准相位匹配PPKTP晶体连续倍频13 mW绿光输出

采用高压脉冲电场极化,通过电光效应实时监控、倍频通光二维监控等手段的应用,制备出周期为9μm、长为8 mm、宽为3 mm、厚为1 mm的周期极化KTiOPO4晶体(PPKTP);倍频通光实验中,当波长1064 nm的基频光功率为1 W时,得到了功率为13.5 mW的532 nm连续倍频绿光输出,单通倍频转换效率为1.35%,归一化转换效率为1.69%/(W.cm),接近理论最大值。     

一种新型任意波形高压电源在PPKTP晶体研制中的应用研究

对周期极化KTP(PPKTP)晶体的外加电场极化方法及实时监控方案进行了分析,根据实验要求设计了一种新型的任意波形高压电源,它具有波形任意设定、操作直观简捷等优点,为操作者提供了鼠标绘图界面,可以精确地输出高压方波、高压三角波等实验所需波形,在PPKTP制备过程,尤其是实时监控方案中取得了理想的实验结果。     

铌酸锂晶体电击穿特性的研究

从电介质的击穿机理出发,用数学方法描述了电极注入电荷被介质捕获的全过程,详细分析了电介质的击穿特性并得出了电击穿现象的理论公式,通过同成分铌酸锂晶体和掺锌铌酸锂晶体的极化和击穿实验对理论分析的结果进行了验证,试验现象与理论分析吻合较好.     

利用扫描电镜研究PPLN的蚀刻表面

报道了用环境扫描电子显微镜观察到的蚀刻PPLN晶体的表面特征,得到的图像显示出由高压电场极化引起的PPLN表面的变化,表明极化电场不仅使晶体内部铁电畴的自发极化方向发生反转,而且改变了晶体的微观结构.     

快速响应高压电源在KTP晶体极化反转中的应用研究

分析了KTP晶体电导率的特性,设计与研制出一种新型的高压脉冲放大器,可将任意信号发生器产生的信号线性放大,响应速度快,最高输出电压为4000V,最大输出电流为30mA,功率可达100W.用其在KTP晶体上进行多次极化反转实验,取得良好的实验结果.     

一种测量电光旋光晶体La3Ga5SiO14电光系数γ11的新方法

从理论上对激光处于电场中的旋光晶体传播方程进行了研究,应用琼斯距阵理论分析了入射到晶体表面和透过晶体的光的偏振态,推导出了透过晶体出射的光为线偏振的条件,利用旋光晶体电光系数γ_(11)与施加电场的电压V和晶体角度α的关系,通过实验,测量了La_3 Ga_5 SiO_(14)晶体电光系数γ_(11)为2．2×10~(-12)m/V．     

周期极化的电极结构及相关工艺缺陷的电场分析

本文采用有限元方法分析外加电场法对铁电体进行周期极化时的电场分布,讨论尖端效应对极化的影响,比较两种不同的电极设计方案-梳形电极和框形电极的优劣.分析了多周期光栅同时极化时的电场分布,推断了大周期与小周期之间存在的竞争现象.本文最后对光刻造成周期电极的断条、毛刺工艺缺陷和液体电极方案的残留气泡缺陷进行了探讨.数值计算得出的结论比较圆满地解释了实验中的许多现象.     

用于光纤传感网的窄线宽多波长光纤光源研究

窄线宽多波长光纤光源是光纤传感系统中的重要光源,可同时为多路复用技术中的传感器阵列提供所需的多个工作波长．为此对多波长光纤光源的稳态输出进行了数值模拟,理论分析了未泵浦掺铒光纤长度对输出线宽的窄化作用．同时实验构建了一种带有单程反馈和线宽窄化机制的多波长光纤光源,测量分析了这2种机制以及激光腔输出耦合比对多波长输出结果的影响．实验实现功率谱不平坦度〈土3dB时,多波长个数可达27个,3dB线宽约0．06nm,波长在50GHz范围内整体连续可调．     

准相位匹配PPKTP极化反转的监测

文中提出了采用电光效应实时监测判断KTiOPO_4(KTP)晶体周期性极化反转进程的实验方案,分析了在高压电场极化脉冲作用下,KTP晶体的电光效应的基本特性和极化电流所表现出来的峰值特性,以及它们与KTP晶体的铁电畴反转之间存在的依赖关系,并确定了用监控光强的变化来判断极化反转程度的基本依据,在监测系统的帮助下对熔盐法生长的KTP晶体进行了极化反转．最后对获得的PPKTP进行了化学蚀刻,结果表明,获得的PPKTP质量有了明显提高．倍频转换效率达到1．13%．     

基于频域变换的MEMS声学薄膜缺陷检测算法

The micro-electro-mechanical system (MEMS) acoustic film has extremely high requirements for tape-out, storage and packaging environments, and its surface defects will affect the quality and performance of MEMS devices. The image defects detection is an effective non-contact optical detection means that can effectively improve the yield rate of MEMS production. However, the periodic structure texture of the MEMS devices surface will interfere with defect detection. A acoustic film defect detection algorithm based on frequency domain transformation was proposed. By calculating the gradient distribution of spectrogram and establishing the Boolean mask, the dominant frequency components corresponding to the periodic structure texture were eliminated. The residual spectrograms were subjected to a Fourier inversion to reconstruct the defect images. The reconstructed images were decomposed by single-layer Haar wavelet to obtain the low-frequency sub-band image and the defect information was extracted by simple threshold segmentation. The defect detection effects of different types of MEMS acoustic film were showed. The experimental results show that it is reasonable to set the zoom constant in the range of 0.7~1.0.