试论数学认知结构

本文在对认知结构和数学认知结构分析的基础上，提出一个新的数学认知结构模型。该结构模型包括数学经验知识系统、数学认知活动操作系统、数学元认知系统。其中，经验知识系统包括概念、定理、方法和思维决。操作系统包括注意、记忆、意象和思维。从纵向看模型，可以得到注意系统、记忆系统、意象系统和思维系统。而注意系统包括知识系统、注意、数学元认知。     

室温以上磁制冷材料La(Fe1-xCox)11.7Al1.3化合物的研究

通过X射线衍射分析和超导量子干涉磁强计（SQUID）磁性测量,研究了Co替代Fe含量对居里温度在室温以上的磁制冷材料La（Fe1-xCox）11.7Al1.3（x=0.072,0.081）磁结构和磁性能的影响。La（Fe1-xCox）11.7Al1.3材料的居里温度随Co的含量增加而增加,La（Fe0.919Co0.081）11.7Al1.3的居里温度为311 K。当外场变化为1.9 T时磁熵变达到3.6 J·kg^-1·K^-1,RCP值为168.6 J·kg^-1,虽然它的磁熵变小于具有巨磁熵变的磁制冷材料,但是它在磁场为1.9 T时的制冷能力与这些材料相当。     

锆助剂对低温液相合成甲醇用铜铬硅催化剂性能的影响

考察了含锆的铜铬硅催化剂低温液相合成甲醇性能，并进行了BET、TPR-H2、TPD-H2、TPD-CO、XRD和XPS表征。结果表明，锆作为结构助剂及电子助剂对催化剂在低温液相合成甲醇反应中具有显著的促进作用，反应活性可提高32.25 ％。锆助剂能有效提高催化剂的比表面积，促进催化剂中铜铬组分的分散及表面富集。ZrO2加入在催化剂表面产生的Cu+与催化活性的改善密切相关，Zr4+、Cr3+、Cu+可形成复合中心，为价态的稳定性提供微环境，在H2活化及C O键的断裂等反应步骤中起重要作用。     

Sn掺杂ZnO薄膜的室温气敏性能及其气敏机理

采用化学气相沉积方法在预制好电极的玻璃基底上制备出Sn掺杂ZnO薄膜和纯ZnO薄膜. 两种样品典型的形貌为四足状ZnO晶须, 其直径约为150-400 nm, 呈疏松状结构. 气敏测试结果显示Sn掺杂ZnO薄膜具有优良的室温气敏性, 并对乙醇具有良好的气敏选择性, 而纯ZnO薄膜在室温条件下对乙醇和丙酮均没有气敏响应. X射线衍射结果表明两种样品均为六方纤锌矿结构. Sn掺杂ZnO样品中没有出现Sn及其氧化物的衍射峰, 其衍射结果与纯ZnO样品对比, 衍射峰向小角度偏移. 光致发光结果表明, Sn掺杂ZnO薄膜与纯ZnO薄膜均出现紫外发光峰和缺陷发光峰, 但是Sn的掺杂使得ZnO的缺陷发光峰明显增强. 将Sn掺杂ZnO样品在空气中退火后, 其室温气敏性消失, 说明Sn掺杂ZnO样品的室温气敏性可能与其缺陷含量高有关. 采用自由电子散射模型解释了Sn掺杂ZnO薄膜的室温气敏机理.     

染料敏化纳米晶体TiO2太阳能电池的对电极结构

通过对染料敏化纳米晶体TiO₂太阳能电池的对电极的结构进行改进,设计了一种可大容量储存电解质和补充电解质的新型对电极结构.当染料敏化纳米晶体TiO₂太阳能电池因液态电解质挥发泄漏而失效时,可以对其进行液态电解质的及时补充,从而使失效的染料敏化纳米晶体TiO₂太阳能电池重新恢复工作.该新型对电极结构为解决染料敏化纳米晶体TiO₂太阳能电池由于液态电解质泄漏导致的寿命降低问题提供了一种新的解决方法.     

