HL-2A装置硅化对杂质线辐射的影响

在2004年的实验中，首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理，在这种硅化器壁的条件下，对轻重杂质的线辐射进行了研究，并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中，通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗，研究了硅化对氢再循环的影响。     

用于强磁场的快响应真空规的研制进展

研制了能在强磁场、强干扰环境下工作的快响应真空电离规(快规),用于对HL 2A装置偏滤器室和等离子体附近的中性粒子密度和通量进行原位测量。介绍了快规的结构、工作原理、设计要点以及实验结果。在无磁场的情况下,快规对气体压强的测量范围为6.4×10-6～0.15Pa,在1×10-5～0.15Pa范围内,快规收集极离子流与发射电子流之比与气压保持良好线性关系;在0 15T的磁场下,快规的规管常数未发生显著变化,在规管对称轴与磁力线的夹角小于15o时,规管常数的变化小于10%。     

网络环境下图书馆的管理特点与方法初探

近年来,网络技术的高速发展对传统模式的图书馆管理工作带来了很大程度上的冲击,为了更好地在互联网环境下开展图书馆的管理工作,我们需要不断地进行图书馆管理模式的改革与创新,加快调整更新图书馆的管理观念和方式。本文针对网络环境下图书馆的管理模式与方法进行探析,提出一些观点,以供参考。     

表取采样机构悬吊式低重力补偿装置设计

在探月工程三期中,为了满足表取采样机构地面试验环境构建的要求,在调研重力补偿方法的基础上,设计表取采样机构悬吊式低重力补偿装置.根据表取采样机构运动规律,确定了"补偿装置与表采机构运动对应一致"的设计思想,形成了主、从臂配重补偿方案,对装置设计进行详细的理论分析,完善了重力补偿装置的结构设计.     

HL-2A装置偏滤器室中性气体压强的初步研究

HL-2A装置上首次实现了偏滤器位形放电。采用专门研制的可在强磁场和强噪声环境下工作的快响应真空电离规对偏滤器室内的中性气体压强进行了测量,给出了HL-2A装置偏滤器有关结构的基础数据。初步研究了偏滤器位形和孔栏位形放电期间偏滤器室中性气体压强的特性。     

溶剂热法合成CoS2纳米粉体

本文采用溶剂热法,以CoCl2·6H2O 、Na2S·9H2O为原料,乙二醇和无水乙醇为溶剂,在180 ℃恒温下制备出CoS2纳米粉体.用XRD和SEM、TEM对其组成、粒径大小、表面形貌进行表征,用VSM对其铁磁性进行测量.结果表明, 制得的CoS2为粒度均匀、粒径分布在10～50nm之间的球形铁磁性纳米材料.     

氘束轰击石墨化学腐蚀的实验研究

石墨的化学腐蚀实验是在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪的分析室中进行的，用高能氘离子束或与电子束联合辐照石墨，石墨温度从３００－１０００ＫＷ可调。辐照下释放的产物用四极质谱探头进行了质谱分析，得到了１．３μＡ、３ｋｅＶ氘束轰击下ＤＳＭＦ－８００石墨释放氘甲烷的温度特性，在７８０Ｋ处有一释放高峰。     

浅谈阅读对少儿读者成长的重要性

阅读是每个人必备的能力,阅读应当成为陪伴我们终身的行为。阐述了阅读对少儿读者成长的重要性,探讨了公共图书馆对推动少儿阅读的作用。     

HL—1M装置内壁锂涂覆实验

Li是原子序数最小的金属元素,具有非常活泼的化学活性,是最有希望的第一壁材料。TFTR装置经过锂化后提高了等离子体存储能量、中心离子温度和密度的峰化以及聚变反应速率,表明了原位锂化的巨大优越性。原位硅化已成为HL－1M装置常规壁处理手段,与此同时,HL－1M装置也正在探索先进的锂化工艺技术。本文介绍了HL－1M装置锂化技术的进展、锂化效果和锂化后的内壁状态以及目前锂化技术的不足。     

Impurity behaviours of HL-2A divertor tokamak during the initial operation period

The divertor configuration was successfully formed and the siliconization as a wall conditioning was first achieved on HL-2A tokamak experimentally in 2004. The divertor configuration is reconstructed by the use of the CFC code. Impurity as an important issue is investigated in the experiments with divertor configuration and wall conditioning. Impurities dramatically decrease after both the divertor configuration is formed and silicon is coated on the surface of the vacuum vessel.