等电荷态离子与He原子碰撞中的转移电离过程研究

采用位置灵敏探测和飞行时间技术测量了等电荷态离子C^q 、N^q 、O^q 、Ne^q (q=4，5，6，7)与He原子碰撞中，转移电离截面与单电子俘获截面的比值Ro研究了相同q入射的情况下，R与入射离子核电荷数Z的依赖关系。在统计蒸发模型的基础上对实验结果进行了解释。     

用紧耦合方法研究C4+和O6+与He原子碰撞

用双中心原子轨道紧耦合方法计算了C4+-He以及O6+-He碰撞的单俘获总截面,入射离子的能量范围为10～100keV/amu,所得计算结果在实验误差范围内与实验值很好符合.对满壳层入射离子,研究了单俘获截面随入射离子电荷态的变化,并讨论了原子轨道展开波函数数目对计算结果的影响.p     

Na离子和Cl离子引起He原子直接多重电离过程的研究

利用2～8 MeV的Naq+、Clq+(q=2,3,4,5)轰击氦原子,对碰撞的直接多重电离过程进行研究.实验采用反冲离子-散射离子飞行时间符合技术,通过反冲离子飞行时间谱区分不同价态反冲离子;利用静电偏转和位置灵敏探测技术区分不同电荷态散射离子;结合CAMAC-PC多参数获取系统得到一定价态散射离子所对应的反冲离子电荷态分布谱;经分析该谱得到直接多重电离截面与直接单电离截面之比R21.讨论了R21随入射离子速度和电荷态的变化关系.     

低能质子引起的原子L壳的电离

利用270—450Kev 质子轰击 Pd、Ag、Cd、In、Ta、Au 和 Pb 厚靶、测得 L X—线产生截面,并与ECPSSR 理论作了比较.     

0.4-3.0Mev质子激发Al和Si薄靶的k-x射线研究

我们研究了能量在0.4—3.0Mev 范围的质子轰击 Al 和 Si 薄靶产生的 k 壳层 X 射线,得到了 k 壳层 X 射线产生截面以及相应的电离截面,并与 PWBA 及 ECPSSR 的预言值作了比较.     

高压原子物理实验平台和物理研究规划

介绍了高压原子物理平台束流线的主要结构和特点,简要分析了利用高压平台真空原子分子物理研究需求,讨论了开展原子分子物理、表面物理、材料物理和生物物理相关的物理研究的可能性.     

Transfer ionization cross-sections measured in collisions of highly charged argon ions with neon target

: Multiple electron transfer processes are studied for Arq+n- Ne (q= 8, 9, 11, 12) collisions by using multi-parameter coincidence techniques. Various electron transfer processes are identified experimentally and the related cross-sections are measured. The dependence of transfer ionization cross-sections on the recoil charge states is compared with the results from the modified molecular classical overbarrier model. It is found that the modified model described the experimental results reasonably.     

基于联合分离原子模型的电离理论

采用微扰静态(PSS)模型近似处理极化和结合能效应，并引入了相对论效应、能量损失效应和库仑偏转效应修正的ECPSSR理论是描述直接库仑电离过程最成功的理论，但对于低能离子入射时， 其结果明显低于实验值. 采用联合分离原子(USA)模型替代ECPSSR中的PSS模型，考虑分子轨道效应得到了基于USA模型的电离理论——MECUSAR理论. 对部分碰撞系统进行了计算，得到的碰撞截面与实验结果基本符合. 结合OBKN(Oppenheimer-Brinkman-Kramers formulas of Nikolae 关键词： X射线产生截面 离子-原子碰撞 电子俘获     

大学生课外使用英语情况的个案调查与分析

我们采用问卷调查的形式，对受试者课外使用英语的情况、不同课外英语活动对英语学习的重要性的情况、高分组受试者与低分组受试者课外使用英语情况、受试者课外使用英语情况与英语成绩的相关关系等方面进行了调查与分析。我们认为，大学英语教学应该将学生课外使用英语这一环节纳入到大学英语教学计划中去，应该以学习者为中心来确立教学内容和教学方法，应该高度重视培养学生的自主学习能力。