中子活化分析中煤样厚度及探测器位置的选择

利用MCNP5程序包模拟14MeV脉冲中子照射一定厚度煤样,并通过时间控制获得非弹γ能谱和俘获γ能谱,再利用计数率的高低确定γ能谱的获取位置.结果表明:当煤样厚度为20cm时,非弹γ能谱的计数率达到饱和;当煤样厚度为35cm时,俘获γ能谱的计数率达到饱和.     

158Tm核中的带结构及电磁跃迁性质

通过融合蒸发反应¹⁴⁴Nd(¹⁹F,5n)E=108, 112MeV对双奇核¹⁵⁸Tm的高自旋态进行了研究. 扩展了原已建立的带结构, 并建立了2条新转动带. 获得了γ射线的相对强度和耦合带的B(M1)/B(E2)比值.观测到了πh_11/2⊙νi_13/2组态带的旋称反转点. 对新建立的转动带进行了自旋-宇称以及组态的讨论.     

X射线对双层封装材料剂量增强效应的影响

用Monte Carlo方法计算了双层封装结构Al/Au-Si, Kovar/Au-Si, Au/Al-Si和Au/Kovar-Si对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数, 并进行比较. 结果确定了半导体器件Si中的剂量增强灵敏区大小, 并且得到了这四种封装结构在Si中灵敏区不同位置处的剂量增强系数及引起剂量增强的X射线能量范围.     

NaI(Tl)探测γ能谱的MCNP模拟

利用光子和电子联合输运MCNP程序的电子脉冲计数类型的能峰展宽模拟计算NaI(Tl)探测器的γ能谱, 与实验结果符合较好. 利用能峰展宽参数计算不同能量γ射线的峰总比, 结果与实验值相符, 验证该计算方法可用于NaI(Tl)探测γ能谱的模拟. 对不同能区γ射线的能谱进行模拟, 并分析了能谱的形成过程. 