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Influence of Triangle Structure Defect on the Carrier Lifetime of the 4H-SiC Ultra-Thick Epilayer 下载免费PDF全文
Effect of triangle structure defects in a 180-μm-thick as-grown n-type 4H-SiC homoepitaxial layer on the carrier lifetime is quantitatively analyzed, which is grown by a horizontal hot-wall chemical vapor deposition reactor.By microwave photoconductivity decay lifetime measurements and photoluminescence measurements, the results show that the average carrier lifetime of as-grown epilayer across the whole wafer is 2.59μs, while it is no more than 1.34μs near a triangle defect(TD). The scanning transmission electron microscope results show that the triangle structure defects have originated from 3C-SiC polytype and various types of as-grown stacking faults.Compared with the as-grown stacking faults, the 3C-SiC polytype has a great impact on the lifetime. The reduction of TD is essential to increasing the carrier lifetime of the as-grown thick epilayer. 相似文献
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利用重庆市万州区4幅比例尺为1∶1万,地面分辨率为5 m的DEM数据,根据地表径流模型原理,通过ArcGIS中的HydrologyTools模块进行D8算法提取流域水系,计算汇流累积量,并最终生成河网。结果表明:对1∶1万DEM进行水系提取,最小水道集水面积阈值设定为50 000个栅格较合理;对于山地地形,基于1∶1万DEM数据,利用ArcGIS Hydrology模块提取河网的方法,从提取的效率和结果的精度两方面看来都是切实可行的。 相似文献
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玉溪市博物馆多年来注重文博阵地的建设与传播,是我市文化交流的重要窗12",近年来增强与外省市博物馆之间的馆际交流与合作,促进了两地博物馆之间的友谊与文化事业的繁荣。 相似文献
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三峡水利工程带来的社会、经济和环境问题已引起全国乃至全世界的关注,库区屏障带是该区人地矛盾最为突出的区域。研究以重庆市万州区为例,利用TM遥感影像数据以及DEM数据,提取1995—2008年三峡水库蓄水前后的水热变化线,结合GIS支持下的山脊线提取,对生态屏障带综合划分进行了研究,并分析屏障带内坡度分布和土地利用现状。结果表明:三峡水库蓄水后,三峡水库两岸地表亮温和地表湿度受水库水位上升的影响,其影响范围为库区两岸30 km以内;划定的万州区屏障带范围主要为三峡水库水位线南北35 km以内,其总面积为2 215 km2,占其幅员面积的64.2%;万州区屏障带内存在一定的不合理土地利用问题,区内陡坡耕地和建设用地极容易破坏本来就极为脆弱的生态环境,直接对三峡水库的运行造成威胁。研究成果可为三峡库区屏障带综合研究提供参考。 相似文献
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4H-SiC Schottky barrier diodes with semi-insulating polycrystalline silicon field plate termination 下载免费PDF全文
Based on the theoretical analysis of the 4H-SiC Schottky-barrier diodes(SBDs) with field plate termination, 4H-SiC SBD with semi-insulating polycrystalline silicon(SIPOS) FP termination has been fabricated. The relative dielectric constant of the SIPOS dielectric first used in 4H-SiC devices is 10.4, which is much higher than that of the SiO2dielectric,leading to benefitting the performance of devices. The breakdown voltage of the fabricated SBD could reach 1200 V at leakage current 20 μA, about 70% of the theoretical breakdown voltage. Meanwhile, both of the simulation and experimental results show that the length of the SIPOS FP termination is an important factor for structure design. 相似文献
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本文通过对4H-SiC同质外延化学反应和生长条件的分析,建立了4H-SiC同质外延生长的Grove模型,并结合实验结果进行了分析和验证.通过理论分析和实验验证,得到了外延中氢气载气流量和生长温度对4H-SiC同质外延生长速率的影响.研究表明:外延生长速率在衬底直径上为碗型分布,中心的生长速率略低于边缘的生长速率;随着载气流量的增大,生长速率由输运控制转变为反应速率控制,生长速率先增大而后逐渐降低;载气流量的增加,会使高温区会发生漂移,生长速率的理论值和实验出现一定的偏移;随着外延生长温度的升高,化学反应速率和气相转移系数都会增大,提高了外延速率;温度对外延反应速率的影响远大于对生长质量输运的影响,当温度过分升高后,外延生长会进入质量控制区;但过高的生长温度导致源气体在生长区边缘发生反应,生成固体粒子,使实际参与外延生长的粒子数减少,降低了生长速率,且固体粒子会有一定的概率落在外延层上,严重影响外延层的质量.通过调节氢气流量,衬底旋转速度和生长温度,可以有效的控制外延的生长速度和厚度的均匀性. 相似文献
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说起最能代表中国特色的文化符号,恐怕就要算瓷器了,China—既是国际社会对中国的称谓和界定,也蕴含中国人对自己千年瓷文化的诠释和骄傲。瓷器作为中国的代表和文化符号,千百年来用其独特的色彩和烤制工艺诠释着文化与美。该文主要阐述了我国瓷器的起源和历史进程,并主要针对越窑、汝窑、龙泉窑青瓷釉色进行了赏析。 相似文献
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基于ESDA与GIS技术,利用三峡库区重庆段各区县1998-2011年人均GDP数据,对该区域经济发展的空间格局及其时空演变进行了分析,结果表明:三峡库区重庆段经济空间分异明显且呈显著的空间正相关,在整体格局上呈现出一定的集聚态势;全局上看,三峡库区重庆段经济相对差异在缩小,从局部来看,空间集聚表现在重庆主城和渝东北库区,而库区中段的集聚态势表现不强烈;万州区在有关政策扶持下,经济发展加快,有望成为带动渝东北库区经济发展的增长极. 相似文献