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GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上,以获得负电子亲和势(Negative lectron Affinity)表面,然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极,来获得自旋极化的电子束,详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程,并介绍了极化电子在极化(e.2e)反应中的应用。 相似文献
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用原子分子反应静力学原理导出LaF分子可能的电子状态和离解极限。在相对论有效核芯势RECP(RelativisticEffectiveCorePotential)近似下 ,用密度泛函理论中的B3LYP方法优化了LaF分子单、三重态平衡几何结构 ,计算了基态X1Σ 的振动基频和离解能。在计算出来的一系列单点势能基础上 ,用非线性最小二乘方法拟合出基态Murrell Sorbie势能曲线 ,得到分析势能函数 ,由此计算出相应光谱常数ωe、Be、αe、ωeχe的理论值并和实验测量的振转光谱比较 ,结果非常吻合。另外还比较了用两种不同有效势得到的分析势能函数和光谱参数 ,以能量一致相对论有效势ECEP(EnergyCosistentRelativisticEffectivePotential)得到的结果最好。 相似文献
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运用分子轨道理论中的半经验AM1、PM3方法和Hartree-Fock从头算方法,通过能量梯度全优化率先计算了新近合成的化合物N,N-二(8-羟基-5-喹啉甲基)甘氨酸乙酯的平衡几何构型、电子结构以及生成热、偶极矩等分子基本性质,并联系经典有机电子结构理论进行讨论.三种方法得到的结构参数基本一致,和实验测量的晶体结构符合较好.在稳定构型基础上,用AM1方法进行正则振动频率分析,得到C-C双键、C-N单双键、C-O单双键和羟基OH的振动基频,和实验测得的红外光谱特征峰吻合较好. 相似文献
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LaF分子基态X1Σ+分析势能函数计算 总被引:1,自引:0,他引:1
用原子分子反应静力学原理导出LaF分子可能的电子状态和离解极限.在相对论有效核芯势RECP(Relativistic Effective Core Potential)近似下,用密度泛函理论中的B3LYP方法优化了LaF分子单、三重态平衡几何结构,计算了基态X1Σ+的振动基频和离解能.在计算出来的一系列单点势能基础上,用非线性最小二乘方法拟合出基态Murrell-Sorbie势能曲线,得到分析势能函数,由此计算出相应光谱常数ωe、Be、αe、ωeχe的理论值并和实验测量的振转光谱比较,结果非常吻合.另外还比较了用两种不同有效势得到的分析势能函数和光谱参数,以能量一致相对论有效势ECEP(Energy Cosistent Relativistic Effective Potential)得到的结果最好. 相似文献
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运用分子轨道理论中的半经验AM1、PM 3方法和Hartree Fock从头算方法 ,通过能量梯度全优化率先计算了新近合成的化合物N ,N 二 (8 羟基 5 喹啉甲基 )甘氨酸乙酯的平衡几何构型、电子结构以及生成热、偶极矩等分子基本性质 ,并联系经典有机电子结构理论进行讨论。三种方法得到的结构参数基本一致 ,和实验测量的晶体结构符合较好。在稳定构型基础上 ,用AM1方法进行正则振动频率分析 ,得到C—C双键、C—N单双键、C—O单双键和羟基OH的振动基频 ,和实验测得的红外光谱特征峰吻合较好 相似文献
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