排序方式: 共有72条查询结果,搜索用时 8 毫秒
1.
2.
本文通过对提升机测速编码器损坏原因分析,找出造成编码器损坏的原因,提出解决办法,保证了提升机的安全运行。 相似文献
3.
纳米ZnO的表面改性研究 总被引:18,自引:0,他引:18
研究了纳米ZnO表面改性的影响因素,确定了最优改性剂和改性条件。通过正交实验以月桂酸钠为改性剂、用量为15%、pH值为6、改性时间为1.5h时,改性后的纳米ZnO的亲油化度达到79.2%,能较好地分散于甲醇和二甲苯中。 相似文献
4.
5.
为适应我国信息化建设需要 ,扩大作者学术交流渠道 ,本刊已加入《中国学术期刊 (光盘版 )》理工A辑和“中国期刊网”。作者著作权使用费与本刊稿酬一次性给付 ,如作者不同意将文章编入该数据库 ,请在来稿时声明 ,本刊将作适当处理。本刊每期目录与全文资料已编入“中国期刊网”网络数据库和CAJ CD进行信息服务 ,该网除在CHINANET、CERNET上设两个中心网站外 ,在世界各地均设镜像站点提供区域性或机构内部服务信息。中国期刊网网址如下 : http ://www .chinajournal.net.cn http ://… 相似文献
6.
7.
8.
介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积(ALD)方法实现Al2O3栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅长(Lg)为2 μm,栅宽(Wg)为0.9 mm(0.45 mm×2),栅极和源极(Lgs)之间的距离为5 μm,栅极和漏极(Lgd)之间的距离为10 μm。在栅压为-20 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电仅为0.65 nA。在栅压为+12 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅漏电为225 nA。器件的栅压摆幅为-20~+12 V。在栅压Vgs=+10 V时,槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT电流和饱和电流密度分别达到了98 mA和108 mA/mm (Wg=0.9 mm), 特征导通电阻为4 mΩ·cm2。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的阈值电压为+4.6 V,开启与关断电流比达到了5×108。当Vds=7 V时,器件的峰值跨导为42 mS/mm (Wg=0.9 mm,Vgs=+10 V)。在Vgs=0 V时,栅漏间距为10 μm的槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的关断击穿电压为450 V,关断泄露电流为0.025 mA/mm。 相似文献
9.
考虑诸多因素 第七届全国分析化学年会暨第七届全国原子光谱分析学术报告会商定 两会合并联合召开 统一组织统一领导。 会期:年月地址:重庆市西南师范大学收稿截止日期:年月日 《分析科学学报》2000,16(2):126
考虑诸多因素 ,第七届全国分析化学年会暨第七届全国原子光谱分析学术报告会商定 ,两会合并、联合召开 ,统一组织、统一领导。会期 :2 0 0 0年 1 0月 地址 :重庆市西南师范大学收稿截止日期 :2 0 0 0年 3月 3 1日 (以邮戳为准 )论文处理 :会议筹备组将组织专家对应征论文进行评审 ,决定取舍。录用的论文将安排在会上口头报告或报展 ,并在会前出论文集。请自留底稿 ,恕不退还。收稿地址 :两个收稿地址等效。1 重庆市西南师范大学化学化工学院周光明、黄玉明同志收 ,邮编 :4 0 0 71 52 北京海淀区学院南路 76号光谱与分析期刊社孟广政同… 相似文献
10.