圆柱形反应器鞘区离子平均动能的径向分布

针对鞘层结构,建立了鞘层模型和离子速度分布函数,导出了离子平均动能的积分表达式并得出数值积分的结果.用级数的两项拟合平均动能积分表达式的对数项,积分得到解析结果和简化结果.应用积分表达式、解析式及简化式进行计算,得出了圆柱形鞘层内不同位置(半径)处的粒子平均动能.结果表明鞘层越厚、粒子平均自由路程越小,则它们的差别越小.它们可有效地应用于散布在反应室各处粉体的刻蚀和纯化.     

宏观粒子在等离子体中的纯化模型研究

从宏观粒子和微观粒子的输运现象及等离子体化学入手，建立了宏观粒子沉降过程中的纯化模型，计算了各类粒子的浓度的径向分布、加速度、速度、沉降时间及杂质的去除总量。结果表明，对于纯度为99％的Si-Ge合金颗料中的杂质总量可去除97％左右。计算结果与实验结果接近。     

宏观粒子在等离子体中的输运模型研究

建立了等离子体中宏观粒子的输运模型，计算了粒子沉九的加速度、速度和时间，得出了粒子收集的判据和沉降过程中提纯效应可提高很多的结论。这对等离子体的工业应用具有重要的意义。     

宏观粒子在等离子体中的纯化模型研究

从宏观粒子和微观粒子的输运现象及等离子体化学入手 ,建立了宏观粒子沉降过程中的纯化模型 .计算了各类粒子的浓度的径向分布、加速度、速度、沉降时间及杂质的去除总量 .结果表明 ,对于纯度为 99%的Si Ge合金颗粒中的杂质总量可去除 97%左右 .计算结果与实验结果接近     

宏观粒子在等离子体中的输运模型研究

建立了等离子体中宏观粒子的输运模型 ,计算了粒子沉降的加速度、速度和时间 ,得出了粒子收集的判据和沉降过程中提纯效应可提高很多的结论 .这对等离子体的工业应用具有重要的意义     

粉粒在等离子体中纯化的理论与工艺参数

针对反应室的情况，建立了硅粉的运动学模型和粉粒收集判据．应用该模型和判据，选择进气流速为5～20cm^3／min(标准状态下)，抽气比例为0．1．由于等离子区内只存在表面反应，钝化作用会使纯化效应消失．在鞘层内存在大量高能离子，除表面反应外，离子还能对粉粒表面进行刻蚀，因此钝化效应将消失．按此新的纯化概念，鞘层应尽量增厚．基于鞘尽模型考虑，在适中的压力、电流密度和直流自偏压下，选定鞘层厚度为1．5cm．刻蚀提纯的实验结果表明，硅的纯度可由99．00％．提高到99．97％．