Fe-N软磁薄膜的结构和性能

用RF溅射制备厚度为200 nm的Fe-N薄膜在250℃, 12000 A/m磁场下真空热处理后，当N含量在5%～7%(原子百分数)范围内形成α′+α″相时，4πM_S可达2.4 T, H_c＜80 A/m, 2～10 MHz下高频相对导磁率μ_r=1500，可满足针对10 Gb/in2存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要. Fe-N系薄膜中α′相的形成机理和点阵常数与块状试样按Bain机理形成的α′相有明显的差别，得到了薄膜中α′相的a,c与Cα′_N之间的线性关系式.     

超高强钢的滞后破环

用WOL和悬臂梁试样研究了高强度镀镉钢35°CrMnSiA,并确定了钢中和镀层中的氢量。镀层富氢,在200℃通过光亮,致密镀层脱氢很慢,钢中氢量起初升高,2—2.5小时后达到峰值,然后下降。钢的滞后破坏性能取决于钢中氢量,当钢中氢量达到峰值时,其KISCC最小,da/dt最大。为了提高武器质量,有必要延长脱氢时间。     

稀土元素对氢在铁中渗透过程的影响

本文用电化学方法研究了稀土元素Nd和La对工业纯铁中氢的渗透过程和扩散系数的影响。实验结果表明,随着铁中Nd或La含量的增加,氢的渗透过程减慢、扩散系数下降。固溶Nd和La原子是铁中氢的可逆浅陷井。固溶Nd原子与氢的结合能为4.4kcal/mol。当钕含量在0.082wt.％以下时,氢在铁中的扩散过程激活能为6.1kcal/mol。实验还测定了含Nd铁中氢的渗透过程激活能为8.7kcal/mol。     

C3N4硬膜的人工合成和鉴定 *

用微波等离子体化学气相沉积法 (MPCVD)在硅和铂衬底上得到高质量的C₃N₄薄膜 .计算了α-C₃N₄和β-C₃N₄单相X射线谱的峰位和强度 ,沉积膜的X射线谱具有两相的所有强峰 ,证明它是α- 和β- C₃N₄的混合物 .总的N/C比在1.0～2.0之间 .FT-IR和Raman谱支持C—N共价键的存在 .体积弹性模量达到349GPa .对薄膜特性的鉴定提出了一些看法.     

钢在H_2S中的应力腐蚀机构

用抛光的WOL型恒位移试样跟踪观察了各种低合金钢在H_2S中应力腐蚀裂纹产生和扩展的规律。结果表明:当钢的强度和K_I均大于临界值之后,在裂纹前端将会发生滞后塑性变形,即裂纹前端塑性区的大小及其变形量将随时间延长而逐渐增加,当这种滞后塑性变形发展到临界状态时就会导致应力腐蚀裂纹的产生和扩展。 对超高强钢来说,当这个滞后塑性区闭合后应力腐蚀裂纹就在其端点形核,随着滞后塑性变形的发展,这些不连续的应力腐蚀裂纹逐渐长大并互相连接。对强度较低的钢,随滞后塑性变形的发展,应力腐蚀裂纹沿着滞后塑性区边界向前扩展。 已经证明这个滞后塑性变形是由氢引起的,称作氢致滞后塑性变形。 利用WOL型试样测量了在H_2S气体以及H_2S饱和水溶液中的K_(ISCC)和da/dt研究了它们随强度变化的规律,以及阴极极化和阳极极化对超高强钢K_(ISCC)和da/dt的影响。     

不同速度拉伸变形时高纯铁的正电子湮没研究

本文采用慢拉伸与正电子多普勒展宽方法相结合,研究应变速率对正电子S参数与形变量ε变化规律(S-ε曲线)的影响,获得如下结果:1)高纯铁慢拉伸条件下,其S-ε曲线出现不饱和现象,应变速率越小,不饱和现象越明显;2)高纯铁中S-ε曲线随应变速率变化的原因归结于不同应变速率拉伸所产生的位错组态不同;3)高纯铁拉伸变形时,S参数的增加一部份来源于位错,另一部份来源于空位,空位及其聚合物是导致S-ε曲线不饱和的主要原因。 关键词：     

钕和镧对氢在铁中渗透过程的影响

用电化学方法研究了钕和镧对工业纯铁中氢的渗透过程和扩散系数的影响。随着铁中钕或镧含量的增加,氢的渗透过程减慢、扩散系数下降。固溶钕和镧原子是铁中氢的可逆浅陷阱。固溶钕原子与氢的结合能为4.4kcal/mol。当钕含量<0.082wt％时,氢的扩散过程激活能为6.1kcal/mol,含钕的铁中氢的渗透过程激活能为8.7kcal/mol。     

应用正电子湮没技术研究多晶形变镍中氢和缺陷的互作用

本文采用正电子湮没的多普勒展宽方法,研究冷轧形变镍中阴极充氢后氢与缺陷的互作用行为。实验结果表明:冷轧镍电解充氢以后其S参数显著上升,S参数上升量的大小取决于试样内部的空位浓度,与位错密度的大小关系不大。由此提出氢与空位互作用形成以氢为核心的空位团的机制,解释了实验中观察到的现象。     

The structure and magnetic properties of Fe- N thin films

200 nm Fe-N thin films deposited on glass substrates by RF sputtering were vacuum annealed at 250-350℃ under 12000 A/m magnetic field. Heat treatment was effective in improving the soft magnetic properties of the Fe-N film. When the nitrogen content was in the range of 5-7 at. %,the thin films consisted of α′ + α" after heat treatment and had excellent soft magnetic properties of 4πMs = 2.4 T, Hc ＜ 80 A/m, μr = 1500 under 2-10 MHz. The properties of the films meet the needs of a write head material used in the dual element GMR/inductive heads. The fromation mechanism and lattice constants of the α′ phase in Fe-N thin film are different from Jack's results obtained from γ→α′transformation in bulk samples. The linear relationship between a, c and Ca'N for thin film was obtained asc = 2. 866+ 1.559Ca'N,a = 2.866 + 0.181Ca'N.``     

CRYSTALLINE CARBON NITRIDE THIN FILMS DEPOSITED BY MICROWAVE PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION

The crystalline carbon nitride thin films have been prepared on Si (100) substrates using microwave plasma chemical vapor deposition technique. The experimental X-ray diffraction pattern of the films prepared contain all the strong peaks of α-C₃N₄ and β-C₃N₄, but most of the peaks are overlapped.The films are composed of α-C₃N₄ and β-C₃N₄. The N/C atomic ratio is close to the stoichiometric value 1.33. X-ray photoelectron spectroscopic analysis indicated that the binding energies of C 1s and N 1s are 286.43eV and 399.08 eV respectively. The shifts are attributed to the polarization of C-N bond. Both observed Raman and Fourier transform infrared spectra were compared with the theoretical calculations. The results support the existence of C-N covalent bond in α- and β-C₃N₄ mixture.