Zn2SiO4 films on silicon wafer prepared by sol-gel dip-coating and solid-phase reaction

Terbium-doped Zn_2SiO_4 films were successfully prepared on Si wafers by a simple sol-gel dip-coating and solid-phase reaction method of ZnO and SiO_2. X-ray diffraction (XRD) and UV－Vis absorption results revealed that films processed below 850℃ were ZnO in wurzite structure, and films processed above 850℃ were Zn_2SiO_4 in wellimite structure. Photoluminescence measurements of the Tb-doped Zn_2SiO_4 films showed two strong emission bands at 490 and 545nm. The photoluminescence lifetime was 4.6ms.