爆炸驱动动能杆定向抛撒散布试验

动能反导技术作为新型的反导技术，原理是在拦截弹和目标的相对速度方向上，抛射出大量动能杆条毁伤目标。其核心技术之一就是动能元素的抛撒，特别是定向抛撒。国外研究一般集中针对既定抛撒装置结构的杆条抛撒结果验证性报道，缺乏对杆条抛撒影响因素的详细研究。本文提出了采用周向弧形状药选择区域爆炸驱动中心杆条束定向侧向飞散的动能扦定向抛撒装置方案，设计不同结构参数的杆条定向抛撒装置的试验，研究抛撒结构参数对动能杆的驱动特性影响规律，为新概念反导战斗部设计提供技术帮助。     

Modification of Absorption of a Bulk Material by Photonic Crystals

We show theoretically that it is possible to modify absorption of a bulk absorbing material by inserting another non-absorbing dielectric slab periodically to form one-dimensional photonic crystals.It is found that,for frequencies within photonic bandgaps,absorption is always suppressed.For frequencies located at photonic bands,absorption can be suppressed or enhanced,which depends on the relative values of the real refractive index of the absorbing and non-absorbing dielectric layers.     

一种新型篮圈纲挂网装置

目前我国生产的篮圈的挂网装置不合理,它有以下两个缺陷; a.篮圈下沿的形挂网装置,挂网方便,掉网容易。在球的作用下,挂网绳很容易从形挂网架中掉出,倘若一个篮网上端掉下一根挂网绳,相邻的挂网绳也很容易掉下来。掉下两三根挂网绳的网子,当球落下时篮网受力不均,球和网之间的磨擦力增大。篮网掉下三、四根挂网绳,如不及时挂上,网子过一两个星期就损坏了。 b.挂网装置容易缠挂住网子下端。有时篮网下端在球的作用下向上翻起被挂住,缠挂在篮圈上,封住篮圈球落不下来的很少见,往往是球仍能从网中挤着落下,如果不及时解开,几天后这个网子就坏了。观着95全国男篮甲级八强赛,其中有一场比赛是济南军区队对前卫队,这场球打得激烈、精彩,可一个不争气的篮网一直缠挂在篮圈上,实在是大煞风景。看来传统的挂网装置,确是影响正常的训练和比赛。 为了克服以上两个缺陷,我们设计研制了一种新型的篮圈挂网装置;改变了的形状与功能,变为网纲架;并给篮网装上了一根网纲,命名为篮圈纲挂网装置。 新型篮圈纲挂网装置有以下优点; a.纲挂网装置符合篮球规则:“圈的下沿设有小环或类似的东西,以便悬挂篮网”。94—98     

纳米磷灰石晶体/聚酰胺66复合材料的制备和界面研究

作者通过溶液法制备了纳米磷灰石晶体／聚酰胺66复合材料，用燃烧法测试了纳米磷灰石晶体在复合材料中的含量及其均一性，并用红外和拉曼光谱及X－射线衍射对复合材料的界面进行了初步研究。结果表明，纳米磷灰石晶体在复合材料中呈均匀分布，且在复合材料的两相界面间有新的化学键形成。     

对一节教材科学性的质疑

人民教育出版社义务教育课程标准实验教科书<数学>九年级上册25.4节是“课题学习:键盘上字母的排列规律“.众所周知,计算机键盘字母是按一种杂乱无章的顺序排列的,为什么所有计算机、打印机和排版设备上的字母编排顺序都是一样的呢?字母分布为何不按英文字母顺序而要混乱得毫无规律可循呢?……     

基于Rabbit微处理器接入Internet的技术研究

基于几种嵌入式系统接入Internet的技术，阐述8位Rabbit系列微处理器接入Inter-net的方案，并以其为核心应用于消防报警监控系统。     

在ZSM-5沸石上二甲苯异构化的选择性

ZSM-5沸石催化二甲苯异构化是对位异构体高选择性的新工艺,副反应显著减少.这一新工艺在美国、西欧已分别占二甲苯异构化生产总容量的～90％和～60％.它是以分离C_8芳烃异构化平衡产物中的对位异构体,从而将富含邻和间位异构体混合物进行     

STUDIES ON ION IMPLANTATION AND ELECTRICAL PROPERTIES OF POLYACETYLENE FILMS

The effects of ion implantation on ployacetylene films PA have been studied with Ar~+, Fe~+, C1~+, I~+, Na~+ and K~+ ions in the energy range of 15—30 keV. The changes of PA films in the electrical conductivity, due to chemical doping and ion implantation in relation to their structure and depth profiles of impurities, were measured through infrared (ATR/FTIK), Rutherford backscattering spectrometry (RBS) and the four probe technique. In all cases, ion implantation of active ions exhibits the same effects as chemical doping. The formation of p-n junction is observed at the interface of implanted region and chemical doped PA substrate. The mechanism of interaction process between ion beam and polymer is also discussed.