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用电子回旋共振(ECR)等离子体溅射方法在室温基片上沉积出的T_i薄膜的结构是用X RD和TEM进行分析的。结果表明所沉积的T_i薄膜是平均粒径,晶粒尺寸分布很窄的稳定fcc结构。在实验过程中发现可以通过对工作参数的调整控制薄膜的晶粒尺寸。我们还讨论了ECR等离子体对薄膜结构和晶粒尺寸的影响。 相似文献
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用电子束辐照了纳米TiO2多孔薄膜,并将其应用于染料敏化太阳电池,结果表明,电子束辐照可以提高太阳电池的短路电流,而开路电压基本不变.运用XRD分析了电子束辐照前后纳米TiO2多孔薄膜的晶型和晶粒度,发现电子束辐照不会造成纳米TiO2由锐钛矿相向金红石相转变,其晶粒度随电子束辐照注量的增加,存在着先增大、再减小,然后再增大的趋势.运用XPS分析了电子束辐照前后纳米TiO2多孔薄膜中Ti、O的化学状态,说明电子束辐照主要是使纳米TiO2多孔薄膜中氧充足状态的O1s逐渐减少,而不是通过Ti3+来改善太阳电池的性能. 相似文献
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ECR-PECVD制备SiO2薄膜中衬底射频偏压的作用 总被引:2,自引:0,他引:2
采用微波电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术在单晶衬底上制备了SiO2薄膜,研究了射频偏压对薄膜特性的影响。通过X射线光电子能谱(XPS)、傅里叶变换红外线光谱(FTIR)、原子力显镜(AFM)和扫描隧道显微镜(STM)三维形貌图测量等手段,对成膜特性进行了分析。实验结果表明,通过改变射频偏压的参数来控制离子轰击能量,对ECR-PECVD成膜的内应力、溅射现象、微观结构和化学计量均有明显的影响。 相似文献
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运用XRD分析氟掺杂二氧化锡导电玻璃导电面SnO2的晶型,发现其属于四方晶系,晶粒尺寸为32.35nm。运用XPS分析氟掺杂二氧化锡导电玻璃导电面的元素组成主要是Sn和O,未能检测出F。进一步研究表明,电子束辐照前后Sn所处的化学状态相同(以Sn4+的形式存在),O以2种化学状态存在,分别对应氧充足和氧缺乏状态,且随着电子束辐照注量的增加,会有少量的氧失去而使氧充足状态的O1s逐渐减少。 相似文献
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