硅集成的高Q值､高谐振频率的射频变压器

提出一种硅基的用于射频集成电路的新型图形结构变压器.考虑到集成无源变压器器件对射频电路性能的提升具有重大的影响,设计时应尽量提升其性能和降低其占用的芯片面积,故采用凹凸24边形结构和顶层、厚铜金属绕线,使得该片上变压器能够同时具有高性能和低芯片面积的优点.基于TSMC 0.13 μm 1P6M CMOS工艺,应用Cadence Virtuoso工具设计出24边形变压器版图,将设计好的版图图形导入安捷伦Advanced Design System Momentum软件,完成新型变压器的电磁场S参数仿真验证.结果表明,与传统的方形、六边形和八边形变压器相比,自谐振频率分别提高了1.12,1.00,0.58 GHz;最大品质因子增加了2.4,0.9和0.3;面积也分别缩小了9%,10%,6%.该变压器在硅基射频集成电路中应用将进一步提高电路的性能和降低芯片成本.     

磁场中量子点施主的低激发态

采用量子点的三维抛物势近似，利用Larsen给出的计算磁场中量子阱中心施主能级的方法，来计算磁场中量子点施主的低激发态，给出这些低激发态能量随外磁场的变化关系。     

一种新型的液晶光阀模型

介绍一种考虑液晶光阀中材料的横向扩散电荷作用的物理模型，根据设计要求，由此模型可找到器件各参量的适用值。     

任务型教学——英语教学新模式

素质教育是培养人才的教育,学生在学校里不仅仅是来学知识,更重要的是学习一种能够继续获得知识和能力的学习方法。好的学习方法,能使学生更好地发挥天赋和能力。英语课是一门实践性很强、具有明显时代发展特点的课程,因此,英语课应根据时代发展的需要,体现＂以学生为中心＂＂、以能力培养为目标＂的教育原则,重视学生的主导地位,将以传授和灌输知识为主的教学模式转变为以能力和素质培养为主的教育模式＂。任务型＂教学模式,提出＂让学生在教师的指导下,通过感知、体验、实践、参与和合作等方式,实现任务的目标,感受成功。     

二硫化钨纳米片制备及其钙钛矿太阳能电池空穴传输层应用

开发新型无机空穴传输层材料是钙钛矿电池实现商业应用的重要挑战之一。本文开展了二硫化钨纳米片制备及其钙钛矿太阳能电池空穴传输层应用研究。采用液相超声剥离法成功制备了WS 2纳米片,并将其引入钙钛矿太阳能电池中用作空穴传输层。结果表明,当WS 2纳米片溶液浓度为1 mg/mL时,制备的WS 2纳米片空穴传输层具有较合适的厚度,并且后续在其上生长的钙钛矿活性层成膜质量高、结晶性能好,电池取得6.3%的光电转换效率。结果证实WS 2纳米片可作为新型无机空穴传输层材料用于钙钛矿太阳能电池。     

数字电路和EDA课程融合实践与探讨

针对应用型人才的培养目标和数字电路在教学改革中存在的问题,该文从数字电路和EDA课程融合的角度入手,提出了借助数字逻辑及数字系统综合实验实训平台,融合基于FPGA的原理图设计方法与基于固定芯片的传统数字电路设计技术两方面的教学内容,旨在对学生由基础学习—深刻理解—实践设计—创新应用的提升培养。实践表明,课程融合逐步提高了应用型人才的培养质量。     

视频接口技术实验的开设与改进

详细介绍了所开设的“视频接口技术”实验课程的实验目的和内容。该实验课程分4组实验。分别描述了每组实验的内容和步骤，并给出了它们的系统框图。最后，针对学生的实验情况提出了进一步改进的意见。     

多点分段单步校正法在接触式图像传感器扫描仪上的实现

提出了一种接触式图像传感器(CIS)扫描仪非均匀校正的新方法,能够快速高效地完成对CIS扫描仪彩色图像的非均匀校正,消除了CIS的颜色差异。采用多点分段单步法进行标定,采用现场可编程门阵列实现校正,并最终得到颜色均匀的彩色图像。对于分辨率高达1200dpi的CIS扫描仪,采集一次样板纸完成全部颜色空间的分段标定,图像传输的同时完成校正,校正过程仅耗时0.125μs。实际应用效果显示校正后R,G,B三个通道的像素误差控制在5个像素以内,相比校正前图像均匀性提升10倍左右,比传统两点法提升3倍左右,且明显改善图像颜色突变、暗淡以及随机条纹等问题。     

啁啾光纤光栅延迟线在光控相控阵雷达中的应用研究

介绍了啁啾光纤光栅延迟线在光控相控阵雷达中的两种应用系统及其工作原理,即基于单波长激光器和多个可调啁啾光纤光栅延迟线的系统以及基于多波长激光器和一个可调啁啾光纤光栅延迟线的系统。介绍了这两种系统的光控相控阵雷达扫描角要实现连续变化时,啁啾光纤光栅延迟线的调谐原理。分析结果表明,若啁啾光纤光栅的长度长而反射谱窄,则啁啾光纤光栅较小的调谐量就能使光控相控阵雷达天线实现较大的扫描范围。     

空穴阻挡中间层的加入对WOLEDs光谱稳定性的提高

制备了多层结构合成的白光有机电致发光器件(WOLEDs),通过在发光层中加入一层空穴阻挡层TPBi来提高器件的光谱稳定性。当TPBi厚度为2.5 nm时,在电压由8 V升高到12 V的过程中,CIE色坐标的变化量为(0.031,0.006)。器件的电流效率为24.7 cd/A,外部量子效率最大为8.2%。相对于没有加入中间层的器件,8 V电压下的色坐标由(0.435,0.472)变为(0.333,0.439)。实验结果表明,在发光层中添加中间层可以改变器件发光的色坐标并提升光谱的稳定性。