(111)取向(Pb,La)TiO3铁电薄膜中90°纳米带状畴与热释电性能的研究

采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT薄膜结晶性能,结果表明PLT薄膜为(111)择优取向钙钛矿相织构.使用原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.PFM观察显示PLT薄膜中存在90°纳米带状畴,电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式,带状畴的宽度为20-60nm.研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365、介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.18×10-8C·(cm2·K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要.     

"桃花源里人家"--记皖南黟县古民居的建筑艺术特色

位于安徽省南部的黟县古代民居建筑群，是中国古代“徽派”民居建筑艺术中杰出的代表，它充分展示了独具特色的地域文化和中国古代对于人与自然和谐统一理想的追求。本文试从布局选址、建筑空间和建筑装饰等几个方面，对其建筑艺术特色做初步的探讨。     

金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型(Ⅱ)——数值计算与结果讨论

结合实验中的工艺技术参数,以Pb,Ti两金属靶的反应共溅射为例,对我们提出的金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型进行数值计算,分别得出了各靶的溅射速率R,反应腔中反应气体分压p以及衬底Pb,Ti的金属单质和氧化物所占的有效面积百分比与反应共溅射中直接可调的物理量,即反应气体总量Q和溅射离子束流J的关系.计算结果表明,该模型揭示了反应溅射具有滞回效应的本质特征,反映了反应共溅射中相关参数的相互影响与相互耦合的特点,给出了薄膜中组分原子百分比及其氧化物的形态与溅射工艺的关系,指出了多离子束反应共溅射中稳恒溅 关键词：     

硅氧聚合度对细胞毒性的影响

本文采用家兔肺泡巨噬细胞(AM)存活率和细胞过氧化脂质(LPO)值为测定指标,研究了硅氧的聚合度对其细胞毒性的影响。结果表明:各种聚合度的硅氧都有一定的细胞毒性,聚合度愈大,细胞毒性也愈大。胶体SiO_2的粒径增大,其细胞毒性降低。十硅酸盐及粒径小于5nm的硅溶胶的细胞毒性大于α-石英。聚合度小于6的低聚硅酸及其盐、粒径18nm以上的硅溶胶以及硅胶H的毒性皆小于α-石英。本实验细胞存活率降低和过氧化脂质值升高的趋势基本一致,这表明硅氧可能主要与细胞表面膜作用,膜上磷脂等表面活性物质被氧化和变性,从而导致细胞损伤。     

利用直读光谱分析钢中酸溶铝

铝是炼钢中良好的脱氧剂,铝含量的高低直接标志着脱氧的程度,铝在钢中主要以金属固体的形式存在,也有少部分生成氧化铝和氮化铝.存在于钢中的氧化铝一般不溶于酸,称为酸不溶铝.一般认为固溶体和氮化铝溶于酸称作酸溶铝.     

α-Keggin钨钼钒硅酸盐的合成和表征

杂多酸及其盐在催化、分析、生化等领域有着广泛的应用，这类化合物的合成和性质的研究目前已成为引人注目的课题。自从1933年Keggin用X光衍射法首次报道了XM12O40^n-多阴离子的结构以后，这种结构已发现有多种异构体，常见的为α型和β型两种。对于α型，     

基于大系统解耦的水电站实时仿真模块化建模

针对大型水电站全范围仿真模型的特点，提出了基于大系统解耦的模块化仿真建模方法，将水电站全范围仿真模型分解为若干个能独立计算的子系统，并且每一个子系统又可划分为若干个标准的模块。采用这种方法开发水电站生产过程的仿真模型及仿真软件，较好地满足了水电站仿真培训系统的实时性要求、计算精度要求及仿真模型的移植、扩展及维护的方便性要求，并成功应用于一大型水电站仿真培训系统。     

不同衬底对溅射Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.20))O_3薄膜的结构及其性能的影响

利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能.     

Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)TiO_3压电陶瓷溶胶-凝胶法制备技术研究

分析了溶胶凝胶工艺制备Bi0.5(Na0.85K0.15)0.5Ti O3微粉中工艺条件的影响,得到了稳定的溶胶,并在750℃合成了颗粒尺寸为100nm左右的微粉;利用该粉体在1175℃烧结得到了性能较好的Bi0.5(Na0.85K0.15)0.5Ti O3陶瓷,d33=100pC/N,Qm=193.     

无铅压电陶瓷中频滤波器的研制

采用本组发明的BNKLT系无铅压电陶瓷,研制了中频陶瓷滤波器.该体系陶瓷具有较高的使用温度,在160℃以上仍然具有较强压电性.利用此体系材料,采用轮廓振动模式,制作了插损约为3dB,中心频率约为530kHz,带宽约为8.8kHz,左、右选择性均良好的无铅压电陶瓷单片式中频滤波器;采用全电极径向振动模式,制作了插入损耗小于6dB、阻带损耗大于30dB、频率特性曲线平滑、具有良好选择性的中频(IF=460kHz)多节带通滤波器.与含铅压电陶瓷多节滤波器相比,BNKLT无铅压电陶瓷滤波器的特性还有差距,有待改进;而对单片式滤波器来说,除中心频率以外,大部分指标可满足村田公司同类含铅陶瓷中频滤波器(SFU系列)产品标准,具有良好的应用前景.