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1.
RP-HPLC法测定不同方法加工天麻中天麻素含量 总被引:1,自引:0,他引:1
研究和评估了3种加工新鲜天麻的方法.方法:新鲜天麻分别经水蒸汽法、125℃加热烘烤法和60℃加热烘烤法后制成干天麻,用RP-HPLC法测定.结论:按3种方法制备所得干天麻中的天麻素含量分别为0.1316%,0.1313%和0.0270%.实验结果分析表明:水蒸汽法最适合中药材天麻的加工,有良好的外观;125℃加热烘烤法特别适合制药工业对天麻粉末的需要;60℃加热法是不可取的方法.另外,及时加工是保持天麻素含量在天麻中稳定的一项关键措施. 相似文献
2.
上海市鸟类记录及变化 总被引:1,自引:0,他引:1
上海有着丰富的鸟类多样性.结合野外调查、资料收集以及标本查阅,对上海鸟类名录进行了整理.从二十世纪初至今,上海市有记录的鸟类共计20目70科438种,其中2000年至今在上海市记录到的鸟类有373种.与二十世纪九十年代初整理的上海鸟类名录相比,本名录增加鸟类新记录52种,但65种在历史上有记录的鸟类在近年没有记录.气候变化以及人类活动所带来的环境改变可能是上海地区鸟类种类发生变化的重要原因.另外,观鸟活动的开展大大提高了发现鸟类新记录的机会.观鸟者的观鸟记录为了解鸟类多样性的现状及其变化提供了重要参考资料. 相似文献
3.
在HIT太阳电池非晶硅沉积过程中,单晶硅衬底的绒面金字塔沟壑处易发生外延生长,影响电池输出性能.采用碱性体系(NaClO溶液)对硅片进行绒面形貌修饰,在NaOH的各向异性刻蚀和NaClO的氧化作用下,金字塔结构由尖锐的四面体向较圆滑的“锥形”转变,尤其金字塔底部变得平滑.随着形貌修饰时间的增加,样品表面平均反射率呈线性增大,从未修饰样品的12.48;升高至13.79;,钝化后硅片少子寿命显著提升,绒面形貌修饰有效改善了界面钝化质量,中长波外量子效率提升,从而实现电池电性能的提升.样品绒面形貌修饰45 min后,开路电压从656.3 mV升高至699.8 mV,转换效率提高1.8;.此外,研究了反应温度对表面形貌修饰及HIT太阳电池性能的影响,基于70℃、10; NaClO溶液、45 min的绒面修饰条件下制备的HIT太阳电池转换效率达到最高,为12.02;. 相似文献
4.
首先扼要介绍了用于联想记忆和模式识别的协同学标准模型,以及求解Van der Pol方程的慢变幅值和旋转波近似计算方法。在理解分析H.Haken提出的Van der Pol振荡神经网络理论基础上,简化了H.Haken关于该网格具有联想记忆功能的复杂论证过程。 相似文献
5.
新闻文体因其自身的特点和传播功能而在语言运用上形成了个性鲜明的特点。从新闻文体的用词、语法及修辞等方面,论述了新闻文体的语言特色。 相似文献
6.
7.
Carlson分形格电路是分抗的理想逼近情形,但仅具有负半阶运算性能,逼近效益随着电路节次数的增加逐渐降低.虽然可嵌套得到-1/2~n阶(n为大于或等于2的整数)分抗逼近电路,但结构复杂,无法实现任意分数阶运算.通过类比拓展Carlson分形格电路,获得具有高逼近效益的任意实数阶微积算子的分抗逼近电路——标度分形格分抗,并用非正则格型标度方程进行数学描述.分别探讨非正则格型标度方程的近似求解和真实解.通过调节电阻递进比α与电容递进比β的取值,可构造出具有任意运算阶的标度分形格分抗逼近电路.标度拓展极大地提高了标度分形格分抗电路的逼近效益.随着标度因子的增加,负半阶标度分形格分抗的逼近效益逐渐增大并明显高于Carlson分形格分抗.设计了基于五节Carlson分形格分抗与负半阶标度分形格分抗的半阶微分运算电路,并对周期三角波和周期方波信号进行半阶微分运算,实验测试结果与理论分析一致. 相似文献
8.
从新的分数阶微积分概念出发,根据分抗逼近电路的数学原理,首次全面考察各型Roy分形分抗逼近电路的运算特征与逼近性能。引入阶频特征函数并结合相频特征函数来表征分抗、分抗逼近电路的运算特征。依据分抗逼近电路的频域性能参数,从阶频与相频两方面进行直观、全面地性能分析。首先由连分式迭代算法公式,数值算出各型Roy分形分抗逼近电路的阻抗函数序列,进而获得阶频特征、相频特征函数、逼近带宽指数,最后精确求出各型Roy分形分抗逼近电路的K指标、O指标、P指标,逼近效益等刻画分抗运算特征与逼近性能的参数。数值仿真表明,阶频特征与相频特征直观刻画Roy分形分抗逼近电路的运算特征,是分析分抗、分抗逼近电路以及分数阶电路与系统运算性能的数学基础。采用频域性能指标在分析不同类型的分抗逼近电路的逼近性能时具有统一的定量分析标准。 相似文献
9.
本文针对某公司电力容量扩展问题,采用一元线性回归模型拟合未来10年的需求量,再建立0-1非线性整数规划模型,并将该模型的0-1变量连续化处理,采用遗传算法中的GENOCOP算法求解。 相似文献
10.
分析B型分形塔分抗逼近电路的特征,该电路只具有负半阶运算性能.结合标度拓展理论,获得具有任意实数阶微积算子的分抗逼近电路——标度分形塔分抗逼近电路,并用非正则双重标度方程进行描述.分析该分抗逼近电路的运算性能和逼近性能.运用典型的数值求解算法分析频域特征及运算特征,对比不同初始阻抗值对零极点分布及频域曲线的影响.结合运算特征曲线与标度特征参量的不同取值情形,理论分析标度分形塔分抗逼近电路的优化原理并给出具体优化方法.对比分析标度分形塔分抗优化前后的逼近性能,定量分析运算振荡现象.介绍标度分形塔分抗的实际电路设计方案并给出实例,使用电阻电容与有源器件将该分抗的运算阶由-1μ0推广为0|μ|2.标度分形塔分抗逼近电路及其优化电路为分抗的构造与应用提供新思路. 相似文献