桉树林林下植被生物量特征研究

本文就桉树林林下生物量变化规律开展调查研究,调查研究结果表明,桉树林林下植物生物量大小与种植年限有较大的关系,幼林的林下生物量远大于中龄林,2个幼林样地的生物量分别为1887.429g/m2和1470.883g/m2,明显比中龄林的要大的多;同中龄林林下生物量大小变化的规律是随着年降雨量的减少,生物量减少,特别是在儋州林场的林下植物生物量仅有3.227g/m2,远比琼海和定安的要少得多,后两者分别为626.988g/m2和512.894g/m2.研究结果还表明,桉树林林下植物生物量的分配方面存在的规律是草本植物的生物量要大过木本植物的生物量,而且随着地区降雨量的增大,年降雨量大的地区木本植物的生物量所占的比例会增大一些,而且表现出随地区年降雨量的增大,这种现象更加明显.     

X线头影测量分析自动化系统研究

在Windows98的基础上，采用面向对象的方法进行分析，以Visual Basic6.0编制全部程序，建成了定点测量分程全程自动化的头影测量分析系统．利用本系统实现了对头颅定位侧位片上标志点的自动定位．系统具有人机界面友好，操作简单，功能实用，易于升级等特点．     

含水量对非饱和黄土抗剪强度参数的影响

非饱和土抗剪强度作为土力学研究中的热点也是难点问题之一,越来越多的学者着手研究影响非饱和黄土抗剪强度因素,也取得了阶段性的成果,然而,含水量作为诸多复杂因素中最重要的因素之一,开展含水量对抗剪强度影响的研究层出不穷。此次以兰州非饱和黄土为研究对象,开展固结不排水三轴试验,探讨兰州非饱和黄土的最佳含水量和最大干密度,不同围压下非饱和黄土的应力-应变关系,以及含水量对非饱和黄土抗剪强度影响因素黏聚力和内摩擦角的影响程度。为今后更广泛地开展非饱和黄土有关研究和指导实践工程,具有一定的指导和实践意义。     

仿生非光滑表面铸铁材料的常温摩擦磨损性能

模仿动物体表形态,在试样表面通过激光雕刻出有规则分布的凹坑以及条纹等非光滑单元体,研究了具有非光滑表面材料的摩擦磨损性能.结果表明:非光滑表面材料的耐磨性较光滑表面提高1倍以上,摩擦系数提高66%以上;当非光滑表面的单元体硬度越高、直径越大和间距越小时,其耐磨性能越好,摩擦系数越大.这是由于激光加工的单元体相当于在母体上增加了许多强化质点,比母体具有较高的硬度和致密性,能够提高抗磨性,增加表面粗糙度,所以其耐磨性提高,摩擦系数增大.     

加强基础性研究，推进人才、项目、基地一体化建设

本文论述了加强基础研究，推进人才、项目、基地一体化建设的四项原则。     

Windows下PVM的安装、配置与编程

PVM是目前国内外比较流行的几种并行编程环境之一,但大多是基于Unix平台或Linux平台的．介绍了基于Windows平台的PVM的安装与配置方法,探讨了PVM的两种不同的编程模式并给出了实例说明．     

现阶段安徽竞技体育可持续发展战略研究

在参阅文献研究和实际调查的基础上,从可持续发展的角度分别从"科教兴体"战略、完善后备人才培养、科学的选拔有潜力的运动员、加强教练员队伍建设、积极推进竞技体育的社会化和产业化四个方面概括分析了新时期安徽竞技体育的可持续发展的对策,为安徽竞技体育的可持续发展提供参考。     

石墨烯基TiO_2复合材料的表征及其可见光催化活性研究

以氧化石墨烯与石墨烯为碳源,在熔盐介质中与钛粉反应原位生成石墨烯基TiC中间产物,并通过后续控制氧化制得石墨烯基TiO_2复合光催化剂,结合FTIR、XRD、Raman、SEM等手段,对两种石墨烯材料的结构及形貌差异进行表征,并分析了其对所制复合材料结构、形貌及可见光催化活性的影响。结果表明,所制复合材料仍保持碳源的层片状结构,TiC和TiO_2颗粒均匀包覆在碳源表面;以石墨烯为碳源更有利于表面原位生成TiC晶粒的生长,其晶体结构更为完善;两种结构的石墨烯基TiO_2复合材料均对目标污染物亚甲基蓝有较强的吸附能力和可见光降解能力。     

Impact of AlxGa1-xN barrier thickness and Al composition on electrical properties of ferroelectric HfZrO/Al2O3/AlGaN/GaN MFSHEMTs

Ferroelectric (FE) HfZrO/Al$_{2}$O$_{3}$ gate stack AlGaN/GaN metal-FE-semiconductor heterostructure high-electron mobility transistors (MFSHEMTs) with varying Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N barrier thickness and Al composition are investigated and compared by TCAD simulation with non-FE HfO$_{2}$/Al$_{2}$O$_{3}$ gate stack metal-insulator-semiconductor heterostructure high-electron mobility transistors (MISHEMTs). Results show that the decrease of the two-dimensional electron gas (2DEG) density with decreasing AlGaN barrier thickness is more effectively suppressed in MFSHEMTs than that in MISHEMTs due to the enhanced FE polarization switching efficiency. The electrical characteristics of MFSHEMTs, including transconductance, subthreshold swing, and on-state current, effectively improve with decreasing AlGaN thickness in MFSHEMTs. High Al composition in AlGaN barrier layers that are under 3-nm thickness plays a great role in enhancing the 2DEG density and FE polarization in MFSHEMTs, improving the transconductance and the on-state current. The subthreshold swing and threshold voltage can be reduced by decreasing the AlGaN thickness and Al composition in MFSHEMTs, affording favorable conditions for further enhancing the device.     

推广的Su-Schrieffer-Heeger模型的拓扑相图及其表征拓扑相的有限尺度能谱和边界模

拓扑不变量如陈数、Z₂拓扑不变量等是表征拓扑非平庸固体系统的拓扑物相的特征量,其来源于固体周期边界条件下的能带即体能带所具有的不为零的Berry相.在开边界条件下,具有拓扑非平庸物相的系统的有限尺度能谱将出现位于能隙中的能带,并且这些能带可能对应着一个边界模.推广了一维Su-Schrieffer-Heeger模型,通过计算其拓扑不变量即Zak相,得到了其包含几个不同拓扑相的拓扑相图.在开边界条件下,研究了这些拓扑相对应的有限尺度能谱以及系统处于这些物相时能谱能隙中的能带所对应的边界模,进而采用有限尺度能谱和其能隙中的能带所对应的边界模表征了这些不同的拓扑相.