硝酸钾电解质溶液的结构和热力学性质的计算机分子模拟

对硝酸钾电解质溶液进行了分子动力学计算机模拟研究.水分子采用简单点电荷(SPC)三节点模型,钾离子被看作带电硬球,硝酸根离子采用刚性四节点模型,同时考虑节点间的库仑长程作用和L-J相互作用,对库仑长程作用采用EWALD求和方法进行计算.研究结果表明,随着溶液浓度的增加,水-水相互作用的总势能绝对值升高;高浓度溶液中水-水作用能的升高与水分子排列有序化程度的提高有关,即在浓溶液中水分子的偶极取向更加有序化,说明有更多的水分子参与水化.     

硬壁狭缝中硬球流体的密度泛函理论研究

用Rosenfeld密度泛函理论对由两平行硬墙约束的硬球流体系统进行了研究,计算了不同墙距离之间硬球流体的密度分布。结果表明,靠近狭缝,硬球流体的密度最大;在距硬壁一个分子直径附近也出现一个密度极大值;在两硬壁的中间位置,流体的密度较小且变化平缓。虽然该研究采用的模型及研究对象与前人有所不同,但计算结果与文献中的蒙特卡罗模拟结果基本一致。     

硝酸钾电解质溶液的结构和热力学性质的计算机分子模拟

对硝酸钾电解质溶液进行了分子动力学计算机模拟研究。水分子采用简单点电荷（SPC）三节点模型，钾离子被看作带电硬球，硝酸根离子采用刚性四节点模型，同时考虑节点间的库仑长程作用和L-J相互作用，对库仑长程作用采用EWALD求和方法进行计算。研究结果表明，随着溶液浓度的增加，水-水相互作用的总势能绝对值升高；高浓度溶液中水水作用能的升高与水分子排列有序化程度的提高有关，即在浓溶液中水分子的偶极取向更加有序化，说明有更多的水分子参与水化。     

KDP晶体固-液界面吸附行为的分子模拟研究

通过构建晶体表面-KDP分子界面吸附结构模型, 采用分子动力学和密度泛函计算方法研究KDP分子在(001)和(010)面吸附的物理化学过程, 考察了温度对物理吸附行为的影响. 研究表明: KDP晶体表面的吸附过程和生长习性主要由化学吸附主导, 化学吸附能的计算表明[K-O₈]基元在(001)界面的结合能是(010)界面结合能的2.86倍; 在饱和温度附近, [H₂PO₄]^-阴离子在KDP界面的物理结合能随温度的变化呈现振荡特征, 溶液中有较多的离子团簇形成, 溶液变得很不稳定; 当温度从323 K降低至308 K时, 水分子在界面的结合能总体呈下降趋势, 而KDP分子在界面的吸附能总体呈上升趋势, 脱水过程是水分子和[H₂PO₄]^-阴离子在固液界面边界层竞争吸附的结果. 研究结果对确足晶体生长界面动力学过程发展和完善晶体生长理论有重要意义. 关键词： 分子动力学 双层结构模型 结合能     

黄河流域最大水电站——拉西瓦水电站

正在建设中的拉西瓦水电站是黄河流域装机容量最大、发电量最多的水电站。建设者们充分发挥主观能动性,克服多项技术难题,使其成为我国水电建设史上投资最省、单位千瓦造价最低的水电站。     

照亮未来的技术——记LED照明技术培训

光电子技术是信息产业的核心技术之一，是继微电子技术之后迅猛发展的又一高新技术，具有强大的生命力和潜力。而由光电子技术发展起来的LED照明产业，正在世界范围内引发一场划时代的绿色照明革命和能源革命，日益显示出巨大的产业前景。LED发光器件具有体积小、耗电小、寿命长、可靠性高、响应速度快、驱动电压低等优点。21世纪LED将会占领市场，成为“照亮未来的技术”。     

“第三代”节能降耗照明光源开始使用

记者“构筑中国无极照明产业暨照明节能改造工程新闻发布会”上获悉,我国一些城市已开始使用“第三代”照明光源——高频无极灯。85瓦的高频无极灯的亮度相当于500瓦白炽灯,比白炽灯节能80％。统计表明,我国照明用电约占社会总用电量的12％,采用高效照明产品替代传统的低效照明产品可节电60％至80％。     

国内首条全自动激光拼焊生产线落成

由中科院沈阳自动化所现代装备研究设计中心与日本石川岛播磨重工株式会社(IHI公司)合作开发的国内首条全自动激光拼焊生产线零号样机剪彩仪式,日前在沈阳自动化所举行。激光拼焊技术有着非常广泛的应用领域,拼焊板既是钢铁工业的延伸产品,又是汽车工业的重要原料之一,在钢铁和汽车制造业中占有重要地位。目前,国内板材激光拼焊生产线市场被国外垄断,全部依靠     

奔放的魅力——泸定桥

泸定桥位于县西之大渡河上,修建于清康熙四十四年(1705年),次年五月峻工,距今295年。桥身共由13根铁链组成,其中底链九根,扶手四根。每根铁链由862至977节铁环相扣,均由熟铁锻造,每根铁链重1300-1800km。桥身净空103．6m,宽2．9m。桥东西两     

晶体生长机制和生长动力学的蒙特卡罗模拟研究

采用动力学蒙特卡罗方法,对在完整光滑界面上低过饱和度溶液中的晶体生长机制和动态过程进行计算机模拟,得到了晶体生长速率与溶液过饱和度之间的关系以及晶体生长的表面形态.对以二维成核为主要生长机制的动力学生长规律进行分析,发现了二维成核生长的生长死区以及单核生长转变为多核生长时的过饱和度临界值,讨论了热粗糙度、表面扩散、台阶平均高度以及表面尺寸对晶体平均生长速率的影响.