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2.
以新疆生产建设兵团农机报表管理系统为例,介绍了基于C/S和B/S模式的农机报表管理系统的设计与实现,并对其系统开发中的关键技术等内容进行了探讨。 相似文献
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4.
目的探讨微量血糖仪监测早产儿、新生儿危重症的血糖变化.方法对98例早产儿、新生儿危重症给予微量血糖仪监测血糖,微量血糖仪测定异常者抽静脉血糖对照,并对高血糖、低血糖者采取相应措施.结果高血糖发生率24.4%,其中早产儿10.7%,新生儿危重症34.61%,低血糖发生率13.26%,其中早产儿14.2%,新生儿危重症9.6%,人院时已静滴葡萄糖者高血糖发生率58.23%,低血糖发生率8.33%,未静滴葡萄糖者高血糖发生率19.76%,低血糖发生率15.11%,微量血糖仪测定异常者与静脉血糖测定比较无显著差异.结论微量血糖仪监测早产儿、新生儿危重症血糖可靠、实用. 相似文献
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目的探讨微量血糖仪监测早产儿、新生儿危重症的血糖变化.方法对98例早产儿、新生儿危重症给予微量血糖仪监测血糖,微量血糖仪测定异常者抽静脉血糖对照,并对高血糖、低血糖者采取相应措施.结果高血糖发生率24.4%,其中早产儿10.7%,新生儿危重症34.61%,低血糖发生率13.26%,其中早产儿14.2%,新生儿危重症9.6%,人院时已静滴葡萄糖者高血糖发生率58.23%,低血糖发生率8.33%,未静滴葡萄糖者高血糖发生率19.76%,低血糖发生率15.11%,微量血糖仪测定异常者与静脉血糖测定比较无显著差异.结论微量血糖仪监测早产儿、新生儿危重症血糖可靠、实用. 相似文献
6.
A Novel Analytical Approach for Multi-Layer Diaphragm-Based Optical Microelectromechanical-System Pressure Sensors 下载免费PDF全文
An optical microelectromechanical-system (MEMS) pressure sensor based on multi-layer circular diaphragm is described and analysed by using the proposed novel analytical approach and the traditional transfer matrix method. The analytical expressions of the deflection of multi-layer diaphragm and absolute optical reflectance are derived respectively. The influence of residual stress on the deflection of diaphragm is also analysed. Simulation results given by the finite element method are consistent with the ones which are analysed by using the analytical approach. The analytical approach will be helpful to design and fabricate the optical MEMS pressure sensors with multi-layer diaphragm based on Fabry-Perot interferometry. 相似文献
7.
本文提出了求滚齿图形的解析方法,用该方法可以方便而精确地求出各种类型滚刀的切削图形,并能在计算机上直接打印出来。它既可以用来分析各种类型滚刀的切削过程,又可以作为滚刀计算机辅助设计的一个环节,以寻求更加高效和高耐用度的滚刀齿形。 相似文献
8.
Ar—Kr溶液扩散系数的分子动力学模拟及其与温度的关系 总被引:2,自引:1,他引:2
用分子动力学模拟方法研究确定Ar-Kr溶液的自扩散系数D1、D2和互扩散系数D12以及它们随温度变化的规律。结果表明,分别用Green-Kubo法和Einstein法得到的扩散系数在数值上一致;该溶液的3种扩散系数均满足D=D0e^E/RT关系。 相似文献
9.
The effects of ion implantation on ployacetylene films PA have been studied with Ar~+, Fe~+, C1~+, I~+, Na~+ and K~+ ions in the energy range of 15—30 keV. The changes of PA films in the electrical conductivity, due to chemical doping and ion implantation in relation to their structure and depth profiles of impurities, were measured through infrared (ATR/FTIK), Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and the four probe technique. In all cases, ion implantation of active ions exhibits the same effects as chemical doping. The formation of p-n junction is observed at the interface of implanted region and chemical doped PA substrate. The mechanism of interaction process between ion beam and polymer is also discussed. 相似文献
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