开关稳压电源的原理及故障定位

随着科学技术的发展,电力电子设备在人们工作、生活中扮演着无可比拟的角色,而电子设备都离不开稳定可靠的电源,因此开关稳压电源开始发挥越来越重要的作用。     

Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究

报道Ge在Ru(0001)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜（STM）和x射线光电子能谱（XPS）研究. STM的实验结果表明Ge在Ru(0001)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式，Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长，而从第二层开始呈岛状生长. XPS测量显示衬底Ru(0001)与Ge的相互作用很弱. Ru(0001)表面的Ru 3d5/2和Ru 3d3/2芯态结合能分别处于2798和2840 eV. 随着Ge的生长，到Ge层的厚度为20个单原子层，衬底Ru 3d芯态结合能减小了约02 eV，而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的289 eV增加到了290 eV，其相对位移约为01 eV. 关键词： Ge Ru表面 生长 相互作用     

试析公路交通费改税难以实施的原因

费改税是一项深刻而艰巨的任务,涉及面广,许多行业都存在着费改税的需要,但根据国务院的部署,把交通与车辆费改税作为费改税的突破口,其原因主要是因为前一时期我国公路乱收费的情况反映强烈,从各部门的规费征收情况来看,交通规费费收的规模在国民经济各部门中首屈一指.     

兰考方言语汇拾零

本文按意义列出了15美兰考话与普通话有不同说法的词语，并按国际音标注音。     

Si3N4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究

利用原位扫描隧道显微镜和低能电子衍射分析了Si的纳米颗粒在Si₃N₄/Si(111)和Si₃N₄/Si(100)表面生长过程的结构演变.在生长早期T为350—1075K范围内,Si在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇,这些团簇的大小均在几个纳米范围内,并且在高温退火时保持相当稳定的形状而不相互融合.当生长继续时,Si的晶体小面开始显现.在晶态的Si₃N₄(0001)/S 关键词： 氮化硅 扫描隧道显微镜 纳米颗粒     

浅谈原型范畴理论与大学英语词汇教学

本文以原型范畴理论为支点,探讨了如何将其运用于英语词汇教学。在英语教学中,重视原型范畴和基本词义的讲授,才能给学生打下坚实的学习基础。词汇意义的讲解应以原型意义为中心,再向边缘意义扩展。重视多义词的讲解,可以使学生认识词的不同意义之间内在的本质联系,了解词的扩展的依据和规律性以及创建语境学习单词。词汇教学本身是一个范畴体系,应以原型范畴理论作为实践教学的指导。     

Si_3N_4/Si表面Si生长过程的扫描隧道显微镜研究

利用原位扫描隧道显微镜和低能电子衍射分析了Si的纳米颗粒在Si3N4 /Si(111)和Si3N4 /Si(10 0 )表面生长过程的结构演变 .在生长早期T为 35 0— 10 75K范围内 ,Si在两种衬底表面上都形成高密度的三维纳米团簇 ,这些团簇的大小均在几个纳米范围内 ,并且在高温退火时保持相当稳定的形状而不相互融合 .当生长继续时 ,Si的晶体小面开始显现 .在晶态的Si3N4 (0 0 0 1) /Si(111)表面 ,Si的 (111)小面生长比其他方向优先 ,生长方向与衬底Si(111)方向一致 .最后在大范围内形成以 (111)为主的晶面 .相反 ,在非晶的Si3N4 表面 ,即Si3N4 /Si(10 0 ) ,Si晶体的生长呈现完全随机的方向性 ,低指数面如 (111)和 (10 0 )面共存 ,但它们并不占据主导地位 ,大部分暴露的小面是高指数面如 (113)面 .对表面生长过程进行了探讨并给出了合理的物理解释     

Si(111)表面在NH3气氛下形成Si3N4薄膜的STM研究

利用扫描隧道显微镜(STM)对Si(111)在氨气气氛下进行氮化所获得的氮化硅薄膜形貌和表面结构进行了系统分析,结果表明在1075-1275 K的温度下对Si(111)进行氮化可以获得较平整的晶态β-Si3N4薄膜,并在氮化膜表面观察到了Si3N4(0001)表面的(4×4)再构.     

认知研究视阈下的英语颜色词模糊性研究

颜色是指物体的光波通过视觉所产生的印象.颜色词(color terms)是用来描写这种事务的颜色的词语,且是语言中词汇的重要组成部分.本文从认知范畴的模糊性出发,阐释颜色词的模糊性,并分析颜色词的模糊性产生的原因,继而从隐喻和转喻两种重要认知模式的论述,展现颜色词多义现象产生的根源,最后说明通过以上认知模式的论述,这样能很好地从认知语言学的角度探讨颜色词更容易使人理解其内涵.     

Si(111)表面在NH3气氛下形成Si3N4薄膜的STM研究

利用扫描隧道显微镜(STM)对Si(111)在氨气气氛下进行氮化所获得的氮化硅薄膜形貌和表面结构进行了系统分析,结果表明在1075—1275K的温度下对Si(111)进行氮化可以获得较平整的晶态βSi3N4薄膜,并在氮化膜表面观察到了Si3N4(0001)表面的(4×4)再构. 关键词：