Improvement of Properties of p-GaN by Mg Delta Doping

The Mg-delta-doped GaN structure has been grown by low-pressure metalorganic chemical vapour deposition.The Hall-effect measurements reveal that the electrical properties are enhanced. The hole concentration is enhanced twice and hole mobility is enhanced three times by Mg-delta doping. Both the etch pit density data and the x-ray diffraction data demonstrate that Mg-delta doping can reduce the threading dislocation density of p-type GaN epilayer.     

环草石斛化学成分研究

环草石斛是中医临床上广泛应用的石斛药材。为了进一步研究环草石斛的药效成分,采用硅胶、LH-20凝胶及C-18反相硅胶等柱色谱技术对其甲醇提取液进行了系统分离,结果得到7个化合物,分别是:石斛宁(1),2,4,7-三羟基-9,10-二氢菲(2),2,5-二羟基-4-甲氧基菲(3),loddigesiinols C(4),杓唇石斛酚(5),石斛酚(6),3,4’,5-三羟基-3’-甲氧基联苄(7)。这些化合物的结构由质谱、核磁共振波谱数据确定,其中化合物2、7首次在环草石斛中分离得到。     

Effect of Al Doping in the InGaN/GaN Multiple Quantum Well Light Emitting Diodes Grown by Metalorganic Chemical Vapour Deposition

The effect of Al doping in the GaN layer of InGaN/GaN multiple quantum-well light emitting diodes （LEDs） grown by metalorganic chemical vapour deposition is investigated by using photoluminescence （PL） and highresolution x-ray diffraction. The full width at half maximum of PL of A1 doped LEDs is measured to be about 12nm. The band edge photoluminescence emission intensity is enhanced significantly. In addition, the in-plane compressive strain in the Al-doped LEDs is improved significantly and measured by reciprocal space map. The output power of Al-doped LEDs is 130mW in the case of the induced current of 200mA.     

中小直销企业的出路

案例回放: 2007年,一家名为立康立全球国际有限公司的企业在香港成立。成立初期,也许是2007年月朗国际的飞速发展给了立康立公司以启示,在系统组建上,立康立采用了与月朗同样的方式——单一系统。立康立惟一的系统是E系统,它是由立康立公司副总裁赖政希创立,赖政希在系统建设方面有着丰富的经验。在立康立时创立的K系统在大陆市场曾获得不错的业绩,同时也吸引到诸如易文革、陈武川、董德、郑柯和杨滨等直销名人的加入,一时间在行业炒得沸沸扬扬,引起众多行业同仁的关注。     

守内安护航邮件安全

近年来,邮件将死的预测纷纷流传于耳,但现状并非如此.数据表明,电子邮件的用量和数量仍在不断地增长,无论微信、微博等新媒体信息流如何风靡一时,企业级的信息流转工具始终还是依赖电子邮件的传递与沟通.电子邮件没有被取代,尤其企业对电子邮件上通下达的功用极为依赖.守内安信息科技上海(有限)公司(以下简称“Softnext守内安”)自从在全世界率先推出一套处理双字节内容的企业级中文反垃圾邮件产品之后,多年来不断提升邮件安全领域的专业与专注度,守护用户邮箱安全.     

侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察

在有条状SiO2图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到4．5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO：掩膜上方都形成了空洞。样品在240℃熔融的KOH中腐蚀13min。在SiO2掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度)减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到10^8cm^-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的CaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的CaN中的晶格失配应力已被部分释放。     

邮件安全守护有良策

电子邮件在企业内部和外部沟通过程中扮演着十分重要的角色,但是许多人对于邮件安全持有错误的观念,例如:认为自己的邮箱有密码,信息泄露不会发生在邮件的通信过程中.根据Oysterman Research调查显示,"83％的企业认为机密信息泄露只是偶然事件,很大一部分原因是由于内部员工不了解相关安全规定,或没有意识到他们传递的信息带有机密性而已."因此,不难看出目前很多企业还没有关注到邮件安全的重要性,特别是缺乏对于一旦发生信息泄露事件,对企业造成潜在损失的清醒认识.     

MOCVD侧向外延GaN的结构特性

侧向外延（EL0）GaN的原子力显微镜（AFM）表面形貌图像表明,ELO—GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO—GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO—GaN扫描电子显微镜（SEM）截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群。X射线衍射（XRD）曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜。拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高。ELO—GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO—GaN中的应力较小,晶体质量较高。