现代教育技术发展的现状及前景

着重讨论了国内现代教育技术发展的现状，取得的重要成果和存在的问题，并分析了现代教育技术发展的前景，以教育的信息带动教育现代化，实现基础教育跨越式发展，以现代信息技术推动现代教育媒体技术的发展，创造更好的教学环境，现代远程教育作为扩大规模，推广终身教育的重要办学形式将得到迅速发展。     

NaF薄膜的结构与应力分析

采用脉冲激光沉积（PLD）法在Si（100）衬底上生长了NaF薄膜．分别用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）对薄膜的微观结构、表面形貌以及薄膜应力进行了表征与分析．AFM测试结果表明，低激光能量密度下制备的薄膜表面均匀、致密，均方根粗糙度（Rms）仅为0．538nm；XRD分析结果表明，用脉冲激光沉积方法制备的氟化钠薄膜在（222）晶面有明显的择优取向．应力分析薄膜的残余应力为压应力，应力大小随激光能量密度的增加而增加；XPS分析结果表明，热蒸发制备的NaF薄膜氧含量明显高于PLD方法制备的NaF薄膜的氧含量．热蒸发方法制备的薄膜中的氧含主要来源于水中的氧，PLD方法制备的薄膜中的氧主要来源于游离态氧，说明PLD方法制备的薄膜不容易潮解．     

KMgF_3∶Ni~(2+)晶体局域结构研究

采用赵敏光等的μkα模型，在强场图象中建立了3d^8电子组态的多重态计算公式，利用高阶微挠公式推导出顺磁g因数的计算解析表达式，并在能量矩阵、g因数与掺杂真实晶体结构常数之间建立起关联公式．将此模型应用于KMgF3：Ni^2＋晶体，计算其d—d跃迁光谱和EPR谱并与实验数据对比，发现KMgF3晶体在掺入Ni^2＋后其结构应发生同向延伸变化，畸变量△R=0．004nm，计算结果与实验值符合较好．     

CdSe纳米晶薄膜的制备与特性研究

采用真空热蒸发技术,在光学玻璃基片上生长出排列整齐、高质量的CdSe纳米晶薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(IR)等进行表征.结果表明,薄膜结晶性能较好,纳米晶颗粒约为40 ～70 nm,呈半月状,排列整齐;化学元素配比为49.4∶50.6,稍微富Se;红外透过率高,禁带宽度为1.89 eV,高于块状的CdSe晶体(1.70 eV).     

Ni(en)3[Ni(en)2Ag2(NCS)6]·H2O晶体的吸收光谱和EPR谱的研究

采用半自洽场(semi-SCF) d轨道模型和点电荷模型,建立起了过渡金属离子晶体局域结构、吸收光谱与EPR谱之间的定量关系,应用高阶微扰的方法,引入平均共价因子N,统一的解释了ENST晶体中过渡金属Ni2+在D4h对称的伸长和压缩八面体时的吸收光谱、顺磁g因子和零场分裂D的值,其计算结果与实验发现较好的符合,同时本文还确定了实验中测得的零场分裂D的符号以及在实验中未测得的部分吸收光谱的值.     

CsCl：Cr和CsBr：Cr的光谱和g因子的理论研究

文用参量化轨道理论和双自旋轨道语系数模型计算了掺Cr^3 的CsBr和CsBr晶体的光谱和顺磁g因子,得到了和实验数据符合很好的结果。     

NaF薄膜的脉冲激光沉积法制备与结构研究

 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在Si(100)衬底上制备了NaF薄膜。在激光重复频率2 Hz,能量密度3 J/cm²,本底真空度5×10^-5 Pa的条件下,研究衬底温度对薄膜沉积速率及结构的影响。台阶仪分析表明：薄膜的沉积速率随衬底温度增加呈指数函数增加,算出NaF薄膜的反应激活能为48.67 kJ/mol。原子力显微镜分析表明：薄膜致密而光滑,均方根粗糙度为0.553 nm。扫描电镜截面微观形貌分析表明：薄膜呈现柱状结构。X射线衍射分析表明：NaF薄膜为面心立方晶体结构,并具有显著的择优取向;当衬底温度约为400 ℃时,平均晶粒尺寸最大(129.6 nm),晶格微应变最小(0.225%)。     

d~3络合物零场分裂的双自旋-轨道耦合参数模型

建立了三角对称d~3络合物零场分裂的双自旋-轨道耦合参数模型,它包括了经典晶场模型的零场分裂公式所忽略的配体贡献D(ζ_p)以及配体与中心离子相互耦合贡献D(ζ_d,ζ_p)的两部份;讨论了在不同的ζ_p,ζ_d及λ_r的情况下D(ζ_p)及D(ζ_d,ζ_p)的相对大小;指出了在ζ_p.及λ_r较大的情况下双自旋-轨道(so)耦合参数模型才能给出合理的结果;作为该模型的应用,计算了VCl_2和VBr_2的零场分裂,验证了D(ζ_p)对VBr_2的零场分裂是不可忽略的,并给出了与实验一致的结果.     

掺杂晶体SrLaAlO4:Cr3+局域结构的研究

采用半自洽场 (semi-SCF) d轨道波函数模型和点电荷模型,利用高阶微扰公式,在晶体掺杂过渡金属离子后其结构对称性不会被破坏的条件下,由d-d跃迁光谱和EPR谱,确定SrLaAlO4: Cr3+晶体的局域结构.计算发现,掺入Cr3+后,晶体的键长为:R′⊥=0.1922nm, R′∥=0.2197nm.所得计算结果与实验值吻合得很好.     

ZnO薄膜的研究现状

通过介绍ZnO的晶体结构和基本物理性质,系统地讲述国内外ZnO薄膜的溅射法、喷雾热解法(SP)、气相沉积法(CVD)、脉冲激光沉积法(PLD)、溶胶-凝胶法(Sol-gel)等制备方法及各自的优缺点,较为详细地列举了国内外ZnO薄膜在工程技术中的应用.