β-FeSi2薄膜制备与发光研究的进展

过渡金属硅化物β-FeSi₂因其原料价格低廉且利于环保而成为理想的硅基发光材料之一。探讨了β-FeSi₂的发光机理,介绍了几种β-FeSi₂薄膜制备方法并比较了不同制备方法的特点,总结了最近几年来β-FeSi₂的研究进展和主要研究结果。结合作者已经取得的结果和积累的经验,提出了提高材料发光性能方法,认为良好的结晶质量和尽可能减少缺陷是β-FeSi₂高效发光的基础,因此有必要探索新的制备方法并改善已有的制备工艺。另外,尝试在β-FeSi₂薄膜中应用其它元素,也有可能增大发光效率;而有效激发β-FeSi₂的p-i-n结构也是提高发光效率的方法之一。最后,讨论了β-FeSi₂的发展趋势,展望了该种材料的发展前景。     

pMOS金属栅极材料的研究进展

随着金属氧化物半导体场效应管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs）等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅极已应用于新型MOSFET器件,改善了与高k栅介质的兼容性,并消除了传统多晶硅栅极的栅耗尽及硼穿透等效应.文章综述了pMOS器件金属栅极材料的发展历程、面临的主要问题以及未来的研究趋势等.     

集成光学陀螺及相关技术研究的现状与展望

陀螺技术作为惯性导航的重要组成部分已广泛应用于国民经济和军事工业的众多领域.文章综述了包括机械陀螺、光学陀螺和原子陀螺在内的 陀螺技术的发展过程和基本特点,着重论述了集成光学陀螺及其相关技术研究的现状与发展趋势.通过对比各种类型陀螺的性能特点,结合导 航技术的发展趋势,展望了各种陀螺在相应领域的发展前景.     

从中国稀土案谈GATT第20条的适用范围

上诉机构在中国稀土案中判决中国无权引用GATT第20条一般例外条款为《中国入世议定书》第11.3段辩护,理由是该段落虽然与GATT第8条存在文本关联,但是该款并不对出口税施加限制。上诉机构的裁决虽然从法律解释技术和方法来看无可厚非,但是在此案中相关文本阙如的情况下仍然坚持僵硬的文本主义解释方法,不利于维护WTO法律制度权利与义务的完整和统一,剥夺发展中国家能够采取的有限的公共政策措施之一也凸显了判决的公平性与合法性问题。     

衬底温度对Cu2O薄膜结构和性能的影响

采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了Cu2O薄膜。系统研究了衬底温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。XRD的结果显示,在所有衬底温度条件下均可得到单相的Cu2O结构,而且随着衬底温度由500 K升至800 K,薄膜表现出(111)择优取向的生长特点。电学和光学测试结果表明,室温电导率和光学带隙随着衬底温度的升高而增加,800 K制备的薄膜的带隙值最高约为2.58 eV。     

1.4μm～1.7μm宽带光放大材料研究

宽带光放大是指在整个硅基光纤最低损耗带1.4μm～1.7μm能够获得有效信号净增益的光放大。研究高效的宽带光放大材料可以大大满足人们提高通信容量和实现光集成的要求。材料体系的研究主要集中在稀土掺杂氧化物薄膜、玻璃材料和有机聚合物材料上。着重从宽带的获得、发光性能的改善和发光机理的探索3个方面介绍了稀土掺杂玻璃和薄膜材料的研究进展。结合已经取得的结果和积累的经验,探讨了提高发光效率的方法,指出纳米结构设计的共掺材料体系可以获得有效的宽带发光。最后展望了本领域的发展前景。     

高k介质在新型半导体器件中的应用

当CMOS器件特征尺寸缩小到45 nm以下, SiO₂作为栅介质材料已经无法满足性能和功耗的需要, 用高 k材料替代SiO₂是必然选择. 然而, 由于高 k材料自身存在局限性, 且与器件其他部分的兼容性差, 产生了很多新的问题如界面特性差、 阈值电压增大、 迁移率降低等. 本文简要回顾了高 k栅介质在平面型硅基器件中应用存在的问题以及从材料、 结构和工艺等方面采取的解决措施, 重点介绍了高k材料在新型半导体器件中的应用, 并展望了未来的发展趋势.     

Flat-band voltage shift in metal-gate/high-k/Si stacks

In metal-gate/high-k stacks adopted by the 45 nm technology node, the flat-band voltage (V_fb) shift remains one of the most critical challenges, particularly the flat-band voltage roll-off (V_fb roll-off) phenomenon in p-channel metal-oxide-semiconductor (pMOS) devices with an ultrathin oxide layer. In this paper, recent progress on the investigation of the V_fb shift and the origin of the V_fb roll-off in the metal-gate/high-k pMOS stacks are reviewed. Methods that can alleviate the V_fb shift phenomenon are summarized and the future research trend is described.     

机翼防/除冰技术研究进展

 在复杂的气象条件下飞机机翼容易出现结冰现象,结冰会导致机翼的气动布局改变,恶化飞机的气动特性与飞行性能,影响飞行安全,因此开展飞机机翼的防/除冰技术研究意义重大。介绍了机翼结冰的主要部位、典型冰形及其危害,采用FLUENT软件计算分析了2 种典型翼型NACA23012 和NACA0012 结冰前后的气动特性变化,总结了机翼结冰对飞机气动特性的影响规律,阐述了机翼防/除冰技术的原理、优缺点及近年的研究进展,分析了机翼防/除冰技术未来的发展方向。     

从信息物理角度审视大学的人才培养

信息技术的快速发展,对各行各业都产生了巨大冲击,大学的人才培养也不例外,这已引起了广泛关注.目前信息技术对大学人才培养的影响主要还是在技术层面,即"互联网+教育"、"互联网+教学"的改革,而信息技术发展背后蕴含的量子物理学原理或量子思维对大学人才培养的影响还未引起足够重视.本文正是从这个角度出发,分析了信息技术发展的物理学特征,指出了新形势下大学的人才培养需要注意的关键点,最后重点探讨了在大学普及量子物理学知识、提升量子思维素养的必要性,并给出了具体示范案例.