外尔半金属Co3Sn2S2薄膜的制备和电磁性质研究

外尔半金属Co₃Sn₂S₂是一种新型的拓扑量子材料，具有独特的拓扑能带结构，被认为是一种非常有潜力的自旋电子材料，而制备电子器件的重要一步是该材料的薄膜化.采用磁控溅射方法分别在Si O₂(300 nm)/Si(100)和Al₂O₃(0001)衬底上生长Co₃Sn₂S₂薄膜.X射线衍射(XRD,X-ray Diffraction)显示Co₃Sn₂S₂薄膜的结构随厚度而变化.在不同衬底上，Co₃Sn₂S₂薄膜的生长情况也不同，较薄的Co₃Sn₂S₂ (<200 nm)适合生长在Al₂O₃(0001)衬底上，而较厚的Co₃Sn     

铁基纳米晶合金的介观阻抗率及应用

提出了铁基纳米晶合金介观阻抗率的物理概念，用Maxwell方程组求得其计算公式ρ=-μ{A}/{t}/Δ×H，该式表明铁基纳米晶合金的介观阻抗率与材料内部的介观磁场强度H、介观磁矢势A和介观磁导率μ有关，磁矢势A是由介观结构引起的量子力学效应，是由合金的微观结构决定的.这个理论很好地解释了铁基纳米晶粉末、粉芯     

开口谐振环阵列在太赫兹波段的谐振特性实验研究

实验制备了单元尺寸在微米量级的开口谐振环周期阵列样品,测试了其在0.1~2 THz频段的散射系数,验证了不同极化方向的垂直入射可产生单独的电谐振或同时产生磁谐振的传输特性,验证了材料电导率对样品的谐振频率的影响。结合仿真计算结果,得到了等效的负介电常数和负磁导率随频率的变化关系,及其电、磁谐振频率与谐振环单元尺寸增大倍数k的关系曲线。实验和仿真均表明,样品的电谐振频率与1/k线性相关,而磁谐振频率与1/k成正比关系。     

西南地区公务员队伍建设的思考

国家西部大开发战略的实施,中国入世的成功以及中国—东盟自由贸易区的开发和建设,为西南地区实现跨越式的发展提供了千载难逢的大好机遇。本文着重从目前西南地区所处的优势,公务员队伍的现状以及应对的措施来思考西南地区公务员队伍的建设。     

离子注入对ZnTe:O中间带光伏材料的微观结构及光学特性的影响

II-VI和III-V族高失配合金半导体是新型高效中间带太阳电池的优选材料体系,但中间带的形成及其能带调控等关键问题仍未得到有效解决.采用氧离子注入方式,在非平衡条件下对碲化锌(Zn Te)单晶材料实现了等电子掺杂,深入研究了离子注入对Zn Te:O材料的微观结构和光学特性的影响.研究表明:注入合适浓度的氧离子(2.5×1018cm-3)将会形成晶格应变,并诱导1.80 e V(导带下0.45 e V)中间带的产生;而较高浓度(2.5×1020cm-3)的氧离子会导致Zn Te注入层表面非晶化,并增强与锌空位相关的深能级(～1.6 e V)发光.时间分辨光致发光结果显示,离子注入诱导形成的中间带主要是和氧等电子陷阱束缚的局域激子发光有关,载流子衰减寿命较长(129 ps).因此,需要降低晶格紊乱度和合金无序,实现电子局域态向扩展态的转变,从而有效调控中间带能带结构.     

Temperature dependence of spin pumping in YIG/NiOx/W multilayer

We report the temperature dependence of the spin pumping effect for Y₃Fe₅O₁₂ (YIG, 0.9 μm)/NiO (t_NiO)/W (6 nm) (t_NiO = 0 nm, 1 nm, 2 nm, and 10 nm) heterostructures. All samples exhibit a strong temperature-dependent inverse spin Hall effect (ISHE) signal I_c and sensitivity to the NiO layer thickness. We observe a dramatic decrease of I_c with inserting thin NiO layer between YIG and W layers indicating that the inserting of NiO layer significantly suppresses the spin transport from YIG to W. In contrast to the noticeable enhancement in YIG/NiO (t_NiO ≈ 1-2 nm)/Pt, the suppression of spin transport may be closely related to the specific interface-dependent spin scattering, spin memory loss, and spin conductance at the NiO/W interface. Besides, the I_c of YIG/NiO/W exhibits a maximum near the T_N of the AF NiO layer because the spins are transported dominantly by incoherent thermal magnons.     

导磁导电球体在均匀谐变磁场中产生的磁场分布规律

从求解导磁导电各向同性球体的赫兹矢量π*出发,推导出了导磁导电球体置于均匀谐变低频弱磁场中球体产生的磁场分布规律和球频率函数.     

金属膜介电性能调控研究

微米级粉体吸收剂性能指标已经达到理论极限,纳米结构金属薄膜由于具有更高的磁导率有望成为一种新型的微波吸收材料,但目前受限于界面匹配性能,必须控制其介电常数使其适合界面匹配.本文主要讨论金属薄膜的介电机制以及对其介电常数调控的可能性.基于重整化有效媒质理论的计算结果表明,可以通过相应技术途径使连续金属膜变成不连续,并控制不连续金属膜单元尺寸,当单元尺寸处于微米量级范围内时,金属膜的有效介电常数可以降到微波可匹配范围内.     

宽频带超材料微波吸收结构研究

将3D超材料吸波结构和磁性吸波材料相结合使用,对宽频带微波超材料吸收结构进行了设计优化和电磁场仿真研究.利用磁性材料本身的电磁波吸收性能和周期性超材料吸波单元的频率可设计性,并充分考虑了3D渐变单元的电磁场匹配和多次反射吸收的情况,设计了由圆台形单元组成的周期性吸波结构:每个圆台由20层尺寸渐变的金属谐振单元和以羰基铁粉为吸波填充材料的磁性复合层相间堆叠而成.采用电磁仿真软件CST Microwave Studio进行了结构设计以及吸波效果和电磁场分析,结果表明:此结构在4.5 G～18 GHz频率范围内电磁波吸收效果较好,正入射的吸收率大于90%.仿真和分析结果也表明,吸波材料和超材料相结合,在厚度不超过5 mm的情况下,所能够实现的吸波频率的下限约为4 GHz.     

表面垂直取向对HPDLC光栅特性的影响

为了提高聚合物/液晶（HPDLC）光栅的衍射效率并改善光栅的表面形貌,研究了表面垂直取向处理对HPDLC光栅的影响。首先,研究了表面垂直处理对液晶分子的取向作用,发现垂直取向层对液晶的锚定作用随着盒厚的增加而逐渐减弱,取向层的作用范围大概在3 m ~5 m之间;其次,对相分离程度进行了实验表征,结果表明,随着液晶盒厚度的增加,相分离开始的时间越来越快,并且分离程度也越来越彻底。最后,讨论了表面垂直取向对HPDLC光栅衍射效率的影响,随着盒厚的增加,相分离出来的液晶微滴形成连续的区域,光栅的衍射效率逐渐升高,当盒厚增加到一定程度,其衍射效率和无取向处理的光栅接近。当盒厚过大时,垂直取向处理对HPDLC光栅散射损失并没有太大的改善,只有当盒厚适中（12 m）时,光栅的衍射效率最高,散射损失最小。