808 nm大功率半导体激光器阵列的优化设计

 采用激射波长为808 nm的GaAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制单量子阱结构外延片,制备了沟道深度不同的半导体激光器阵列,并对载流子分布进行理论分析和模拟。理论和实验结果表明：引入脊形台面和隔离沟道后,激光器阵列的输出功率、电光转换效率、斜率效率和光谱特性均有显著提高。随着沟道的加深,对电流侧向扩散的限制作用增强,从而提高了阵列性能。     

界面缩聚法制备聚芳酯复合纳滤膜的研究：Ⅱ.界面缩聚对复 …

以双酚Ａ（ＢＰＡ）和间苯二甲酰氯作为反应体系，采用界面缩聚的方法得到了ＮＦ－１复合纳滤膜。系统探索了界面缩聚条件对复合膜性能的影响。     

920nm光抽运垂直外腔面发射半导体激光器结构设计(英文)

设计并优化了一种用808nm的大功率激光二极管为抽运光源,In0.09Ga0.91As量子阱结构为增益介质的920nm光抽运半导体垂直外腔面发射激光器。运用有限元方法,对激光器的电特性方程和光特性方程求自洽解,计算了器件各种特性参量。分析了单个周期内不同阱的个数(1,2和3)、不同阱深、不同垒宽、不同非吸收层组分、不同非吸收层尺寸条件下,器件性能的改变,特别是模式、阈值和光-光转换效率的改变,从而选择一个最佳的结构。     

AB/CD嵌段共聚物共混体系多尺度结构的自洽场模拟

本文采用自洽场理论模拟了AB/CD嵌段共聚物共混体系的自组装. 改变组分B与D间的相互作用, 得到了不同空间尺度上的两种层状结构和只能在非对称组成情况才能得到的核壳结构. 结果表明, 这种多尺度结构的形成是因为BD间排斥作用的减弱或者吸引 作用的增强导致二者间相互融合程度的增加. 当BD间的相互融合程度与AB和CD间的相互融合程度相当时, 体系会发生宏观层状与微观层状结构间的转变. 此外, 本文还从能量角度揭示了体系发生这种结构转变的深层次原因. 关键词： 嵌段共聚物 共混 多尺度结构 自洽场     

界面缩聚法制备聚芳酯复合纳滤膜.NF-1复合纳滤膜的性能及应用初探

考察了不同操作条件以及物料性质对 Ｎ Ｆ１ 复合膜分离性能的影响以及该膜的耐试剂性能。研究表明： Ｎ Ｆ１ 膜在 ０．２ Ｍ Ｐａ 操作压力下水通量为 １．９９ Ｌ／ｍ ２·ｈ,对 Ｎａ Ｃｌ、 Ｎａ２ Ｓ Ｏ４ 等无机盐的脱盐率达到 ９０％ 以上。     

界面缩聚法制备聚芳酯复合纳滤膜的研究

分别以聚醚砜（ＰＥＳ）,磺化聚砜（ＳＰＳＦ）和ＰＥＳ合金膜为基膜,分析了相容性对膜性能以及不同种类基膜对界面缩聚的影响。用电镜分别了ＰＥＳ单组分膜和合金膜的断面形貌。结果表明：用小孔径的合金膜为基膜得到的复合膜具有较好的脱盐能力,对Ｎａ２ＳＯ４的脱除率达到９０％     

速眠新在大鼠麻醉中的应用分析

分析不同剂量速眠新麻醉大鼠的效果。将 18只大鼠分成三组 ,分别按每千克体重 0 4、0 8、1 2mL速眠新进行肌肉注射麻醉。结果给予速眠新后分别在 ( 7± 1)、( 5± 1)和 ( 4± 1)min大鼠进入麻醉状态 ,麻醉维持时间分别为 ( 31± 6 )、( 89± 11)和 ( 111± 10 )min。大鼠在麻醉维持期间呼吸频率分别为 ( 6 2± 12 )、( 6 0± 11)和 ( 70± 15 )次 /min ,心跳频率分别为 ( 175± 16 )、( 16 5± 12 )和 ( 16 5± 13)次 /min。速眠新麻醉大鼠的效果满意 ,适宜剂量为每千克体重肌肉注射 0 4mL～ 0 8mL。     

1 060 nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区设计

对1 060 nm高功率垂直腔面发射激光器的有源区进行了理论计算和设计。对比了GaAsP、GaAs和AlGaAs三种不同材料的垒层所组成的高应变InGaAs量子阱的性能。为了确定有源区阱层和垒层的参数,考虑了自热效应对功率的影响,使得模型更加精确可靠。发现所设计的In_0.28Ga_0.72As量子阱的阱宽和阱数的最佳值分别为9 nm和3个,输出功率可以达到瓦级。另外,对比了三种不同垒层的温度特性,结果显示,使用GaAsP垒层的器件在高温下具有更高的功率和更好的温度稳定性。最后,利用MOCVD生长了InGaAs/GaAsP量子阱并测试了其PL谱,实验数据与理论结果符合得很好。     

宽面积垂直腔半导体光放大器

在反射模式下,对于970 nm宽面积垂直腔半导体光放大器(VCSOA)的增益和带宽特性进行了实验研究和分析。当注入电流为57％阈值电流、信号输入功率为0.7 W,取得了24.8 dB的放大,测得的放大器的带宽为0.14 nm。实验中测量的增益值大于理论计算值,这是由于宽面积垂直腔光放大器内存在多个横向模式,每个模式都有相应的放大,所以总的增益大于理论计算的某个模式的增益。这种宽面积垂直腔光放大器不仅可以提高增益,而且还能提高信号光的饱和输入功率。对970 nm宽面积VCSOA的结构进行了优化设计,模拟结果表明,要提高半导体激光器的增益和带宽,可以通过适当降低垂直腔面发射激光器的上DBR的反射率来获得。