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金属硅化物在微电子学的理论研究和实际应用方面有着广阔的前景,近来金属硅化物形成研究再次成为一个非常活跃的领域.理论方面,硅化物的能带结构和硅化物-硅界面研究有着重要意义.高性能和高可靠性电路制造对金属化方案的选择至关重要.金属硅化物具有低的电阻率和高的稳定性,它们在集成电路上的应用引起人们极大的关注.图1是半导体电路金属化系统两种典型结构.其中图1(a)是具有重掺源、漏区和轻渗沟道的FET结构;图1(b)是MOS结构,有一个金属栅.图1中的两种结构代表金属化系统在电路中三种典型用途:各单元的互连线、金属-半导体接触(肖特基… 相似文献
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