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在图像相关位移测量方法中一般采用正方型子区搜索中心点的位移.当测量靠近裂纹或缺陷部位的位移时中心型子区失去效果,为了解决这一问题提出了非中心型子区的方法.证明了方法的有效性.认为在相关搜索时测量点既可选定在子区的中心位置,也可选定在非中心位置.进而提出了将测量点确定在子区角点的多种子区的方法.除通常的中心型子区外,至少还有4种子区可以采用,分别是右下角型、左下角型、右上角型和左上角型,这4种子区不但适用于表面裂纹或缺陷部位的位移测量,而且增加了图像有效信息的提取面积. 相似文献
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利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
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花丝内插物强化竖直管内凝结换热的实验研究 总被引:1,自引:1,他引:0
1前言大空隙率多孔体管内插物-绕花丝内插物,被认为是强化管内凝结换热的最有效途径之一[1].但以往的研究,由于实验雷诺数范围较小,蒸汽速度较低,要正确全面评价其性能尚显不够。本文在原有工作的基础上,进一步完善了实验系统,改进了测试手段,扩大了实验雷诺数范围,并测试了其阻力性能,对花丝内插物强化管内凝结换热进行了较深入全面的实验研究,以全面评价花丝内插物对管内凝结换热的强化效果。2实验系统本文实验系统如图1所示。实验段是一个竖直套管冷凝器,如图2所示.本试验研究蒸汽完全凝结时的传热。凝结水流量采用容积法计… 相似文献
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本文根据两步递归插补的思想,导出了任意三维椭圆弧高速插补的公式和算法.它是空间圆弧高速插补方法在三维椭圆弧的情况下进一步推广应用.本文最后还对插补算法进行了稳定性分析和误差分析. 相似文献
8.
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本文对子平面上具有一次和三次项的系统的运动稳定性判据,中心焦点判据,以及奇点附近的极限环族存在的判据作了计算机公式推导,彻底求出显式公式 相似文献
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