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在10K~300K温度范围内研究了Ba2TiSi2O8和Sr2TiSi2O8极性玻璃陶瓷的个电和热释电性.Ba2TiSi2O8玻璃瓷的室温热释电系数达到-7.0×10-6C/m2、K,具有良好的低温热释电性.含SrTiO8结晶的Sr2TiSi2O8极性玻璃陶瓷的室温热释电系数仅为-1.8×10-7C/m2·K,而且其绝对值在100K以下较快地变小,并在40K以下出现正值,它可能是由于SrTiO8结晶发生结构相交的结果. 相似文献
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提出了纯金属电阻率的两个简化模型:一个统计模型,一个电子一声子耦合模型。由统计模型可得出:纯金属电阻率与声子浓度及声子平均动量的平方成正比。由电子-声子耦合模型得出:电子的散射几率不仅正比于声子数,而且正比于电子-声子的耦合强度。由这两个模型皆能得出纯金属电阻率在高温时与温度T成正比,低温时与T5成正比的结果。由电阻率—温度曲线的比较表明,两模型相当吻合。 相似文献
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研究了(Na0.5Bi0.5)TiO3,(Na0.5Bi0.5)(1-x)BaxTiO3和(Na0.5Bi0.5)(1-x)SrxTiO3陶瓷的介电温谱,确认了该系列材料在520℃以下的高、低温两种介电反常和存在于这一温度区间的巨大热滞现象.发现该类材料只存在对应于低温介电反常的介电损耗峰,而对于高温介电峰则无对应的损耗峰.同时,常温时材料的结构特征对于其介电温谱的特征影响较小,但施加偏置场却可明显改变材料的介电温谱特征:1)可使得材料的热滞现象几乎消失;2)适当偏置场下材料升降温介电曲线可与零偏场下介电
关键词:
钛酸铋钠
热滞
相变
极性微区 相似文献
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针对机械品质因数特别低的压电陶瓷材料,提出了一种测量机电耦合系数和机械品质因数的方法,并用来测定了PbNb_2O_6陶瓷的材料参数。在这个方法中,利用低频阻抗分析仪(HP—4192A型)测量压电振子的阻抗随频率的变化,画出导纳圆图,由导纳圆图得出所需的振子参数,然后计算出径向伸缩振动的机电合系数k_p和机电械品质因数Q_m。对于厚度伸缩振动模式,由与上述径向仲缩振动模式相同的步骤得出机械品质因数,并由泛音比法计算机电耦合系数k_s,所需的泛音及基音频率仍然由低频阻抗分析仪测定。 相似文献
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首次用Czochralski法生长了大尺寸的Li_(0.12)Na_(0.83)NbO_3单晶。介电测量,电滞回线及X光衍射表明,该晶体在(20±1)℃出现铁电—铁电相变。高温相及低温相的点群分别为4mm和mm2。在相变温度,介电常数ε_(11)及ε_(33)出现反常,自发极化方向不发生变化。这个发生于20℃的铁电—铁电相变表明该晶体在室温附近有大的热释电系数,热释电应用是该晶体的潜在应用之一。 相似文献