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石少波 《河北理工大学学报(自然科学版)》2005,27(2)
就人体胆汁胆固醇单水结晶形成过程提出了类DLVO理论,应用该理论初步阐明了其结晶过程可能的化学物理机制,并分析了该理论在促、抗成核因子及溶石方面的意义. 相似文献
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描绘了胆固醇型结石形成过程中胆固醇结晶的生化图景。着重从相变动力学的角度对过饱和胆汁结晶过程进行了分析,提出了可能的结晶机制。通过简化的模型.,给出了结晶推动力,并绘制了可能的C-X图。△Gs,△Gn,△Gnuc的提出可能促进促、抗成核因子的相关研究。 相似文献
3.
介绍了我们通过制作演示实验装置促进动手动脑的大学物理探索式学习的教学改革实践.详细说明了"动手动脑"学习的试验过程、试验结果.自制物理演示实验装置给学生提供了一个可以自主选题的探索式学习平台. 相似文献
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石少波 《河北理工大学学报(自然科学版)》2010,32(3)
用实空间重整化群方法研究了正方格子和Sierpinski地毯上断裂模型的临界行为,得到相应的临界值和与长度有关的临界指数.不同格子上同种相变模型临值的大小决定于格子的内部联结方式,临界指数不同说明它们属于不同的普适类. 相似文献
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石少波 《河北理工学院学报》2005,27(2):102-104,108
就人体胆汁胆固醇单水结晶形成过程提出了类DLVO理论,应用该理论初步阐明了其结晶过程可能的化学物理机制,并分析了该理论在促、抗风核因于及溶石方面的意义。 相似文献
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描绘了胆固醇型结石形成过程中胆固醇结晶的生化图景.着重从相变动力学的角度对过饱和胆汁结晶过程进行了分析,提出了可能的结晶机制.通过简化的模型,给出了结晶推动力,并绘制了可能的G~X图.ΔGs,ΔGn,ΔGnuc的提出可能促进促、抗成核因子的相关研究. 相似文献
8.
石少波 《西北师范大学学报(自然科学版)》2009,45(6):39-42
提出了一种新的自回避行走模型(飞蚁模型),用重整化群方法计算了该模型的临界值和分形维数,分别为Kc=0.511 938,df=0.879 199,并和真实自回避行走(TSAW)模型的结果相比较,证明了所得结果的合理性. 相似文献
9.
The effects of annealing temperature on the structural and optical properties of ZnO films grown on Si (100) substrates by sol-gel spin-coating are investigated. The structural and optical properties are characterized by x-ray diffraction, scanning electron microscopy and photoluminescence spectra. X-ray diffraction analysis shows the crystal quality of ZnO films becomes better after annealing at high temperature. The grain size increases with the temperature increasing. It is found that the tensile stress in the plane of ZnO films first increases and then decreases with the annealing temperature increasing, reaching the maximum value of 1.8 GPa at 700℃. PL spectra of ZnO films annealed at various temperatures consists of a near band edge emission around 380 nm and visible emissions due to the electronic defects, which are related to deep level emissions, such as oxide antisite (OZn), interstitial oxygen (Oi), interstitial zinc (Zni) and zinc vacancy (VZn^-), which are generated during annealing process. The evolution of defects is analyzed by PL spectra based on the energy of the electronic transitions. 相似文献
10.
本文通过化学浴沉积法获得了直径约为50 nm, 长度约为250 nm的ZnO纳米棒阵列, 引入纳米ZnS对ZnO纳米棒进行表面修饰, 分别制备得到了具有ITO (indium tin oxides)/ZnO/Poly-(3-hexylthiophene) (P3HT)/Au和ITO/ZnO@ZnS/P3HT/Au结构的多层器件. 通过I-V曲线对比讨论了两种结构器件的开启电压, 串联电阻, 反向漏电流及整流比等参数, 认为包含ZnS修饰层器件的开启电压、串联电阻、反向漏电流明显降低, 整流比显著增强, 展现出更优异的电子传输性能. 光致发光光谱分析结果证实由于ZnS使ZnO纳米 棒的表面缺陷产生的非辐射复合被明显抑制, 弱化了电场激发下的载流子陷获, 改善了器件的导电特性.
关键词:
ZnO纳米棒阵列
表面修饰
电流-电压特性 相似文献