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1.
2.
利用重力场下的自组装,将单分散的ZnO胶体颗粒悬浮液自组装为三维光子晶体.通过扫描电镜图谱、反射光谱对制得的ZnO光子晶体进行了表征.结果表明,这种方法可得到排列有序的光子晶体,并且改变反应条件可以控制ZnO胶体球的尺寸.制得的样品有明显的光子禁带,且禁带波长位置随胶体球粒径的减小而蓝移,这是光子晶体的典型特征. 相似文献
3.
以Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为单一固相有机源,采用单源化学气相沉积法(Single sour cechem icalvapor deposition,SSCVD)在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)分析ZnO薄膜样品的晶体结构和微观形貌,并用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的锌氧化学计量比进行了分析。研究结果表明:在非平衡条件下所得到的ZnO薄膜沿a-b轴取向生长,基片温度对ZnO薄膜生长过程影响较大,随着基片温度的升高,薄膜呈现c轴生长趋势;晶粒成柱状、尺寸均匀、膜层结构致密;薄膜样品中nZn:nO=0.985。 相似文献
4.
络合剂对Ni—P化学镀层耐蚀性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本研究了各络合剂对化学镀Ni-P镀层磷含量及分布、表面表貌、耐蚀性等方面的影响。浸泡实验、镀层腐蚀后表面扫描电镜观察及能谱成分分析表明:镀层耐蚀性主要受镀层磷含量影响,并且与镀层表面形貌、磷含量变化等因素有关。分析表明:以上因素均可归因于络合剂种类的选择。 相似文献
5.
6.
本文讨论定义在 Hilbert 空间 H 上,值域在 H 中的全体有界线性算子空间 B(H)上的七种局部凸拓扑结构。 相似文献
7.
采用单源化学气相沉积(SSCVD)法,在石英衬底上以Au为缓冲层,Zn4(OH)2(O2CCH3)6.2H2O为固相源制备ZnO薄膜。SEM和XRD测试ZnO薄膜的微结构,结果表明:相对于SiO2衬底上生长的ZnO薄膜,Au/SiO2衬底上生长的ZnO薄膜具有较好的结晶质量和表面平整度;对制备ZnO薄膜的衬底温度进行了工艺优化,结果表明:500℃时制备的ZnO薄膜颗粒大小均匀,结晶质量较好;通过荧光光谱仪对Au/SiO2衬底上的ZnO薄膜进行光致发光(PL)谱测试,ZnO薄膜在400nm出现紫光发射峰,而没有出现与缺陷相关的深能级发射峰,表明ZnO薄膜具有较好的结晶质量。 相似文献
8.
为了制备ZnO释能电阻并研究Al掺杂浓度对ZnO释能电阻材料的影响,通过改进的制陶工艺制备了不同Al掺杂浓度的ZnO导电陶瓷。实验结果表明,Al掺杂浓度对ZnO释能电阻的导电性、能量密度和线性度均有较大的影响。Al的掺杂能较好地改善ZnO释能电阻的线性度,非线性系数可低至1.02;Al掺杂能很好地控制ZnO的电阻率,使其达到0.54 Ω·cm;Al掺杂还能较好地改善ZnO陶瓷的均匀性和密度,从而提高ZnO释能电阻的能量吸收密度,能量吸收密度高达720 J/cm3,较金属释能材料高出2~3倍。 相似文献
9.
电极材料对IGZO薄膜晶体管性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用射频磁控溅射方法在n型硅片上制备了底栅顶结构的铟镓锌氧-薄膜晶体管(IGZO-TFT)。分别采用Au、Cu、Al 3种金属材料作为电极,研究不同电极材料对IGZO薄膜晶体管性能的影响。器件的输出特性和转移特性测试结果表明:以Au为电极的IGZO-TFT具有最佳的性能,其饱和输出电流达到17.9μA,开关比达到1.4×106。基于功函数比较分析了3种电极的接触特性,根据TLM(Transmission line model)理论推算得出Au电极具有三者中最小的接触电阻。 相似文献
10.
重组竹加工工艺软化处理致关重要,本试验选择四川省绵竹地区生产的2~3龄楠竹、斑竹、水竹、白夹竹和苦竹5竹材,经过15%NaOH,15%KOH,40%尿素,25%氨水浸泡和水煮软化处理,测其软化前和软化后竹材横纹和顺纹抗压强度,结果是常用的热水煮、尿素和氨水等软化效果不如NaOH溶液或KOH溶液软化效果好,原因是由于强碱溶液可以溶解和破坏竹材内部很多物质而降低竹材的产品质量[1].氨水软化处理白夹竹顺纹抗压力质耗大,楠竹和水竹横纹抗压力质耗大;尿素软化处理白夹竹和水竹顺纹抗压力质耗大,楠竹、斑竹和苦竹横纹抗压力质耗大:NaOH和KOH溶液软化处理顺纹抗压力质耗都大,楠竹和水竹横纹抗压力质耗大;水煮白夹竹、水竹和斑竹顺纹抗压力质耗大,楠竹和水竹横纹抗压力质耗大. 相似文献