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研究了 LiNbO_3单晶的蚀象、光象。观察到与晶体方向有关的蚀象和光象之间有对应关系,且各晶面上蚀象及光象的对称性均与晶体的对称性相一致。认为晶体的微观结构决定了它的表面形态,蚀象是该形态的一种表现形式,而光象则是蚀象的一种光学效应。 相似文献
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Nd:GdVO_4热常数的测量和激光性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
中频感应加热提拉法生长了低钕掺杂的GdVO_4晶体,用机械分析仪来测量Nd:GdVO_4晶体的热膨胀系数,沿c方向的热膨胀系数为7.42×10~(-6)/K,而沿α方向的热膨胀系数只有1.05×10~(-6)/K,比同比Nd_(0.0045)Y_(0.9946)VO_4晶体样品测量结果小。差示扫描热计法测量了Nd:GdVO_4晶体的比热,298K时为0.52J/g·K。首次用激光脉冲法测量了Nd:GdVO_4晶体的室温热导率。实验表明,Nd:GdVO_4晶体沿<001>方向的热导率数值达11.4W/m·K,比Nd:YAG晶体高(测得10.7W/m·K),其<100>方向的热导率为10.1W/m·K。激光实验显示在较高功率泵浦激光输出上Nd:GdVO_4晶体具有比Nd:YVO_4晶体更加优良的性能。 相似文献
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Nd∶GdVO4热常数的测量和激光性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
中频感应加热提拉法生长了低钕掺杂的GdVO4晶体,用机械分析仪来测量Nd∶GdVO4晶体的热膨胀系数, 沿c方向的热膨胀系数为7.42×10-6/K,而沿a方向的热膨胀系数只有1.05×10-6/K,比同比Nd0.0054Y0.9946VO4晶体样品测量结果小.差示扫描热计法测量了Nd∶GdVO4晶体的比热, 298K时为0.52J/g*K.首次用激光脉冲法测量了Nd∶GdVO4晶体的室温热导率.实验表明,Nd∶GdVO4晶体沿<001>方向的热导率数值达11.4W/m*K, 比Nd∶YAG晶体高(测得10.7W/m*K),其<100>方向的热导率为10.1W/m*K.激光实验显示在较高功率泵浦激光输出上Nd∶GdVO4晶体具有比Nd∶YVO4晶体更加优良的性能. 相似文献
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一、前言钽酸锂(L_lTaO_3,简称LT)单晶具有良好的压电、热电和电光性能,是制作宽频带、高稳定性振荡器和高灵敏热电探测器的理想材料。人工培养的晶体一般是多畴的。在使用之前必须进行极化,使之变为单畴。巳报道的LT的极化条件,彼此相差甚大。 相似文献
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Nd:GdVO4热常数的测量和激光性能研究 总被引:1,自引:1,他引:1
中频感应加热提拉法生长了低钕掺杂的GdVO4晶体,用机械分析仪来测量Nd∶GdVO4晶体的热膨胀系数, 沿c方向的热膨胀系数为7.42×10-6/K,而沿a方向的热膨胀系数只有1.05×10-6/K,比同比Nd0.0054Y0.9946VO4晶体样品测量结果小.差示扫描热计法测量了Nd∶GdVO4晶体的比热, 298K时为0.52J/g*K.首次用激光脉冲法测量了Nd∶GdVO4晶体的室温热导率.实验表明,Nd∶GdVO4晶体沿<001>方向的热导率数值达11.4W/m*K, 比Nd∶YAG晶体高(测得10.7W/m*K),其<100>方向的热导率为10.1W/m*K.激光实验显示在较高功率泵浦激光输出上Nd∶GdVO4晶体具有比Nd∶YVO4晶体更加优良的性能. 相似文献
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本文研究并确定了从铂坩埚中生长大直径钽酸锂单晶的工艺及其单疇化条件;介绍了晶体与器件的性能;讨论了晶体提高质量、降低成本的途径。 相似文献
8.
研究了 LiTaO_3单晶的退火条件和小角度晶界,指出后者是影响晶体质量、导致晶体开裂的重要因素。讨论了小角度晶界的形成及克服或减轻这种缺陷的途径。 相似文献
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LTN单晶生长形态与生长机制的初步探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
本文探讨了LTN单晶的生长机制与平衡外形。据此解释了该晶体的表面与胞状界面的形态,推测了提拉法培养晶体时生长稜的分布规律。所得结果与实验相符。 相似文献
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本文介绍了提拉法生长LiTa_yNb_(1-y)O_3单晶的工艺,观测了晶体中常见的宏观缺陷。讨论了缺陷的形成及克服途径。 相似文献