利用DPN技术直接构建磁性纳米图形

在纳米尺度下构建有序的磁性模板和图形是当前的研究热点之一 [1,2 ] .这种模板在生物样品的分离[1] 、磁电子学研究和信息存储 [2 ] 等领域具有重要意义 .目前 ,光刻 [3] 、微触点印刷 [4 ] 和自组装 [5] 等多项技术已被用来构建各种纳米模板 .1 999年 ,美国西北大学 Mirkin小组 [6 ]发明的 Dip- pen纳米刻蚀技术 (简称 DPN技术 )更在可控组装方面显示出巨大优越性 .这项技术是在一定驱动力作用下 ,使吸附在原子力显微镜 ( AFM)针尖上的分子“墨水”逐渐转移到基底表面上 ,实现纳米模板的可控构建 .与传统技术相比 ,DPN技术可在纳米尺…     

改进的局部扩展拟合图像分割方法

局部扩展拟合(RSF)模型可以有效解决灰度不均匀的图像分割问题,但传统的局部拓展拟合模型只考虑了图像上一点在其局部拓展区域内与零水平集相交的情况,易导致过分割现象.为此, 提出了一种改进的局部拓展拟合方法,即在RSF模型的基础上考虑图像上每一点在其扩展邻域内与零水平集不相交的情况,并重新定义了此情况下灰度能量的取值,使该点的内部灰度能量与外部灰度能量严格相等.实验结果表明所提方法有效解决了由初始化问题导致的过分割现象.     

Fe3O4/葡聚糖/抗体磁性纳米生物探针的制备和层析检测

在免疫检测中 ,经常利用一些具有特殊物理化学性质的标记物对抗体 (或抗原 )进行偶联标记 ,在抗体与抗原识别后 ,通过对标记物的定性和定量检测而达到对抗原 (或抗体 )检测的目的 .传统的免疫标记物包括放射性同位素 [1] 、酶 [2 ] 、胶体金 [3] 和有机荧光染料分子 [4 ] 等 .近年来 ,随着纳米技术的发展 ,半导体荧光纳米晶 [5,6 ] 和磁性纳米晶 [7] 在免疫检测方面受到了广泛关注 .磁性纳米晶性能稳定 ,较易制备 ,可与多种分子复合使粒子表面功能化 ,并且由于磁纳米晶具有超顺磁性 ,为样品的分离、富集和提纯提供了很大方便 .这些优点使它…     

化学计量—取样学最近的进展

文章评述了取样学在理论和应用上的进展，涉及样品制备、取样分类、取样理论以及在多种领域的应用。     

抗癌药物筛选中三种细胞毒性检测法的比较研究

检测抗癌药物对肿瘤细胞生长代谢的影响从而对药物的敏感性做出预测是评估化疗药物药效的一条新途径．四氮唑盐酶还原法(Microculture Tetrozolium,MTT)是目前最常用的一种检测方法．磺酰罗丹明B法(Sulfor Rodamine B,SRB)是近几年由美国癌症研究所(National Cancer Institute,NCI)发展起来的检测肿瘤细胞药敏性的一种新方法,目前在国内的应用也比较广泛．而CCK-8试剂(Cell Counting Kit-8)是日本株式会社同仁化学研究所新近研制的一种活细胞计数试剂盒．本实验对MTT、SRB及CCK-8三种测定药物细胞毒性的方法进行了比较研究．     

任务驱动教学法在高职多媒体技术教学中的探索与实践

任务驱动法适用于操作类知识和技能的教学,尤其适用于计算机软件应用方面的教学。在高等职业教育中,计算机多媒体技术专业课的教学采用任务驱动法结合项目实训更能激发学生兴趣,让学生在学中练、练中学,在实际动作练习中掌握理论知识的专业技能。     

锅炉汽包蠕变,疲劳损伤断裂的描述

用损伤力学的观点,研究了锅炉汽包压力容器类金属材料损伤特性及损伤内变量理论,用数学模型描述子受损伤材料的蠕变,疲劳损伤断裂方法,为探讨受损伤材料的使用寿命提供了理论依据。     

基于J2EE平台的人大机关管理信息系统

基于实践,介绍了一个基于J2EE平台的人大机关管理信息系统的设计与实现过程,并详细描述了设计过程中的若干主要技术特点和特色功能。     

Dip-pen刻蚀技术直接制造蛋白质纳米阵列

美国西北大学 Mirkin等 [1～ 3] 发明的 Dip- pen( DPN,译为蘸水笔技术 )纳米刻蚀技术是以 SPM的针尖为笔 ,通过超分子相互作用使被书写的分子或纳米材料粘在针尖上 ,以某种材料为基底 ,通过合理的超分子相互作用的设计将针尖上的分子或纳米材料书写到基底上 ,从而实现纳米刻蚀和纳米制造的目的 .很显然 ,这种技术对纳米器件、纳米传感器、高密度存储以及生物芯片的制造具有重要意义[4～ 7] .近年来 ,Mirkin研究组和其他几个研究集体利用这种技术成功地制造了有机分子纳米图形与阵列 [8] ;无机氧化物 [9]、金属纳米粒子 [10 ,11]、高分…     

溶胶-凝胶法制备的MgxZn1-xO纳米薄膜结构和光学性质

用溶胶-凝胶法制备了不同组分的Mg_xZn_1-xO薄膜.X射线衍射结果表明,薄膜为具有六角纤锌矿结构的纳米薄膜,晶粒尺寸3～5nm,随着Mg进入ZnO晶格,其晶格常数变小.紫外-可见吸收光谱表明,随着Mg含量的增加带隙变宽,自由激子吸收峰明显蓝移.室温光致发光光谱由很强的且与氧空位相关的深能级缺陷发光和较弱的紫外激子发光组成,激子发光强度和缺陷发光强度比随x的增大而减小,表明Mg原子进入ZnO晶格会引起深能级缺陷的增加.Mg_0.03Zn_0.97O薄膜经700℃热氧化后,紫外与可见发光强度比达到30.