浅谈本科生创新能力的培养

培养出具有创新精神和创新能力的人才是高校素质教育的重要目的之一.该文在如何培养与提高本科生的创新意识、创新思维和创新能力等方面开展了探讨.分析了如何在本科生开展科技创新活动中通过选题、文献阅读、实验以及论文撰写等过程有效地激发和提高学生的创新热情和创新精神,培养出本科生严谨的科学态度,提高学生的知识应用能力、实践能力、独立思考和解决问题的能力,以及培养学生的团队精神、自信心和责任心等,希望寻找到合适的培养模式全面提升本科生的创新能力.     

氦、氘对纯铁辐照缺陷的影响

在核聚变堆的辐照环境中, 核嬗变产物氢、氦对结构材料的抗辐照性能将产生很大的影响. 本实验采用离子注入和电子辐照模拟研究了氦和氘对具有体心立方结构的纯铁的影响. 采用离子加速器在室温分别对纯铁注入氦离子和氘离子, 经500℃时效1 h后在高压电镜下进行电子辐照.结果表明: 室温注氦和室温注氘的纯铁在500℃时效后分别形成间隙型位错环和空位型位错环. 在电子辐照下, 间隙型位错环吸收间隙原子而不断长大, 而空位型位错环吸收间隙原子不断缩小. 通过计算位错环的变化速率发现, 空位型位错环比间隙型位错环吸收了更多的间隙原子, 即室温注氘纯铁的位错偏压比室温注氦纯铁的偏压参量大, 这意味着相同实验条件下空位型位错环对辐照肿胀的贡献大于间隙型位错环对辐照肿胀的贡献. 利用氦-空位复合体和氘-空位复合体的结构, 分析了注氦和注氘后在纯铁中形成不同类型位错环的原因. 关键词： 氦 氘 辐照损伤 位错环     

单晶磁性薄膜铁磁共振线宽的测量

本文在谐振腔微扰理论的基础上,讨论了液相外延生长的YIG薄膜铁磁共振线宽的测量原理及误差来源,同时也对我们所使用的铁磁共振波谱仪进行了必要的描述.该仪器已用于对小于1Oe的线宽进行精密测量,其误差不超过±5％。     

Magnetic hysteresis and refrigeration capacity of Ni-Mn-Ga alloys near Martensitic transformation

This paper studies the magnetic hysteresis and refrigeration capacity of Ni-Mn-Ga alloys in detail during heating and cooling isothermal magnetisation processes. The Ni-Mn-Ga alloys show larger magnetic hysteresis when they transform from austenite to martensite, but smaller magnetic hysteresis when they transform from martensite to austenite. This behaviour is independent of either the pure Ni-Mn-Ga alloys or the alloys doped with other elements. Because of the existence of the magnetic hysteresis, the relation between the magnetic entropy change and refrigeration capacity is not simply linear. For practical consideration, magnetocaloric effect of Ni-Mn-Ga alloys should be investigated both on cooling and heating processes.     

氢离子辐照纯钒中形成的位错环

钒合金作为聚变堆候选材料, 其辐照损伤行为一直是关注的重点. 研究辐照时形成的位错环的性质, 其意义在于揭示纯钒中辐照空洞的长大机理. 这种机理表现为不同类型位错环对点缺陷吸收的偏压不同, 从而影响金属的辐照肿胀. 本文利用加速器对纯钒薄膜样品进行氢离子辐照, 然后, 利用透射电镜的inside-outside方法分析氢离子辐照所形成的位错环的类型. 结果表明, 在氢离子辐照纯钒中没有发现柏氏矢量b=<110>的位错环, 只有柏氏矢量b=1/2<111>和b=<110>的位错环, 这两种位错环的惯性面处于{110}-{112}之间. 能确定性质的位错环全部为间隙型位错环, 未发现空位型位错环.