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1.
采用脉冲电子束沉积技术, 在SrTiO3衬底上成功制备了高质量的Nd1.85Ce0.15CuO4(NCCO)薄膜. 通过改变薄膜的沉积温度、厚度、退火条件以及沉积频率, 获得了具有不同生长条件的NCCO薄膜样品. 对样品R-T曲线进行分析, 得到了上述因素对薄膜超导电性的影响规律, 并进一步说明了这些因素对薄膜的超导电性造成影响的原因. 通过与脉冲激光沉积技术类比, 定量分析了沉积过程中靶与基片距离同沉积气压之间的关系. 相似文献
2.
采用固相反应法制备了Tb0.8Eu0.2MnO3多晶材料.对样品的X射线衍射（XRD）分析表明Eu3+固溶于TbMnO3中.测量了样品在低温(100 K ≤T≤ 300 K)和低频下(200 Hz≤f≤100 kHz)的复介电性质.在此温度区间内发现了两个介电弛豫峰.经分析认为低温峰（T≈170 K）起源于局域载流子漂移引起的偶极子极化效应,而高温峰（T≈290 K）则是由离子电导产生的边界和界面层的电容效应引起的.电阻率的测量显示在低温下（T≈230 K）存在明显的导电机制转变. 相似文献
3.
Metal/semiconductor hybrids consisting of self-assembled CdS nanoparticles on Cd nanowires 
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下载免费PDF全文 We report on the synthesis and the characterisation of
metal/semiconductor hybrids consisting of self-assembled CdS
nanoparticles on Cd nanowires, which are grown by thermal
evaporation of the mixture of CdS and Cr. The growth of the hybrids
is attributed to the decomposition of CdS at high temperature and
the strain relieving that arises mainly from the lattice mismatch
between Cd and CdS. Temperature dependence of zero-field resistance
of single nanohybrid indicates that the as-produced Cd/CdS
nanohybrid undergoes a metal--semiconductor transition as a natural
consequence of hybrid from metallic Cd and semiconducting CdS. The
metal/semiconductor hybrid property provides a promising basis for
the development of novel nanoelectronic devices. 相似文献
4.
采用脉冲电子束沉积技术在(100)取向单晶钛酸锶衬底上沉积出具有高取向的La0.67Ca0.33MnO3薄膜, 并用电子束曝光技术获得不同宽度的微桥结构, 对这些微桥结构的输运性能进行了研究. 当微桥的宽度为2和1.5 μm时, 与大面积薄膜相比, 其金属绝缘体转变温度TP变化不大. 当微桥的宽度为1 μm时, TP降低约50 K. 当微桥宽度减小到500 nm以下, 没有观察到金属-绝缘体转变. 对不同宽度微桥的磁电阻曲线进行分析发现, 随着微桥宽度减小, 低场磁电阻也变 小, 高场磁电阻变化不大. 相似文献
5.
采用固相反应法制备了Tb0.8Eu0.2MnO3多晶材料.对样品的X射线衍射（XRD）分析表明Eu3+固溶于TbMnO3中.测量了样品在低温(100 K ≤T≤ 300 K)和低频下(200 Hz≤f≤100 kHz)的复介电性质.在此温度区间内发现了两个介电弛豫峰.经分析认为低温峰（T≈170 K）起源于局域载流子漂移引起的偶极子极化效应,而高温峰（T≈290 K）则是由离子电导产生的边界和界面层的电容效应引起的.电阻率的测量显示在低温下（T≈230 K）存在明显的导电机制转变.
关键词：
多铁性材料
掺杂
介电性质 相似文献
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