聚合物表面等离子体接枝共聚改性

聚合物表面等离子体接枝共聚改性张砚臣，顾彪，徐茵（大连理工大学电磁工程系，大连１１６０２４）１实验实验装置由玻璃钟罩放电室、处理室、样品台、０～１ｋＷＲＦ功率源和电感线圈、针阀、氩气源、接枝单体－丙烯酸、Ｌａｎｇｍｕｉｒ探针测量系统、真空监测系统等组...     

磁镜装置中ECR等离子体硬X射线强度观测

本文描述用硬X射线针孔成象法测量简单磁镜装置中ECR等离子体辐射特性的方法及其结果。这种非破坏性的成象法,直接显示了热电子等离子体的空间分布,一次放电可成一帧清晰的象,且由此可得出二维的等发射强度线。大量结果表明电子环是非轴对称的,并非为一个整环,而是在微波注入口的对面有一个缺口。当微波功率改变时,环也在改变。     

共振吸收引起的冷等离子体波碎

本文采用渐近方法求解了不均匀冷等离子体的修正电容器模型方程(非线性)。Dawson仅给出了一个波碎条件,但应用于不均匀等离子体时是不完备的。本文补充了使其完备化的第二个波碎条件,并同时、唯一地确定了波碎位置与波碎时间,进而导出了热电子最大能量与局部电场振幅的计算公式。新公式的预言,尤其是波碎时间和热电子最大能量与实验符合很好。 关键词：     

含二氮杂萘酮结构聚醚砜酮膜的微波等离子体处理研究

含二氮杂萘酮结构型聚醚砜酮(ＰＰＥＳＫ)是近年来本研究组开发成功的新型耐高温聚合物[1].该聚合物具有优异的力学性能和突出的耐热性,玻璃化转变温度(Ｔｇ)为265～305℃(随砜酮比不同而变化),其结构式如下:ＯＮＮＯＳＯＯＯＮＮＯＣＯ　　研究表明,用ＰＰＥＳＫ制成的气体分离膜对Ｏ2/Ｎ2、ＣＯ2/Ｎ2有良好的气体渗透性和透过选择性[2,3],但由于其亲水性不高进而限制了它在纳滤膜和反渗透膜等方面的应用,因此有必要对其进行改性.目前,常用的膜及膜材料改性的方法有磺化、氯甲基化季胺化、接枝等化学改性和低温等离子体与辐射等物理改性.其…     

用N2-H2等离子体氮化GaAs衬底对ECR-PEMOCVD生长立方GaN的影响

我们研究了采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECR-PEMOCVE)技术在GaAs(001)衬底上外延生长立方GaN的过程中衬底氮化条件对外延膜生长的影响.发现氮化时在氮等离子体中加入氢等离子体对于立方GaN薄膜生长具有显著影响.和氮化过程中不加入氢等离子体相比,氮化过程中加入氢等离子体生长出的外延膜其X射线衍射(XRD)半高宽(FWHM)可以最高降低40%以上.原子力显微镜(AFM)观察表明:在N2-H2混合等离子中氮化过的衬底上外延的缓冲层表面变得更为平滑,晶粒也变得粗大.最后,我们提出了一个化学模型对上述结果进行了分析和解释..     

深冷处理引起高速钢的性能改善与微结构变化

介绍了对Ｗ６Ｍｏ５ＦＣｒ４ＶＫ２、Ｗ１８Ｃｒ４Ｖ高速钢刀具进行－１９６℃深冷处理的实效；研究表明，对于经过淬火与三回火的高速钢、引起其强韧性提高的主要原因是深冷处理导致了材料的晶粒细化与碳化物微小颗粒的弥散析出，残余奥氏体向马氏体转化不是其韧性提高的主要原因。     

热电子环结构对阱深和贮能影响的分析

简单磁镜MM-2ECH实验产生的热电子环未能在磁镜中形成磁阱。反磁信号△V为15cmV时,热电子环垂直方向贮能W。为0.317J,最大β_(⊥,max)为1.6％,热电子环在中平面径向平均β⊥为0.9％。局域使增量△B为零,或使增量△∮dl/B为零所需热电子环的贮能W和β_(⊥,max)与热电子环结构(厚度、宽度和位置)有关。     

辉光放电等离子体对聚丙烯纤维的表面改性

在对电晕、介质阻挡放电、γ射线辐射接枝对化纤改性的简要介绍基础上，重点论述了辉光放电等离子体对聚丙烯纤维的改性。并按等离子体技术的发展过程，对低压和常压辉光放电等离子体对聚丙烯纤维与织物改性的特点、原理及发展前景进行了扼要综述，指出常压辉光放电等离子体是一种很有潜力的表面改性技术。     

电子束注入简单磁镜中被电子迴旋共振加热捕获的实验研究

在简单磁镜MM-2中,在采用15GHz大功率迴旋管进行电子迴旋共振加热(ECRH)的同时,以不同的方式向磁镜中注入电子束,进行了ECRH捕获电子束的实验研究。结果表明:由于电子束的提前注入,等离子体的预电离时间被大大地缩短。由上ECRH对电子束的捕获,使得热电子环参数得到很大的改善,热电子环的反磁β值约增加62%,对应反磁增加的捕获效率约为(30—40)%。在迴旋管输出约30kW的条件下,适应建立热电环的气体压力窗为(4.67—21.3)×10^-4Pa。 关键词：     

等离子体清洗GaAs和Al2O3衬底的RHEED图像分析

针对GaAs和Al2O3作为外延GaN薄膜的主要衬底材料,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)工艺对其分别进行纯氢、氢氮等离子体清洗,并配备高能电子衍射仪(RHEED)实时监测清洗过程．CCD的RHEED图像分析表明,在一定条件下用纯氢等离子体对GaAs衬底清洗只需1min左右,即可得到比较平整的清洗表面,但清洗2min以上表面质量开始变坏．若在氢气中加入少量氮气,清洗时间可延长至10min左右．而Al2O3衬底对纯氢等离子体的清洗时间比较敏感,清洗2min左右就能获得平整的清洗表面,若时间延长到4min,表面质量将开始变坏．如果采用氢氮等离子体清洗,约需20min时间,而且在很宽的清洗时间范围(20～30min)内都能获得良好的清洗表面．